AW: Intel Ivy Bridge: Retail-Modelle schlechter zu übertakten als Sandy Bridge?
Kann sein dass die Tri Gate Anordnung der Transistoren Probleme macht??
Möglich. An einem einzelnen Punkt wird man das aber wohl eh nicht fest machen können.
Abwarten.
Viele erwarten von Ivy aber auch zu viel. Die CPU Leistung steigt um ein paar Prozent im einstelligen Bereich. Hauptsächlich wurde die IGP und Effizienz verbessert, ein morz Sprung wird das also von einem Sandy nicht wenn man nicht vorhat nen HTPC ohne dedizierte GPU zusammenzustellen.
Ja die Leute erwarten viel zu viel. Zumal die Leute hier teils völlig verblendet sind, und nur an die CPU-Leistung denken und nur an Gaming denken. Intel hat zich mal schon gesagt, dass der Fokus auf der iGPU liegt. Nur das wollen die meisten/viele hier einfach nicht wahr haben.
Die Temperatur soll übrigens nicht mal annähernd am IHS anliegen. Entweder wurde bei ES und Vorserienmodellen nur geschlampt oder es wird noch falsch ausgelesen. Irgendwer hatte das in nem US Forum nachgemessen und kam auf eine Differenz von mehr als 40° zwischen Kern- und IHS Temperatur was ich für äußerst unrealistisch halte.
Das muss nichts bedeuten. Du hast ja nur eine gewisse Wärmeleitfähigkeit. Gerade durch Hot-spots kann das durchaus passieren. Der CPU-Teil ist ja massiv kleiner geworden.
Da das das einzige ist was wirklich tiefgreifend verändert wurde wirds wohl daran liegen.
Durch die wesentlich höhere Packungsdichte der Transistoren ("dünnere" Tri-Gates + 22nm) ist die Leistungsdichte eben enorm gestiegen (also mehr Wärmeabgabe pro Fläche) - da ist es an sich nicht verwunderlich dass man mit Spannungserhöhung sehr schnell an die 100°C stößt. Ich meine wir reden hier von Leistungsdichten wo jede Herdplatte vor Neid erblasst.
[Klugscheismodus]Dichten beziehen sich auf Volumina nicht auf Flächen
[/Klugscheismodus]
Die Leistungsdichte hat sich aber dennoch erhöht, wie du richtig erkannt hast. Man muss sich nur mal den CPU-Teil von IB und SB anschauen.
Und ja, Herdplatten sind dagegen ein Dreck. Wenn ich mich recht erinnere, ist man in einem Bereich, den man auch in einem AKW hat...
Die ~100W werden halt auf einem verdammt kleinen Volumen erzeugt.
Der Zusammenhang ist folgender:
Die TDP, also die gesamte abgegebene Wärmemenge der CPU ist von Sandy auf Ivy gesunken. Folglich müsste auch die CPU kühler werden.
Dummerweise ist die Fläche der CPU aber auch gesunken durch den feineren 22nm Prozeß - und das (im Verhältnis) viel mehr als die TDP.
Das hat zur Folge, dass die Leistungsdichte, heißt wie viel Watt pro Quadratmillimeter abgegeben werden, gestiegen ist.
Das wird zusätzlich noch begünstigt dadurch, dass Tri-Gates schmaler sind und näher nebeneinander sitzen können und sich so gegenseitig aufheizen (ähnlich wie die Windungen eines Glühwendelfadens - deswegen wickelt man das Ding auf
).
Deswegen wird die CPU intern heißer als vorher, obwohl die Gesamtwärmeabgabe gesunken ist.
Kubikmillimeter
Das Problem an 22nm +TriGate ist halt, das man die SRAM-Zellen (wofür TriGate meines Wissens atm nur eingesetzt wird) eben nochmals enger packen kann, und SRAM braucht schon einiges an Saft beim Schaltvorgang. Das sollte man wirklich nicht unterschätzen.
Über TriGate konnte ich mich auf der CeBIT mit nem Ingenieur von Intel etwas unterhalten. Ich versuch mal daher etwas dazu zum besten zu geben, durch das was mir da erzählt wurde.
