News Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

[PCGH_Carsten]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Ja, mir kam auch am ehesten das PCM-Konzept in den Sinn - und ich vermute fast, Intel könnte hier wirklich dicht dran liegen. Zumindest wollte man auch auf wiederholte Nachfragen keine Details zu Dingen wie Material des physischen Speicherkerns, Daten-Rentetionszeit und Lesegeschwindigkeit machen.

DRAM sehe ich hier absolut nicht in Gefahr, auch NAND (noch) nicht. Eher halte ich eine zusätzliche Speicherstufe in Datenzentren für wahrscheinlich, die zwischen (flüchtigem) DRAM und (nichtflüchtigem) NAND liegt - in allen Dimensionen: Geschwindigkeit, Kapazität, Kosten.

 

[Koko291]

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Wäre doch geil so ein ding im rechter zu haben start Knopf drücken und Windows ist voll bereit

 

[violinista7000]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Auf jeden Fall denke ich an besseren Streaming, wenn es ums Gaming geht! Nie wieder Probleme mit spät erscheinenden Texturen.

Es braucht nur PCIe 4.0 oder besser.

 

[Superwip]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Ja, mir kam auch am ehesten das PCM-Konzept in den Sinn - und ich vermute fast, Intel könnte hier wirklich dicht dran liegen. Zumindest wollte man auch auf wiederholte Nachfragen keine Details zu Dingen wie Material des physischen Speicherkerns, Daten-Rentetionszeit und Lesegeschwindigkeit machen.

DRAM sehe ich hier absolut nicht in Gefahr, auch NAND (noch) nicht. Eher halte ich eine zusätzliche Speicherstufe in Datenzentren für wahrscheinlich, die zwischen (flüchtigem) DRAM und (nichtflüchtigem) NAND liegt - in allen Dimensionen: Geschwindigkeit, Kapazität, Kosten.

Wurde PCM nicht dementiert? Zudem müsste PCM ja einen Heizmechanismus beinhalten...

Flash sehe ich in jedem Fall akkut gefährdet da die Technik im Gegensatz zu Alternativen wie etwa MRAM, PCM, Memristor nur ein geringes Weiterentwicklungspotenzial hat sowohl in Richtung höhere Integrationsdichte als auch in Richtung Geschwindigkeit.

 

[Guru4GPU]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Was heißt "10 mal dichter als DRAM" ? Es ist ja nicht so als gäbe es nur DDR Speicherchips mit genau einer Kapazitat ... das finde ich irgendwie Irreführend

 

[cl55amg]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Was heißt "10 mal dichter als DRAM" ? Es ist ja nicht so als gäbe es nur DDR Speicherchips mit genau einer Kapazitat ... das finde ich irgendwie Irreführend

Nein das ist nicht irreführend. Um zu verstehen was damit gemeint ist, musst du erst die Grundlagen verstehen. Eine mögliche erste Frage wäre, wie funktiert DRAM?

Die Dichte hängt zudem von verschiedenen Faktoren ab, welche sind das?

 

[Guru4GPU]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Ich weiß dass diese Technik bis zu 10 mal so viel Daten auf der selben Chipfläche speichern kann aber ich meine wie viel Speicher (GB) sollen diese Speichermedien haben?
Also wie viel Speicher hat dann so eine Xpoint SSD? Oder steht das noch gar nicht fest?

 

[cl55amg]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Ich weiß dass diese Technik bis zu 10 mal so viel Daten auf der selben Chipfläche speichern kann aber ich meine wie viel Speicher (GB) sollen diese Speichermedien haben?
Also wie viel Speicher hat dann so eine Xpoint SSD?

Du bist jetzt schon bei Schritt C, hast dich aber nicht mit A und B beschäftigt.

Auf der selben Fläche kann mehr gespeichert werden im Vergleich zu DRAM. Faktor 10 hat man angegeben, also könnte man wenn dies stimmt, 10 mal soviel auf der selben Fläche Speichern...

 

[BigBubby]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Ich denke 10mal so hohe dicht ist noch das am einfachsten zu verstehende. Interessant wird wirklich der innere Aufbau. Da wird man aber vermutlich einige patente durchgucken muessen oder abwarten.
Interessant wird auch energieverbrauch von den teilen.
Aber die interne Matrix interessiert mich persoenlich mehr.

 

[BigBubby]

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Tut mir leid wegen doppelpost. Aber hier stehen mal ein paar mehr Details, wenn auch nicht ganz genau 3D Xpoint memory: Faster-than-flash storage unveiled - BBC News

 

[Milkyway]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Was heißt "10 mal dichter als DRAM" ? Es ist ja nicht so als gäbe es nur DDR Speicherchips mit genau einer Kapazitat ... das finde ich irgendwie Irreführend

10 mal ist sicherlich etwas übertrieben, wenn die Fertigung nicht grade sehr anders ist.
Für DRAM sagt man, dass die Fläche einer Zelle so grob zwischen (6F)^2 und (8F)^2 liegt, mit F der minimalen Strukturgröße. Laut meinem Nanoelektronik Skript liegt NAND Flash bei ca 5, PCRAM zwischen 16 und 20 und MRAM ohne Transistor bei 4.
Alles nicht grade viel kleiner als DRAM... wobei das natürlich nur die Speicherzelle ist, nicht etwaige Ansterrung oder sonstige Peripherie, wie sie z.b. bei Flash nötig ist.

Also is da entweder was extrem geschönt, oder doch ganz was neues.

