News TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

[PCGH-Redaktion]

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Während seiner Telefonkonferenz zu den jüngsten Geschäftszahlen hat TSMC seine aktuellen Pläne zur 10-nm-Prozessgeneration verraten. Demnach soll die Serienproduktion Ende 2016 beginnen, entsprechende Tape-Outs - auch von "High-Performance Computing Segments" - werden für das nächste Jahr erwartet.

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[Rollora]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Schön, dass es bei den GPUs nach 4 Jahren (bzw nächstes Jahr vor dem Wechsel zu 16nm) in 28nm wieder ordentlich vorwärts geht -
Dann ist ja wirklich zu erwarten, dass 10nm innerhalb von 2 Jahren nach 16nm kommt
Nächstes Jahr "feiern" wir ein halbes Jahrzehnt denselben Prozess, wird Zeit, dass sich da mal wieder was ändert. Kein Wunder, dass es mich nicht wirklich juckt aufzurüsten.

Die Performance soll bei gleicher Leistungsaufnahme um 15 Prozent steigen beziehungsweise die Leistungsaufnahme bei gleicher Performance um 35 Prozent sinken. Die Packdichte soll um den Faktor 2,2 steigen.

Aber würde dies nicht auch heißen, wenn man tatsächlich 2.2x so viel Transistoren unter bringen will (also etwa bei Highend-Grafikchip), dass auch die Verlustleistung in die Höhe geht? Selbst bei 35% weniger Verbrauch (angenommen gleiche Taktfrequenz) haben wir immer noch 2.2x 65% -> also rund ca 143% der Verlustleistung.
Naja ich weiß, Milchmädchenrechnung. Aber vielleicht kanns ein Elektrotechniker genauer erklären.

Ich bin schon recht gespannt auf die Performance der 16/14 und "bald" dann 10nm Generation.
Vorallem der Vergleich zwischen den Prozessen (Packdichte, Performance usw) wird wieder interessant bei den Herstellern Intel, GloFo, TSMC usw...

 

[projectneo]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Ich glaube es geht darum, dass man 15% mehr Leistung bekommt, da die Signallaufzeiten durch kürzere Wege (kleiner Strukturen) schneller sind. Das wäre damit völlig unabhänig vom produzierten Chip. TSMC kann ja keine Angaben darüber gemacht werden wie effizient die Transistoren des jeweiligen Chips genutzt werden - das ist ja Sache des Chipsdesigners.

 

[Locuza]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Aber würde dies nicht auch heißen, wenn man tatsächlich 2.2x so viel Transistoren unter bringen will (also etwa bei Highend-Grafikchip), dass auch die Verlustleistung in die Höhe geht? Selbst bei 35% weniger Verbrauch (angenommen gleiche Taktfrequenz) haben wir immer noch 2.2x 65% -> also rund ca 143% der Verlustleistung.
Naja ich weiß, Milchmädchenrechnung. Aber vielleicht kanns ein Elektrotechniker genauer erklären.

Völlig richtiger Gedankengang und eines der "Hautprobleme" des 20nm Prozess, welcher zwar ebenso deutlich Fläche gespart hat, aber wenig zur Energieeffizienz beigetragen hat.
Neben den vielleicht unpassenden Prozessparametern für High-Performance Chips, war die schwache Verbesserung an dieser Stelle ein großer Faktor, wieso das ganze für viele unattraktiv war.

 

[taks]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Vor einigen Jahren hiess es doch sie können nicht unter 14nm.
Oder verwenden sie mittlerweile einen anderen Halbleiterstoff?

 

[Gysi1901]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Ich für meinen Teil glaube denen ja kein Wort, wenn es um 10 nm geht. Das ist mit sehr viel Vorsicht zu genießen. Es ist ja schön, dass sie das planen, aber wenn noch nicht einmal die Risikoproduktion angelaufen ist, können sie doch selbst nicht wissen, ob eine Auslieferung von 10-nm-Produkten in Q1 '17 überhaupt realistisch ist.

