Crossbar RRAM: Neue Speichertechnologie kurz vor der Marktreife

[PCGH-Redaktion]

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Das US-amerikanische Unternehmen Crossbar hat ein erstes Memory Array auf Basis von Resistive RAM (RRAM oder ReRAM) hergestellt, wodurch man kurz vor der Marktreife stehe. Diese Speichertechnologie gilt als Ablöser des aktuellen NAND-Flashs, wie er aktuell zum Beispiel in digitalen Speichermedien zum Einsatz kommt.

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[jamie]

Was mich wundert " lowest $/Bit". Wenn dem wirklich so ist, dann Ansonsten muss man wieder erst ein paar Jährchen warten, bis sie bezahlbar und damit für Endabnehmer attraktiv sind.

 

[beercarrier]

falls die nur einigermaßen halten können was sie versprechen wird das der hammer.

p.s. keine quellenangabe?

 

[Koksi]

Ich versteh das nicht so ganz wo ist da jetzt der Vorteil ?

 

[beren2707]

Mehr Leistung, größere Datenmengen, niedrigere Preise - mehr gefällig?

 

[Koksi]

Mehr Leistung, größere Datenmengen, niedrigere Preise - mehr gefällig?

In weit meinst du das mit der Leistung im Artikel steht was von 140MB/s.

 

[jamie]

Wird auf der Grafik behauptet. Also schneller ist denke ich gemeint.

 

[beren2707]

Dabei soll RRAM rund 20-mal schneller schreiben als herkömmlicher NAND-Flash und so nah an die Geschwindigkeit von RAM-Speicher herankommen, verspricht Crossbar. [...] Einzelne Zellen sind weniger als 5 Nanometer groß, schalten in weniger als 100 Nanosekunden und sollen so Daten mit 140 MByte/s schreiben können.

In Reihe geschalten kommt da eine irre Geschwindigkeit heraus, wie im ersten Satz angemerkt wird das die aktuellen SSDs um ein Vielfaches übertrumpfen können.

 

[XXTREME]

Ganz feine Sache .

 

[ruyven_macaran]

Mehr Leistung, größere Datenmengen, niedrigere Preise - mehr gefällig?

Hohe Wiederbeschreibbarkeit.
Wobei 10k Zyklen als Minimum schon ein klarer Fortschritt wären.

In Reihe geschalten kommt da eine irre Geschwindigkeit heraus, wie im ersten Satz angemerkt wird das die aktuellen SSDs um ein Vielfaches übertrumpfen können.

Abwarten. Irgendwie beist sich das massiv mit dern 0,1 µs Angabe für eine einzelne Zelle. Denn damit können nicht einmal 10 MBit/s geschrieben werden, geschweige denn 140 MByte. Auch an anderer Stelle erwecken die Folien eher den Eindruck von Marketing an der Grenze zur Lüge, denn von Informationsvermittlung. Z.B. wird die Haltbarkeit für MLC Flash um den Faktor 10 zu niedrig angegeben, die Haltbarkeitsangabe ist ebenfalls komplett falsch, diverse Vergleichskategorien werden Flash komplett abgesprochen, ohne dass z.T. klar ist, was überhaupt gemeint ist...)

RRAM ist ne tolle Sache, aber wenn ein Unternehmen aus dem nichts heraus derart vielmehr verspricht, als hochkaratige Konkurrenten und es dann auch noch für nötig hält, etablierte Alternativen deutlich schlechter darzustellen, als sie sind, dann werde ich erst einmal sehr, sehr misstrauisch. Und der nicht vorhanden technische Informationsgehalt der Webseite ändert daran sehr wenig.

 

[bofferbrauer]

So viele neue Speichertechnologien sind in Entwicklung, dass man nicht sagen kann, dies sei nun der Ablöser von Flash oder DRAM. PRAM, MRAM, FeRAM, RRAM, SONOS, nvSRAM, CBRAM, Millipede Memory...

Alle versprechen sie höhere Geschwindigkeiten und größere Datendichte als Flash, meist auch ohne ein Alterungeffekt durchs beschreiben. Was nun wirklich davon kommt oder nicht ist imo völlig offen