 

[cl55amg]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

10 mal ist sicherlich etwas übertrieben, wenn die Fertigung nicht grade sehr anders ist.
Für DRAM sagt man, dass die Fläche einer Zelle so grob zwischen (6F)^2 und (8F)^2 liegt, mit F der minimalen Strukturgröße. Laut meinem Nanoelektronik Skript liegt NAND Flash bei ca 5, PCRAM zwischen 16 und 20 und MRAM ohne Transistor bei 4.
Alles nicht grade viel kleiner als DRAM... wobei das natürlich nur die Speicherzelle ist, nicht etwaige Ansterrung oder sonstige Peripherie, wie sie z.b. bei Flash nötig ist.

Also is da entweder was extrem geschönt, oder doch ganz was neues.

Die Angabe der Dichte sollte eigentlich immer für die selbe Fertigungsgröße gelten (ansonsten wäre es bewusste Irreführung)
DRAM belegt recht viel Fläche im Vergleich zu Halbleiterspeicher Technologien die aktuell erforscht werden. Die Technologien können pro Speicherzelle auch mehr als nur einen Zustand speichern, dabei ist die Speicherzelle an sich aber trotzdem kleiner. Dies kann man in die Dichte hinein rechnen...

 

[BigBubby]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Für die Lesefaulen, es schein ein Reram zu sein.

 

[Superwip]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Diese Faktoren beziehen sich offensichtlich auf einen bestimmten gegebenen Fertigungsprozess der eine bestimmte Integrationsdichte erlaubt. Der XPoint Speicher ermöglicht damit offensichtlich eine höhere Datendichte bei gleicher Integrationsdichte im Vergleich zu DRAM wobei DRAM in dieser Disziplin nicht besonders glänzen kann; Flash bietet ja etwa auch eine wesentlich höhere Datendichte bei gleicher Integrationsdichte.

Für die Lesefaulen, es schein ein Reram zu sein.

Wo ist das zu lesen? Dann hatte ich mit meiner Annahme es handle sich um eine Art Memristor-Speicher ja recht...

 

[PCGH_Torsten]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Wurde PCM nicht dementiert? Zudem müsste PCM ja einen Heizmechanismus beinhalten...

Vielleicht eine Verwechslung mit PMC. Letzteres wäre eine Form von Memristor.

Flash sehe ich in jedem Fall akkut gefährdet da die Technik im Gegensatz zu Alternativen wie etwa MRAM, PCM, Memristor nur ein geringes Weiterentwicklungspotenzial hat sowohl in Richtung höhere Integrationsdichte als auch in Richtung Geschwindigkeit.

Flash hat derzeit noch einen sehr großen Vorsprung in Fertigungstechnologie und -kosten. Es wird sich zeigen müssen, wann und bei welchen Kapazitäten nicht-Silizium basierte Speicherverfahren günstiger werden.

Ich weiß dass diese Technik bis zu 10 mal so viel Daten auf der selben Chipfläche speichern kann aber ich meine wie viel Speicher (GB) sollen diese Speichermedien haben?
Also wie viel Speicher hat dann so eine Xpoint SSD? Oder steht das noch gar nicht fest?

128 Gbit/16 GB sind für die erste Chip-Generation im Gespräch. Aus wie vielen Chips entsprechende Speichermedien bestehen werden, ist ebenso unbekannt wie deren Format.

 

[BigBubby]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Wo ist das zu lesen? Dann hatte ich mit meiner Annahme es handle sich um eine Art Memristor-Speicher ja recht...

Im entschuldigten Doppelpost bzw. dem angehängten link. Denn scheinbar war Intel etwas gesprächiger gegenüber BBC.

 

[Superwip]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Flash hat derzeit noch einen sehr großen Vorsprung in Fertigungstechnologie und -kosten. Es wird sich zeigen müssen, wann und bei welchen Kapazitäten nicht-Silizium basierte Speicherverfahren günstiger werden.

Das stimmt. Aber so ungefähr bei 10nm TLC wird die Entwicklung von Flash ultimativ enden, das ist nicht abzuwenden. Und das ist sehr absehbar. Zudem lässt speziell die Memristortechnik sehr kleine Strukturgrößen bei konventionellen Lithographien zu da sie sehr regelmäßige Strukturen (Linienmuster) beinhaltet. HP hat etwa bereits 2008 15nm Memristoren hergestellt.

Beachtlich ist auch die Ähnlichkeit des Xpoint Speichers zu der Memristor-RRAM-Speichertechnologie der Firma Crossbar
Crossbar - RRAM, ReRAM, Non-Volatile Memory

Aber letztendlich ist auch HPs Memristor Speicher sehr ähnlich aufgebaut wobei es dort anscheinend keine Selector-Leitung gibt.

 

[cl55amg]

AW: Intel und Micron kündigen Xpoint an: 1.000 Mal schneller als Flash, 10 Mal dichter als DRAM

Diese Faktoren beziehen sich offensichtlich auf einen bestimmten gegebenen Fertigungsprozess der eine bestimmte Integrationsdichte erlaubt. Der XPoint Speicher ermöglicht damit offensichtlich eine höhere Datendichte bei gleicher Integrationsdichte im Vergleich zu DRAM wobei DRAM in dieser Disziplin nicht besonders glänzen kann; Flash bietet ja etwa auch eine wesentlich höhere Datendichte bei gleicher Integrationsdichte.

DRAM braucht halt einen Transistor und einen Kondensator um "1 Bit" zu speichern. Was natürlich viel Platz beansprucht und technologisch nicht gerade optimal ist.