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[How To] Arbeitsspeicher/Ram Overclocking 1366
Für Minecraft
Inhaltsverzeichniss
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1. Begriffserklärung
1.1 CAS (column access strobe) - latency (CL)
1.2 RAS to CAS Delay (tRCD)
1.3 RAS (row access strobe) - precharge delay (tRP)
1.4 Row-Active-Time (tRAS)
1.5 Command Rate (CR)
2. Reaktionszeiten (Latenzen) / Speicherbandbreite
2.1 Warum sind verschiedene Speicher bei selber Taktung und Timings unterschiedlich schnell
2.2 Wie bekomme ich die Verschiebungszeit zwischen lokalisieren und verarbeiten herraus
2.3 Vergleichstabelle
2.4 Aufklärung zum Performanceverlust zwischen CR 1 u. 2
2.5 Speicherbandbreite
3. Allgemeine Mythen
3.1 Ram Vollbestückung Ja oder Nein?
4. Arbeitsspeicherspannung
4.1 Standardspannung
4.2 Wann macht eine Spannungserhöhung Sinn
5. Besonderheiten des 1366 Sockels
5.1 Uncore
5.2 Speichercontroler
6. Vorgehensweise beim Übertakten5.2 Speichercontroler
6.1 Ramtakt > Standdarttakt (Timmings erhöhen für Stabilität)
6.2 Ramtakt < Standarttakt (Timmings herrabsetzen für Performance)
7. Wie finde ich heraus, ob meine Einstellungen stabil sind
7.1 Programme
8. Vergleichsbenchmarks
Baustelle
da ich sehr wenig zeit habe aber trotzdem das how to übernehmen möchte seid mir nicht böse das das ganze sehr kleckerhaft kommt in den nächsten tagen sollte das how to aber von meiner seite aus abgeschlossen sein verbesserungsvorschläge sind jederzeit erwünscht
da ich sehr wenig zeit habe aber trotzdem das how to übernehmen möchte seid mir nicht böse das das ganze sehr kleckerhaft kommt in den nächsten tagen sollte das how to aber von meiner seite aus abgeschlossen sein verbesserungsvorschläge sind jederzeit erwünscht
1. Begriffserklärung
1.1 CAS (column access strobe) - latency (CL)
Der Parameter CL (CAS Latency, auch tCL) beschreibt die Zeit die zwischen dem Lesebefehl und dem Erhalt der Daten vergeht. Wenn man z.B. seine Arbeitsspeicher mit 1600 Mhz betreibt und einen CAS Wert von 6 hat, benötigt der Speicher 7,5 Ns um die zu verarbeitenen Daten zu beschaffen.
1.2 RAS to CAS Delay (tRCD)
Dieser Wert beschreibt die Zeit, die benötigt wird, um die vorher beschafften Daten, die jetzt auf verschiedenen Speicherchips liegen, zu lokalisieren.
1.3 RAS (row access strobe) - precharge delay (tRP)
Da die Orte der Daten nun lokalisiert sind, müssen sie verarbeitet werden. Der Ras beschreibt die Zeit, die der Speicher braucht, um die verschiedenen Blöcke komplett zu laden und auszugeben. Nun fragt man sich, woher der Speicher weiß, dass er mit einem neuen Befehl anfangen kann? Kommen wir zum nächsten Wert.
1.4 Row-Active-Time (tRAS)
Der tRAS beschreibt die Zeit, nachdem der Arbeitsspeicher einen neuen Befehl annehmen darf. Er berechnet sich aus CAS+tRP+Sicherheit. Mehr dazu kommt bei Punkt 5.!
Nachdem wir die Werte verstanden haben, wissen wir, dass der tRAS ein sehr wichtiger Wert ist. Der Speicher kann im lesen/lokalisieren/verarbeiten noch so schnell sein, es wird uns nichts bringen, wenn der Arbeitsspeicher eine lange Zeit braucht, um einen neuen Befehl zu bearbeiten.
Vom rein Logischen könnte man behaupten, dass der tRAS sich aus CAS + tRCD + tRP zusammensetzt. Dies ist aber falsch, weil tRCD und tRP zusammen ablaufen (leichte Zeitverzögerung). Deswegen bezeichnet man den tRCD bei der Berechnung des tRAS als "Sicherheit"
Nachdem wir die Werte verstanden haben, wissen wir, dass der tRAS ein sehr wichtiger Wert ist. Der Speicher kann im lesen/lokalisieren/verarbeiten noch so schnell sein, es wird uns nichts bringen, wenn der Arbeitsspeicher eine lange Zeit braucht, um einen neuen Befehl zu bearbeiten.
