News Globalfoundries: Produktion in 14 nm soll angelaufen sein

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Auftragsfertiger Globalfoundries soll seine Chipfertigung in 14 Nanometer gestartet haben. Die Rede ist von einem "Ramp-up" auf Basis von Samsungs ersten 14-nm-Prozessen, die allerdings nur für Low-Power-Chips ausgelegt sind. Die Aussage stammt vom Inhaber Mubadala Development Co., Globalfoundries selbst äußerte sich noch nicht dazu.

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14 nm für Mobile Low-Power-Chips sind ja schön und gut, aber wo bleibt der 14 nm HPM-Prozess für die großen Chips (GPU und CPU)? :huh:
Davon würde vor allem die Effizienz in den großen Rechenzentren stark profitieren und es wäre auch wirtschaftlich rentabel, da die Server- und Profikarten sowieso schon im 3k-Eurobereich sind und sich die Investitionskosten schnell durch die eingesparte Energie wieder reinholen lassen. Deshalb werden ja auch viele dieser Zentren auf ARM umgerüstet wie z.B. auf die HP Moonshot-Server, weil die einfach Architekturbedingt wesentlich effizienter arbeiten und sich das Geld durch die Einsparung eben relativ schnell wieder reinholen lässt ;)
Mal gespannt wie lange wir noch darauf warten müssen, dass 14 nm bei CPU/GPUs Einzug halten, ich gehe aber frühestens von Mitte 2016 aus :)
 
14 nm für Mobile Low-Power-Chips sind ja schön und gut, aber wo bleibt der 14 nm HPM-Prozess für die großen Chips (GPU und CPU)? :huh:

Es ist doch selbstverständlich (und meines Wissens immer so gewesen), dass als erstes der Prozess für kleine Chips etabliert wird. Auf dessen Grundlage kann man dann weiteroptimieren, so dass irgendwann auch größere Chips wie CPUs oder GPUs möglich werden. Also bitte hier etwas Geduld haben :) Es war von vorneherein klar, dass nicht plötzlich wie aus dem nichts ein gut laufender 14nm-Prozess für CPUs und GPUs auftaucht, und ist insofern auch nicht verwunderlich.
 
Es ist doch selbstverständlich (und meines Wissens immer so gewesen), dass als erstes der Prozess für kleine Chips etabliert wird.

Nein, das stimmt nicht, bei AMD waren es immer AMDs High-End Desktop CPUs die als erste in einem neuen Fertigungsverfahren erschienen sind, bei GF war es auch noch länger so.

Auch TSMC hat lange Zeit high-end GPUs als erste Chips einer Fertigungstechnik hergestellt.

Der Grund dafür war das der Konkurrenzdruck in dem Bereich am größten war, das hat die Hersteller dazu animiert dort am meisten zu investieren. Erst seit wenigen Jahren zählt bei Mobil-SoCs nicht nur Preis/Leistung sondern auch Spitzenleistung.
 
Intel hat ja schon den 14 nm HPM Prozess bereit, siehe Broadwell, aber von GPUs hört man irgendwie nichts :(
TSMC hängt ja mit seiner Entwicklung im 14 nm Bereich hinterher und sie haben 20 nm Planar aufgrund von Produktionsschwierigkeiten komplett ausgelassen.
 
Bei den ganzen Vergleichen aber bitte bedenken, dass "14nm" bei Intel nichts mit "14nm" bei GloFo oder TSMC zu tun hat - erstens sind die tatsächlichen Strukturbreiten viel größer und zweitens bei jedem Hersteller anders - die Zahl vor dem NM ist so gesehen nur ein Marketingname (die "14nm" von Intel sind im Gate reale 70nm, die "14nm" von Samsung sind reale 84nm, nur als Beispiel, von "echten" 14nm sind wir Welten entfernt).
 
Bei den ganzen Vergleichen aber bitte bedenken, dass "14nm" bei Intel nichts mit "14nm" bei GloFo oder TSMC zu tun hat - erstens sind die tatsächlichen Strukturbreiten viel größer und zweitens bei jedem Hersteller anders - die Zahl vor dem NM ist so gesehen nur ein Marketingname (die "14nm" von Intel sind im Gate reale 70nm, die "14nm" von Samsung sind reale 84nm, nur als Beispiel, von "echten" 14nm sind wir Welten entfernt).

