....90nm, 65nm, 45nm... wie lange geht das noch so weiter?

Wegen den verkleinerungen... Es von Intel eigentlich geplant noch mal eine verkleinerte version den C2D für 775 z.b. 45>40nm oder von 45>35nm raus zu bringen???
 
Schade eigentlich... also um dann was kleineres zu habe müßte ich dann umsteigen... wenn wir schon mal dabei sind von dem gibts dann ja auch unterschiedliche Sockel oder??? Lasst euch zeit mit antworten ich muß jetzt zur arbeit:(:(:(... danke im Vorraus...
 
Schade eigentlich... also um dann was kleineres zu habe müßte ich dann umsteigen... wenn wir schon mal dabei sind von dem gibts dann ja auch unterschiedliche Sockel oder??? Lasst euch zeit mit antworten ich muß jetzt zur arbeit:(:(:(... danke im Vorraus...

Für den Core i7 gibts einen neuen sokel, also müsstes du umsteigen.
ich glaube sokel 1377 oder so ähnlich war das. Das problem ist dann ja auch noch das man durch den integrierten speichercontroller an die teuren DDR3 speicher gebunden wird :(
 
Naja, der schritt von DDR2 auf DDR3 war absehbar. Neuer Speicher hat sich IMMER so durchgesetzt, dass erst übergangsboards kamen und dann kam eine neue Generation CPUs, die nur noch den neuen Speicher unterstützt hat.
Somit hatte ich fest damit gerechnet, dass die neuen CPUs nur noch DDR3 unterstützen.
 
Der Witz ist, dass die neuen CPUs den Speicher zwingend vorschreiben, bislang hing alles am Chipsatz - so dass man Core2 Prozessoren mit DDR1, DDR2 oder DDR3 kombinieren kann.
Geht bei Intel in Zukunft nicht mehr, AMD hats ja schon länger abgeschafft.

Die nächste Verkleinerung steht bei Intel wohl erst in über einem Jahr an, bis dahin ist So775 im Einsteigerbereich angesiedelt. Wäre also höchstens noch ein Celeron denkbar, die bei alter Technologie bleiben.

Core i7 Sockel wird der LGA1366. Für die Mittelklasse kommt in knapp einem Jahr noch der LGA1066 (Namensgebung der CPUs noch unbekannt)
 
Na toll, gibts dann für jeden Sektor nen eigenen Sockel, stellt euch bloß mal vor vom einstieg auf high end aufzurüsten. So eine S*****!
Immer ein neues Board.
Ich persöhnlich find es aber schade, dass es keine fsb 400 cpus mehr in den meanstreamsektor geschafft haben, denn qx9770 kann sich doch nur intel selbst leisten (kleine übertreibung:D).....
 
Also jetzt muß ich doch mal ganz groß Danke sagen... Alle sind hier nett freundlich und hilfsbereit:)... wenn man was fragt bekommt man gute und hilfreiche antworten:)... und was viel wichtiger ist: Es kommt kein: man bist du BLÖDE steht doch alles da und da... ließ doch mal... Wirklich sehr geil hier... :daumen::daumen::daumen: Weiter so...

Edit: HIER nochmal was zu dem Thema...
 
Zuletzt bearbeitet:
28nm steht für das 1.Quartal 2010 bei dem Auftragsfertiger TSMC an und es soll in zwei verschiedene Version gefertigt werden und zwar soll die High-k-Metal-Gate-Technologie (HKMG) oder Siliziumoxinitrid (SiON) zum Einsatz kommen.

Siehe die ganze News
 
28nm steht für das 1.Quartal 2010 bei dem Auftragsfertiger TSMC an und es soll in zwei verschiedene Version gefertigt werden und zwar soll die High-k-Metal-Gate-Technologie (HKMG) oder Siliziumoxinitrid (SiON) zum Einsatz kommen.

Siehe die ganze News

Den Artikel habe ich gestern auch gefunden... bin ja mal gespannt ob bisdahin ddr4 ram oder sowas am start ist...
 
Und dann steht auf PCGH.de:
"Ernüchterung: Keine Leistungssteigerung durch gddr4"
Und im Preisvergleich:
4 GB Modul gddr4 5000: 500 €

grüße, Railroads
 
Momentan haben wir 2 gewaltige Probleme:
a) Die Spannung geht einfach nicht unter 0,8V bei Siliziumbasierten Halbleitern
b) bis 22nm sind wir runter, danach wirds scho a bisserl pervers.

Wobei ich persönlich Punkt a) als gravierender erachte...
Auch die Leckströme werden ein immer größeres Problem bei Halbleitern...
 
Von a) habe ich noch nie was gehört und mir fällt auch kein Grund ein. Spannung braucht man nur, damit ein ausreichend starker Strom zum schalten weiterer Elemente fließt - selbst wenn bei 0,79999V gar nichts mehr fließen würde (was ich mir nicht erklären könnte), wäre das kein Problem. Schließlich geht es nur darum, den Stromfluß zu minimieren - niedrige Spannung ist nur Mittel zum Zweck.

Leckströme und Elektromigration sind da schon eher ein Thema...
(Wobei ich mich frage, ob mit zwar schmaleren, kompakteren Strukturen, aber gleichbleibender Gatelänge nicht weiterhin Fortschritte möglich wären, ohne dass die Leckströme ins unendliche wachsen)

felt free
 
Beschäftige dich mal mit Silizumbasierten Halbleitern, hier ist 'ne einfache Diode zum Beispiel nicht verkehrt, unter 0,7V passiert da garnichts, erst ab 0,7V passiert hier was.
 
Beschäftige dich mal mit Silizumbasierten Halbleitern, hier ist 'ne einfache Diode zum Beispiel nicht verkehrt, unter 0,7V passiert da garnichts, erst ab 0,7V passiert hier was.

JA, bei einem PN-Übergang, bei MOSFETs brauchst du nur 60mV oder so. Und unter 0,7 V passiert auch bein einer Diode was, es ist halt nur sehr sehr gering (habe da schon paar mal Messreiehen machen dürfen, ab ~0,5V ist da schon was nachzu weisen mit einem Multimeter (natürlich entsprechend empfindlich).

0,7 V ist die Flussspannung bei einem PN Übergang. FETs (Feld Effekt Transistoren) haben keinen PN-Übergang.:wall::wall::wall::wall::wall:;)

Bei Schottky-Dioden gehts übrigens mit einer Flussspannung von 0,2...0,3V los...
 
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