Vom rein Logischen könnte man behaupten, dass der tRAS sich aus CAS + tRCD + tRP zusammensetzt. Dies ist aber falsch, weil tRCD und tRP zusammen ablaufen (leichte Zeitverzögerung). Deswegen bezeichnet man den tRCD bei der Berechnung des tRAS als "Sicherheit"
1.5 Command Rate (CR)
Die Command Rate gibt an, wie lange das Adressierungssignal anliegt, bevor die zu verarbeitenen Daten in ihre Spalten und Zeilen eingetragen werden.
2. Reaktionszeiten (Latenzen) / Speicherbandbreite
2.1 Warum sind verschiedene Speicher bei selber Taktung und Timings unterschiedlich schnell!
Wie in Punkt 1.4 beschrieben, laufen lokalisieren (tRCD) und verarbeiten (tRP) parallel. Da dieser Prozess aber nicht auf die Nanosekunde genau parallel ablaufen kann, kommt es zu einer geringen Verzögerung - unsere "Sicherheitszeit". Diesen Wert können wir nicht beeinflussen! Und genau dieser Wert macht einen guten Arbeitsspeicher aus.
Würden lokalisieren und verarbeiten parallel ablaufen, würde sich die perfekte Neuzugriffszeit aus lesen + verarbeiten ergeben.
Würden lokalisieren und verarbeiten parallel ablaufen, würde sich die perfekte Neuzugriffszeit aus lesen + verarbeiten ergeben.
2.2 Wie bekomme ich die Verschiebungszeit zwischen lokalisieren und verarbeiten herraus
Beispiel: Wenn wir einen Speicher haben der bei 1,65 V, 1800 Mhz und 6-6-6-16 seine absolute Stabilitätsgrenze erreicht hat, rechnen wir
zuerst die Nanosekundenanzahl von 16 aus, Das wären 17,8 Ns.
Nun erinnern wir uns zurück: Der tRAS ergibt sich aus CAS + tRP + Sicherheit.
6,7 Ns (CAS) + 6,7 NS (tRP) + ??? (Sicherheit) = 17,8 Ns
Jetzt rechnen wir das Ganze aus und kommen auf eine Verschiebungszeit von 4,4 Ns
zuerst die Nanosekundenanzahl von 16 aus, Das wären 17,8 Ns.
Nun erinnern wir uns zurück: Der tRAS ergibt sich aus CAS + tRP + Sicherheit.
6,7 Ns (CAS) + 6,7 NS (tRP) + ??? (Sicherheit) = 17,8 Ns
Jetzt rechnen wir das Ganze aus und kommen auf eine Verschiebungszeit von 4,4 Ns
2.3 Vergleichstabelle
2.4 Aufklärung zum Performanceverlust zwischen CR 1 u. 2
Wir wissen, dass die Command Rate dafür zuständig ist, den Zeitraum zu beschreiben, wie lange der Arbeitsspeicher braucht um verarbeitete Daten in ihre Zeilen und Spalten einzutragen.
Um den Performanceunterschied zwischen CR 1 und 2 zu verdeutlichen eine kleine Rechnung.
Wir gehen davon aus, dass wir einen Speicher haben der bei 1800 Mhz betrieben wird und Timings von 8-8-8 hat.
Lesen 8, Lokalisieren/Schreiben 8 (ich zahle es unter einen Punkt weil Lokalisieren/Schreiben fast parallel ablaufen) für diesen Ablauf benötigt der Speicher eine Zeit von 17,8 Ns + Grauzone (Zeitverschiebung Lokalisieren/Schreiben)
Zu diesen 17,8 Ns kommt jetzt die Command Rate.
CR1=18,9 Ns 105,5 %
CR2=20,0 Ns 100 %
Man sieht, dass eine Command Rate von 1 in der Theorie fast 6% schneller ist. In der Praxis merkt man einen Unterschied zwischen 4 und 5 %
2.5 Speicherbandbreite
Wir wissen, dass die Command Rate dafür zuständig ist, den Zeitraum zu beschreiben, wie lange der Arbeitsspeicher braucht um verarbeitete Daten in ihre Zeilen und Spalten einzutragen.
Um den Performanceunterschied zwischen CR 1 und 2 zu verdeutlichen eine kleine Rechnung.
Wir gehen davon aus, dass wir einen Speicher haben der bei 1800 Mhz betrieben wird und Timings von 8-8-8 hat.