Das ist mir klar, wenn die Dinger so klein wären, würden die Elektronen ungehindert da rumspringen und der Chip wäre nur noch ein Widerstand ohne Funktion außer Wärme zu produzieren :ugly:
Wenn ich von 14 nm Rede meine ich einfach die Bezeichnung für den nächsten Shrink ;)
Mich würde ja vor allem ein Materialwechsel interessieren, aber ich glaube, dass wir uns erst in 10 Jahren vom Silizium verabschieden werden..
 
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Das ist mir klar, wenn die Dinger so klein wären, würden die Elektronen ungehindert da rumspringen und der Chip wäre nur noch ein Widerstand ohne Funktion außer Wärme zu produzieren :ugly:
Wenn ich von 14 nm Rede meine ich einfach die Bezeichnung für den nächsten Shrink ;)
Mich würde ja vor allem ein Materialwechsel interessieren, aber ich glaube, dass wir uns erst in 10 Jahren vom Silizium verabschieden werden..
Naja das deutsche Fraunhofer Institut (unteranderem für MP3 bekannt) arbeitet an Kohlenstoffbasierten Prozessoren.
 
Naja das deutsche Fraunhofer Institut (unteranderem für MP3 bekannt) arbeitet an Kohlenstoffbasierten Prozessoren.

Hab ich gelesen. Im Moment arbeiten sie noch an Graphen, allerdings weißt das so gut wie keine Bandlücke auf, was es für Nanotransistoren unbrauchbar macht. Eines dieser Forschungszentren ist ja in Frankfurt an der Oder, also ne knappe Stunde von mir entfernt :ugly: Die haben auch ein Patent auf einen Mikroprozessor auf Graphenbasis, soweit ich weiß ;)
Wesentlich geeigneter wäre Schwarzer Phosphor, da dieser eine Bandlücke aufweist (Ist quasi das eine atomlage Dicke Phosphor-Pendant zu Graphen). Wurde ja auch schon eine erfolgreich als Sender und Empfänger für FTTH-Signale getestet ;)
3 Milliarden Bits pro Sekunde: Schwarzer Phosphor ermöglicht Turbo-Internet | DEUTSCHE WIRTSCHAFTS NACHRICHTEN

hab dazu ja auch eine kleine Zusammenfassung geschrieben, die ich allerdings nochmal überarbeiten muss, aber das Abi geht im Moment vor :D
http://extreme.pcgameshardware.de/w...81910-von-schwarzem-phosphor-und-graphen.html
 
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Also verstehe ich richtig dass nur die Leiterbahnen 14nm breit sind, die Transistoren selbst aber um das Vielfache dicker sind, oder? :schief:
Naja Firmen spielen gerne mit Zahlen, um so besser sie sich anhören desto besser :rollen:

MfG Guru
 
Also verstehe ich richtig dass nur die Leiterbahnen 14nm breit sind, die Transistoren selbst aber um das Vielfache dicker sind, oder? :schief:
Naja Firmen spielen gerne mit Zahlen, um so besser sie sich anhören desto besser :rollen:

MfG Guru

Ganz genau so ist es leider. Die Transistoren an sich sind, wie IncAlk schon geschrieben hat, 70-84 nm groß ;)
 
Nicht mal die Leiterbahnen sind 14nm dick. Nichts an "14 nm" sind tatsächliche 14 nm - das ist wie gesagt ein reiner Marketingname. Sie könntens auch 3 nm nennen. :ka:

Das ganze war ja noch nicht immer so falsch - wo kommen den dann die großen Sprünge her? 0,18um hat ja z.b. eine Gatelänge von 200nm. Das ist ja nicht so weit von aktuellen Werten entfernt, wie das Effizienz und Packdichten plus vermuten lassen würde.
 