 

[IronAngel]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

geredet kann viel, jeder weiss selbst das wir 3-3,8 Jahre beim "28NM" Prozess stehen geblieben sind. Wenigstens geht es endlich mit Skylake los und nächstes Jahr gibt es vielleicht auch mal neue Grafikkarten, die einen shrink vollzogen haben.

 

[cPT_cAPSLOCK]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Vor einigen Jahren hiess es doch sie können nicht unter 14nm.
Oder verwenden sie mittlerweile einen anderen Halbleiterstoff?

Das nicht direkt, aber die "problemlose" Skalierung von Transistoren ist von vielen, vielen Faktoren abhängig. Gerade die Lithografie ist bei den aktuellen Abmessungen ein riesiges Problem, da man aus Kostengründen die "current-gen"-Lithografie so lange nutzen möchte, wie nur irgendwie möglich. Der nächste Schritt wäre Extreme-UV-Litho, die ist aber trotz immer wiederkehrender Gerüchte immer noch nicht in der Produktion angekommen. Die Masken, die man für die Belichtung verwendet, nutzen beispielsweise Beugungsmuster höherer Ordnung, um die Kantenschärfe noch richtig hinzubekommen und man taucht die Wafer in ein optisch dichteres Material (Immersionslithografie, z.B. mit Wasser), um die numerische Apertur und damit auch das Auflösungsvermögen zu erhöhen.
Zu diesem Thema gibt es übrigens die "International Technology Roadmap for Semiconductors" - oder kurz: ITRS. Das ist eine Roadmap für die Industrie, wie es in der Verfahrenstechnik und den elektrischen Eigenschaften der Transistoren weitergehen muss, wenn man am Mooreschen Gesetz festhalten will. Die 2013er-Version wurde mittlerweile veröffentlicht.
2013 ITRS Summary
gRU?; cAPS

 

[Rollora]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Vor einigen Jahren hiess es doch sie können nicht unter 14nm.
Oder verwenden sie mittlerweile einen anderen Halbleiterstoff?

AFAIR warens 4nm und die haben wir noch lange nicht, vorallem weil das was einem hier in ein paar Jahren als 4nm Verkauft wird keine "echten" 4nm sein werden

 

[cPT_cAPSLOCK]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

AFAIR warens 4nm und die haben wir noch lange nicht, vorallem weil das was einem hier in ein paar Jahren als 4nm Verkauft wird keine "echten" 4nm sein werden

Naja, die messbaren Abmessungen werden zwar größer sein, bei Mosfets verwendet man aber grundsätzlich die Kanallänge als Bezifferung. Und den kann man halt optisch nicht vom Rest des Transistors unterscheiden. 10nm-Mosfet ~ 10nm Kanallänge. Klar ist der Rest dann größer, Drain, Source und Metallisierung brauchen schließlich auch Platz.
gRU?; cAPS

 

[PCGH_Torsten]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Von dieser Nomenklatur weichen die Fertiger schon seit langem ab, die Bezeichnungen aktueller Prozesse stehen nicht in Bezug zur Gate-Länge. Bei Intel lautet die offizielle Definition "feinste zu fertigende Struktur", bei TSMC weiß ich es nicht genau. Allerdings weisen geleakte Informationen daraufhin, dass TSMC 16 nm im wesentlichen eine FinFET-Ausführung des 20-nm-Prozesses ist. Die Gate-Länge dürfte also gleich beleiben, Platzersparnis reduziert aus der Gate-Breite.

 

[cPT_cAPSLOCK]

AW: TSMC über 10 nm: Serienproduktion beginnt Ende 2016

Von dieser Nomenklatur weichen die Fertiger schon seit langem ab, die Bezeichnungen aktueller Prozesse stehen nicht in Bezug zur Gate-Länge. Bei Intel lautet die offizielle Definition "feinste zu fertigende Struktur", bei TSMC weiß ich es nicht genau. Allerdings weisen geleakte Informationen daraufhin, dass TSMC 16 nm im wesentlichen eine FinFET-Ausführung des 20-nm-Prozesses ist. Die Gate-Länge dürfte also gleich beleiben, Platzersparnis reduziert aus der Gate-Breite.

Danke für die Information und Richtigstellung! Ich dachte, es wäre immer noch so
gRU?; cAPS