Lesen 8, Lokalisieren/Schreiben 8 (ich zahle es unter einen Punkt weil Lokalisieren/Schreiben fast parallel ablaufen) für diesen Ablauf benötigt der Speicher eine Zeit von 17,8 Ns + Grauzone (Zeitverschiebung Lokalisieren/Schreiben)
Zu diesen 17,8 Ns kommt jetzt die Command Rate.
CR1=18,9 Ns 105,5 %
CR2=20,0 Ns 100 %
Man sieht, dass eine Command Rate von 1 in der Theorie fast 6% schneller ist. In der Praxis merkt man einen Unterschied zwischen 4 und 5 %
2.5 Speicherbandbreite
Wenn man sich die Latenzliste anguckt, könnte man denken 1600 Mhz CL 7 ist gleichwertig mit 1800 CL 8. Diese Tabelle soll veranschaulichen, dass dies nicht so ist, da sich bei einer höheren Taktung auch die Speicherbandbreite erhöht. Es ist immer besser, eine höhere Taktrate und einen gleichwertigen Latenz zu wählen.
3. Allgemeine Mythen
4.2 Wann macht eine Spannungserhöhung Sinn
Eine Spannungserhöhung über die vom Hersteller angegebende Spezifikation (Arbeitsspeicher/Speichercontroler) ist für den Dauerbetrieb nicht ratsam! Beim kurzeitigen Benchen sieht die Sache etwas anders aus, bei Speichermodulen mit einer Standartspannung von 1,65 V macht eine kurzzeitige Spannungserhöhung auf 1,8 V Sinn die meisten Speichermodule skalieren aber sehr schlecht auf Spannung über 1,7 V. Ich von meiner Seite empfehle für Benchsessions ohne extreme Kühlmethoden keine Spannungserhöhung auf über 1,8 V.
5. Besonderheiten des 1366 Sockels
5.1 Uncore
Beim Arbeitsspeicher Overclocking ist darauf zu achten das der Uncoretakt mindest doppelt so hoch ist wie der effektive Speichertakt. Dies bedeutet das bei einem effektiven Speichertakt von 2000 Mhz der
Uncore mindestens 4000 betragen muss. Ein 4000er Uncore ist ohne QPI/VTT Spannungserhöhung nicht zu erreichen.
Richtlinien:
5.2 Speichercontroler
Bei 1366 er Prozessoren sitzt der Speichercontroler in der CPU, daher ist jeder Speichercontroler einzigartig. Desswegen versteift euch nicht drauf das bei euch die 4000 Mhz laufen nur weil sie bei jemand anders stabil zu betreiben sind.
6. Vorgehensweise beim Übertakten
Reines Arbeitsspeicher Overclocking bringt uns sehr wenig. Man macht es meist nur um einen höheren BCLK zu erreichen ohne den Ramteiler herrabzusetzen.
Nun ist das Overclocking in 2 vorgehensweisen zu unterteilen:
6.1 Ramtakt > Standdarttakt (Timmings erhöhen für Stabilität)
Man sollte zuerst schauen ob der Arbeitsspeicher auch mit einem hören Takt bei den selben Timmings stabil läuft. Wenn ja dann mit Punkt 6.2 fortfahren.
6.2 Ramtakt < Standarttakt (Timmings herrabsetzen für Performance)
7. Wie finde ich heraus, ob meine Einstellungen stabil sind
Vorgehensweise:
Ihr startet zuerst Prime95 wählt den Blend Test aus und startet ihn, nachdem ihr das erledigt habt drückt ihr Strg+Alt+Entf startet den Task Manager und geht auf Leistung. Nun seht ihr wieviel freier Physikalischer Arbeitsspeicher noch zur Verfügung steht. Ihr startet Memtest und gebt im oberen Auswahlfenster 1000 ein (das freeprogramm kann nur 1 GB testen) wenn ihr jetz immernoch mehr als 1 GB frei haben solltet startet ihr ein 2tes Memtest und gebt wieder 1 GB ein das Spiel macht ihr solange bis weniger als 1 GB Phsikalischer Speicher zur verfügung steht. Nun habt ihr weniger als 1 GB frei desswegen startet ihr Memtest und gebt diesmal nicht die 1000 ein, ihr drückt einfach nur auf Start und er testet den restlich verbleibenden freien Speicher. Memtest und Prime95 nun solange laufen lassen bis unter jedem Memtestfenster 100% + steht. Sollte keiner dieser Tests einen Fehler erzeugt haben scheinen eure Einstellungen stabil zu sein. Sollte es aber dennoch beim Spielen, Bildbearbeitung, Videoschnitt usw. zu fehlern kommen müsst ihr euch nochmal an die Timings setzen.