Das TriGate Gate ist wie ja bekannt ist nun auf 3 Seiten. Dadurch kann man mit geringeren Spannungen den Transistor bereits schalten, da von mehreren Seiten die Verarmung eintritt. Beim klassischen Gate konnte man das durch höhere Spannungen noch unterstützen, und auch die Größe der Zone dadurch beeinflussen. Bei Tri-Gate ist dieser Effekt nicht mehr so groß, oder eventuell auch gar nicht mehr vorhanden. Da hat man nur noch den gestiegenen Signalpegel. Das wars dann aber auch. Das Schaltungsverhalten des Transistors, wird also wohl nicht mehr so stark beeinflusst durch die Spannung, was auch zu einem niedrigeren OC-Potenzial beitragen kann, da man schneller die Spannung erhöhen muss.
Insgesamt gibt es durch Tri-Gate auf jeden Fall eine verdammt große Anzahl an Veränderungen, die sich positiv als auch negativ auf ein mögliches OC-Potenzial auswirken können. Ich halte es daher wirklich für vermessen, was hier ständig bzgl. der OC-Wunschträume und Anforderungen abgeht. Das kann absolut niemand hier einschätzen, wie sich das alles in Summe verhält. Ganz zu schweigen davon, wie sich Fertigungsschwankungen/tolleranzen auf die ganze Sache auswirken, denn die werden sich wie bei jedem Shrink immer stärker auswirken.
Das ist wenn dann einer der Wege zur geringen Größe, aber kein zusätzlicher Effekt. Wobei mich mal interessieren würde, wieviel Platz man da letztlich wirklich spart. Fin-Fets sind zwar schön schmal, aber es ist eben auch Tri-Gate. Imho müsste 22 nm wesentlich mehr zur gesteigerten Dichte beigetragen haben. Denkbar ist auch, dass der Stromverbrauch unter Last bei Tri-Gate relativ höher ausfällt - die Technik wurde nunmal auch entwickelt, um Gates mit engerem Querschnitt und niedrigeren Leckströmen zu fertigen. Wenn man durch die jetzt die gleiche Strommenge in geschaltetem Zustand fließen lassen will, wird mehr Wärme frei.
Jaein. Der Querschnitt ist wohl nicht kleiner geworden. Man baut das wire nur höher, weil man durch die Umschließung des Kanals eben das Gate nicht mehr so Breit machen muss.
Der Ingenieuer von Intel hat mir da auf der Messe was aufgezeichnet. Ich glaub das hab ich leider nicht mehr
War aber sehr interessant, weil das in den Videos etc. nicht erwähnt wird. Man verringert aber wohl die Kontaktfläche, womit die Tunnelströme auch verkleinert werden. Kommt wie gesagt aber echt verdammt viele Faktoren da zusammen.
Eher nicht. Dürfte wenn dann auf Leckströme zurückzuführen sein, und gerade die wollte Intel mit den Tri-Gate-Transistoren bei Ivy ja angehen (zumindest das Mehr durch den Shrink sollte kompensiert werden), von daher bezweifele ich mal den Wahrheitsgehalt dieses Gerüchts.
Da muss arg was am Stepping kaputt sein, wenn das stimmen sollte.
Die Leckströme sollten auch reduziert werden, aber du entwirfst einen Transistor ja immer auf einen gewissen Funktionsbereich, und das wars. Innerhalb dessen Funktioniert das Ding optimal, und wenn du was dann drehst wirds schnell ineffizient, oder arbeitet gar nicht mehr. Bei Tri-Gate ist dieser Bereich, wo der Transistor effizient arbeitet scheinbar deutlich schmäler. Das ist aber soweit ich das überblicken kann allerdings Systembedingt.
Wie ich schon SEHR lange sage. TriGate könnte sich durchaus als Nachteilig für die normalen OC´ler erweisen, für den 0815 User aber als Segen.
Man sollte daher wirklich mit den Luftschlössern hier endlich mal aufhören, der Fall wird sonst noch ziemlich schmerzhaft werden.
Wie sagt man nämlich so schön:
Hochmut kommt vor dem Fall...
