Das, was dort im Artikel erwähnt wurde, habe ich mit dem Begriff "Robustheit" zu umschreiben versucht - umfassend erklären hätte ich es nicht können (ausser die Zusammenhänge von R, U, I und P . . .)
Die Robustheit muss ich überlesen haben , bitte sag mir kurz welche Passage du meinst.
Generell zu dem Artikel :
Wie wird die VID festgelegt?
Die benötigte VID (U) ergibt sich einerseits aus der für die CPU vorgegebenen maximalen Verlustleistung in Watt (W = U x I) und dem inneren elektrischen Widerstand (R) der CPU unter Vollast, der für den fließenden Strom (I) verantwortlich ist:
Sie wird deswegen so festgelegt, dass die CPU im Produkt von Spannung und Strom nicht mehr Watt umsetzt, als der Hersteller für dieses Modell als Wert angibt (z.B. 95 Watt beim Q6600). Ok, die Definition der TDP funktioniert schon ein wenig anders, aber vereinfacht wollen wir diese Rechnung mal so stehen lassen, da es für das Verständnis völlig reicht.
Ok fangen wir mal an, (abgesehen davon dass die Gleichung W=U*I falsch ist weil W eine Einheit ist und keine Physikalische Größe ) ich finde es sehr interessant dass er bei einem HALBLEITER von einem fixen Widerstand sprechen kann, sieht man sich die K/T Kennlinie einmal an :
http://www.multimediachemieunterricht.uni-erlangen.de/versuche/bilder/Silizium.jpg sieht man sofort wie stark sich der Widerstand verändert bei eigentlich völlig normalen Bedingungen.
Was sagt die VID über die Qualität der CPU aus?
Auch wenn sich die Geister gern streiten: eine niedrige VID spiegelt meist eine schlechtere elektrische Güte der CPU wieder. Je niedriger der Widerstand ist, um so mehr Strom fließt und umso niedriger kann/muss die VID gewählt werden, damit das Produkt aus Spannung und Strom den Watt-Vorgaben entspricht. Eine niedrige VID ermöglicht jedoch in fast allen Fällen ein besseres OC-Verhalten bzw. OC-Potenzial der betreffenden CPU auch wenn andere Stimmen meinen, eine niedrige VID zeuge eher von zu hohen Leckströmen.
Was ich hier wirklich sehr interessant finde ist das : "schlechtere elektrische Güte der CPU wieder. Je niedriger der Widerstand ist, um so mehr Strom fließt und umso niedriger kann/muss die VID gewählt werden, damit das Produkt aus Spannung und Strom den Watt-Vorgaben entspricht"
In der gesamten Elektronikbranche versucht man den Leitungswiderstand zu verringern und bei CPUs ist er plötzlich schlecht?

Ganz im Gegenteil! Ein niedriger Widerstand verringert die Leitungsverluste und man kann mit weniger Spannung fahren um gleich viel Strom zu transportieren, das ist doch eigentlich sehr gut
Was bedeutet eine niedrige VID für mich beim OC?
Meist das bessere OC-Potential. Nötige Spannungserhöhungen zum Stabilisieren der CPU bei hohem Takt fallen oft geringer aus bzw. zeigen mehr Wirkung. Nachteilig ist der hohe fließende Strom, der sich durch eine hohe Wärmeabgabe bemerkbar macht.
Eigentlich widerspricht er sich hier zum Teil selbst, oben hat er noch bemängelt dass eine niedrige VID angeblich von höheren Leckströmen bzw. Verluste zeugt, wie er hier aber schreibt kommt man mit weniger Spannung zu einem besseren Ergebnis , warum ? Weniger Verluste = weniger Spannungsabfall = weniger Spannung nötig um die Spannung dort noch zu haben wo man sie haben will ,am MOSFET der die Spannung braucht um zu Schalten und bei höheren Takten den P-N Übergang schneller anreichern muss wofür er mehr Spannung braucht um mehr Strom in kürzerer Zeit zu Transportieren. (Übrigens brauchen MOSFETs nur Strom beim Schalten, dann aber sehr viel)
Was bedeutet eine hohe VID für mich beim OC?
Mit etwas Pech ein geringeres OC-Potential. Nötige Spannungserhöhungen zum Stabilisieren der CPU bei hohem Takt fallen meist größer aus bzw. zeigen gar keine Wirkung. Diese CPUs sind jedoch oft kühler und im nicht übertakteten Zustand selbst mit dem Boxed-Kühler noch relativ kühl zu betreiben.
Warum die CPUs eine niedrigere Leistungsaufnahme haben sollen ist mir ein Rätsel, interessant wäre mit vielen CPUs unter gleichen Bedingungen er das getestet hat , ich kann mir nämlich nicht vorstellen dass es all zu viele waren.
Interessant finde ich auch dass er im ganzen Artikel nirgends auf die Eigenschaften eines MOSFETs eingeht ,bzw. diese auch nur erwähnt.