3. Allgemeine Mythen
3.1 Ram Vollbestückung Ja oder Nein?
Eine volle Rambestückung ist aus folgenden Gründen nicht ratsam.
4. ArbeitsspeicherspannungEine volle Rambestückung ist aus folgenden Gründen nicht ratsam.
- Der Speichercontroler in der Cpu/Northbride hat mehr koordinationsarbeit zu leisten folge davon ist eine Temperaturerhöhung
- In den meisten Fällen laufen die Arbeitsspeicher nach einer vollbestückung nichtmehr mit Strafen Timings
- Wenn man 6 statt 3 Module verwendet ist die Chance ums doppelte erhöht ein sogenanntes "Montagsmodell" zu erwischen
4.2 Wann macht eine Spannungserhöhung Sinn
Eine Spannungserhöhung über die vom Hersteller angegebende Spezifikation (Arbeitsspeicher/Speichercontroler) ist für den Dauerbetrieb nicht ratsam! Beim kurzeitigen Benchen sieht die Sache etwas anders aus, bei Speichermodulen mit einer Standartspannung von 1,65 V macht eine kurzzeitige Spannungserhöhung auf 1,8 V Sinn die meisten Speichermodule skalieren aber sehr schlecht auf Spannung über 1,7 V. Ich von meiner Seite empfehle für Benchsessions ohne extreme Kühlmethoden keine Spannungserhöhung auf über 1,8 V.
5. Besonderheiten des 1366 Sockels
5.1 Uncore
Beim Arbeitsspeicher Overclocking ist darauf zu achten das der Uncoretakt mindest doppelt so hoch ist wie der effektive Speichertakt. Dies bedeutet das bei einem effektiven Speichertakt von 2000 Mhz der
Uncore mindestens 4000 betragen muss. Ein 4000er Uncore ist ohne QPI/VTT Spannungserhöhung nicht zu erreichen.
Richtlinien:
5.2 Speichercontroler
Bei 1366 er Prozessoren sitzt der Speichercontroler in der CPU, daher ist jeder Speichercontroler einzigartig. Desswegen versteift euch nicht drauf das bei euch die 4000 Mhz laufen nur weil sie bei jemand anders stabil zu betreiben sind.
6. Vorgehensweise beim Übertakten
Reines Arbeitsspeicher Overclocking bringt uns sehr wenig. Man macht es meist nur um einen höheren BCLK zu erreichen ohne den Ramteiler herrabzusetzen.
Nun ist das Overclocking in 2 vorgehensweisen zu unterteilen:
6.1 Ramtakt > Standdarttakt (Timmings erhöhen für Stabilität)
Man sollte zuerst schauen ob der Arbeitsspeicher auch mit einem hören Takt bei den selben Timmings stabil läuft. Wenn ja dann mit Punkt 6.2 fortfahren.
6.2 Ramtakt < Standarttakt (Timmings herrabsetzen für Performance)
7. Wie finde ich heraus, ob meine Einstellungen stabil sind
7.1 Programme
- Prime 95
- Everest
- Memtest
Vorgehensweise:
Ihr startet zuerst Prime95 wählt den Blend Test aus und startet ihn, nachdem ihr das erledigt habt drückt ihr Strg+Alt+Entf startet den Task Manager und geht auf Leistung. Nun seht ihr wieviel freier Physikalischer Arbeitsspeicher noch zur Verfügung steht. Ihr startet Memtest und gebt im oberen Auswahlfenster 1000 ein (das freeprogramm kann nur 1 GB testen) wenn ihr jetz immernoch mehr als 1 GB frei haben solltet startet ihr ein 2tes Memtest und gebt wieder 1 GB ein das Spiel macht ihr solange bis weniger als 1 GB Phsikalischer Speicher zur verfügung steht. Nun habt ihr weniger als 1 GB frei desswegen startet ihr Memtest und gebt diesmal nicht die 1000 ein, ihr drückt einfach nur auf Start und er testet den restlich verbleibenden freien Speicher. Memtest und Prime95 nun solange laufen lassen bis unter jedem Memtestfenster 100% + steht. Sollte keiner dieser Tests einen Fehler erzeugt haben scheinen eure Einstellungen stabil zu sein. Sollte es aber dennoch beim Spielen, Bildbearbeitung, Videoschnitt usw. zu fehlern kommen müsst ihr euch nochmal an die Timings setzen.
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