Die Abweichungen ergeben sich dadurch, dass bei fast jedem Shrink die echte Verdoppelung der Packungsdichte (also "nm / sqrt(2)") nicht ganz erreicht wurde bzw. gerundet wurde. Bei deinen 180nm (die schon echte 200 waren) wäre die verdoppelte Packungsdichte 127,28 nm - man hat 130 gewählt und die nicht ganz erreicht. So zieht sich das durch und der Fehler wird entsprechend immer größer - bei dem einen Hersteller mehr, bei dem anderen weniger (daher die Unterschiede zwischen den Herstellern).
 
Die Abweichungen ergeben sich dadurch, dass bei fast jedem Shrink die echte Verdoppelung der Packungsdichte (also "nm / sqrt(2)") nicht ganz erreicht wurde bzw. gerundet wurde. Bei deinen 180nm (die schon echte 200 waren) wäre die verdoppelte Packungsdichte 127,28 nm - man hat 130 gewählt und die nicht ganz erreicht. So zieht sich das durch und der Fehler wird entsprechend immer größer - bei dem einen Hersteller mehr, bei dem anderen weniger (daher die Unterschiede zwischen den Herstellern).

Ich find's ja schon gut, dass die 14 nm noch mit einer Lichtwellenlänge von 193 nm erreicht haben. Für kleinere Größen muss aber zwangsläufig auf die EUV Lithografie mit 13,5 nm Wellenlänge gesetzt werden, auch wenn so die Fertigung nur noch im Vakuum möglich ist, da sonst das Licht schon nach nur einem Zentimeter von der Luft absorbiert werden würde :ugly:
 
ist doch mal ne erfreuliche nachricht das sie es endlich irdentlich auf die reihe bekommen haben^^
nun hoffentlich so gegen ende 2015 oder anfanh 2016 gpus im shrink verfahren und ich bin zufrieden :D
 
Die Abweichungen ergeben sich dadurch, dass bei fast jedem Shrink die echte Verdoppelung der Packungsdichte (also "nm / sqrt(2)") nicht ganz erreicht wurde bzw. gerundet wurde. Bei deinen 180nm (die schon echte 200 waren) wäre die verdoppelte Packungsdichte 127,28 nm - man hat 130 gewählt und die nicht ganz erreicht. So zieht sich das durch und der Fehler wird entsprechend immer größer - bei dem einen Hersteller mehr, bei dem anderen weniger (daher die Unterschiede zwischen den Herstellern).

Klar, ich kann schon verstehen wies dazu kam. Aber 80 vs 200 nm ist nunmal nur nen unterschied von 2,5, also 6,25 mal kleiner.
Vergleicht man aber mal Chips, z.b. Hawaii mit 6,2Mrd Transistoren in "28"nm. Demnach müsste - sehr sehr grob - ein "180"nm chip mit der selben Fläche knap 1Mrd Transistoren haben, was absolut nicht hinhaut. ATis R360 hat nur 117Mio, in "150"nm wohlgemerkt. Gut, Hawaii ist wohl deutlich größer als der R360, aber doch nicht knapp eine Größenordnung. Der Vergleich ist natürlich nicht optimal, weil 28 vs 150, aber ich ich denke man sieht was ich meine. Irgendwo muss dieses Packdichten Plus ja herkommen
 
Klar, ich kann schon verstehen wies dazu kam. Aber 80 vs 200 nm ist nunmal nur nen unterschied von 2,5, also 6,25 mal kleiner.
Vergleicht man aber mal Chips, z.b. Hawaii mit 6,2Mrd Transistoren in "28"nm. Demnach müsste - sehr sehr grob - ein "180"nm chip mit der selben Fläche knap 1Mrd Transistoren haben, was absolut nicht hinhaut. ATis R360 hat nur 117Mio, in "150"nm wohlgemerkt. Gut, Hawaii ist wohl deutlich größer als der R360, aber doch nicht knapp eine Größenordnung. Der Vergleich ist natürlich nicht optimal, weil 28 vs 150, aber ich ich denke man sieht was ich meine. Irgendwo muss dieses Packdichten Plus ja herkommen

Die Chips bestehen ja nicht nur aus Transistoren, sondern auch aus Cache, Speicher-Controller, Command-Processor, etc. also kann man das nicht direkt vergleichen ;)
 
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