Da eig. viele immer rummotzen wegen der verlustlestung... Wie und woraus resultiert diese o.o?
Hängt es jetzt von bestimmten konstruktionsfehlern ab (zu eng gepackt) ab oder von zu hohen spannungen/taktraten ?
[...]
Das ist wirklich von vielen, vielen Faktoren abhängig. Von den Transistoren, vom Chipdesign, und, und, und. Das merkt man ja schon daran, dass die Verlustleistungen auch bei ein und dem selben Prozessor stark streuen und dadurch selektiert wird - ein Core i7 ist ja hardwaretechnisch im Endeffekt nichts Anderes als ein Core i5. Ich bin mal so frei und gehe auf die Transistoren ein:
Generell gilt: ein- und den selben Transistor wirst du nie fertigen können. Die Kunst liegt daran, dass die paar Milliarden Transistoren elektrisch so ähnlich sind, dass der Chip vernünftig schaltet - und zwar in jeder Schaltoperation. Das wird bei Overclocking ausgelotet und nennt sich flapsig gesprochen "Stabilität" und wird z.B. mit Prime überwacht.
Ein Beispiel (achtung, ich hole jetzt weit aus^^)
Ein Feldeffekttransistor (in heutiger Mikroelektronik nutzt man FinFETs, eine Sonderform des MosFET) wird eingeschaltet, indem man über eine elektrisch isolierte Elektrode ("Gate") eine Spannung anlegt und diese einen Ladungsträgerkanal im eigentlichen Transistor (Source-Drain-Strecke) influenziert und ein Strom fließen kann. Um den Transistor einzuschalten, muss also eine Ladung auf das Gate aufgebracht werden, sodass die Spannung am Gate über die Schaltspannung steigt und der Transistor in den leitenden Zustand kippt. Nun sind Transistoren aber häufig hintereinander geschaltet, sodass das Gate eines Transistors über die Source-Drain-Verbindung eines vorhergehenden Transistors geladen wird. Ist der Durchgangswiderstand oder die Schaltspannung dieses vorgeschalteten Transistors zu hoch, kann das Gate des eigentlichen Transistors also nicht geladen werden und der hintere Transistor schaltet nicht - der Fehler pflanzt sich fort und am Ende kommt ein Rechenfehler heraus. Es gibt dann 2 Möglichkeiten, das zu beheben:
1. Versorgungsspannung erhöhen
dadurch steigt die Leitfähigkeit des vorgeschalteten Transistors im eingeschalteten Zustand steigt und er erreicht den eingeschalteten Zustand schneller, wir erhöhen also effektiv alle Ströme
2. Taktfrequenz verringern
Dadurch "geben wir der Schaltung mehr Zeit", die jeweils kritische Ladung zu erreichen.
Die Stabilität des Chips hängt also immer von jeweils schlechtesten Transistor ab. Mit "Fertigungsfehler" liegst du also gar nicht so falsch. Über das Beispiel oben können wir nun weiter schließen:
Im Umkehrschluss wollen wir nun eine hohe Performance haben, beispielsweise durch einen großen Takt. Das bedeutet nun auf der anderen Seite, dass wir entweder sehr gute Transistoren durch eine sehr gute Fertigung haben (niedrige Treshold-spannung, hohe Leitfähigkeit im eingeschalteten Zustand) oder eine sehr hohe Spannung anlegen müssen - wobei im zweiten Fall die Leistungsaufnahme explodiert - und hiermit der Rückgriff auf deine eigentliche Frage

Und das war jetzt genau ein Aspekt, der eine hohe Leistungsaufnahme zur Folge haben kann - und wir haben auch nur an der Oberfläche gekratzt. Auf der anderen Seite gibt es auch Verluste über die Metallisierungslagen des Chips, die in erster Näherung wie eine Kapazität wirken und mit steigender Frequenz immer mehr Strom ziehen, oder natürlich eine Chiparchitektur, die nicht sonderlich effizient ist (darüber kann ich dir aber leider auch nicht so viel erzählen

)
Ich hoffe aber, dass ich zumindest den Transistorteil verständlich erklären konnte

Und jetzt sorry for Off-Topic.
Ich persönlich bin sehr gespannt auf den Zen. Hoffentlich schafft es AMD wieder, einen konkurrenzfähigen Chip auf die Beine zu stellen. Ich würde mich freuen und dem Markt würde es auch gut tun!

Und AMD braucht eine gute CPU. Die muss jetzt einfach kommen, sonst bleiben sie weiter in den roten Zahlen...
gRU?; cAPS