Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

[n3rd]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Hier noch ein Zitat von der 8auer:

Die viel genannte Elektromigration ist abhängig vom Strom und nicht der Spannung. Bei steigender Temperatur steigt durch den steigenden Widerstand auch der Strom -> Elektromigration wird stärker.

Durch die Spannung alleine passiert eigentlich so gut wie gar nichts.

Ich bezweifele, dass der Achti das so gesagt/gemeint hat! Dieses Zitat gilt leider nur in der e-Technik bis µm Bereich. Wir befinden uns aber bereits in nm-Bereich, wo ganz andere Gesetze gelten - Quantenphysik.
Wo man an einer Stelle pauschal sagen könnte, die Temperatur und Spannung könnte etwas zerstören, so gilt dieser Satz nur für ~µm Bereich. Das größte Problem in der HL-Technik (nebst der Lithographie, um kleinere
Strukturen abzubilden), sind Elekronenflüße und Effekte die dabei auftreten (für Bsp. kann man sich den Tunneleffekt und den (~) exponentiell steigenden Widerstand bei der Abnahme des Durchmessers eines Leiters angucken/
lesen). In µm Universum (10^1 Ångström) sind definitiv die Ströme, die Verheerende Auswirkung auf das Ableben eines Stücks Siliziums haben und nicht die Temperaturen. Die Temperatur hat in dieser Welt eine +/- vernachlässigbare Rolle. Klar wird bei einer hohen Temperatur X der HL abdanken - man muss sich aber an die Nase fassen und überlegen, ob die CPU schneller abraucht, wenn die Temperatur um 100% von 50 auf 100°C
erhöht wird oder wenn ich statt 1V mal kurzer Hand 2V anlege (auch bei sommerlichen -130°C unter LN)?!

 

[Intel4770K94]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Falsch.

Die viel genannte Elektromigration ist abhängig vom Strom und nicht der Spannung. Bei steigender Temperatur steigt durch den steigenden Widerstand auch der Strom -> Elektromigration wird stärker.

Durch die Spannung alleine passiert eigentlich so gut wie gar nichts.

Ihr scheitert ja schon an den Grundlagen bei stiegenden Widerstand würde der Strom sinken.^^ Aber da Halbleiter ein NTC Verhaltenhaben (Heißleiter) leiten sie im heißen Zustand besser --> Widerstand sinkt höherer Stromfluss....

Sicher passiert durch eine höhere Spannung was nähmlich das mehr Strom fließt^^ denn der Widerstand (ändert sich nur durch Frequenz und Temperatur) bleibt ja gleich wie mit niedrigerer Spannung

 

[skyhigh5]

Er hat von der 22nm Technologie gesprochen, denn ich habe mit ihm über sein OC Tutorial besprochen, da empfiehlt er 1,3 V maximal jedoch nicht für 24/7.

Seine Antwort war darauf einfach, dass man damit die Temperaturen, zuständig für die E-Migration, im Rahmen halten könnte.

Würde ich 2 V geben, wäre die Wärmeübertragung zwischen HT und Die schon am Ende, sprich CPU bzw Spawas überhitzen recht schnell.

Halte ich die CPU jedoch auf 50°C bei 2V, was ich auch nicht auf dauer geben würde, wären die Ströme wesentlich geringer, als bei 100°C.
Mal ganz abgesehen davon befindet sich Silizium bei 100°C in einem kritischen Zustand.



@Intel

Je höher die Temperatur, desto höher der Wiederstand, desto höher muss die elektrische Spannung um eine bestimmte Stromstärke durch einen el Leiter fließen zu lassen.


Bei steigendem Wiederstand sinkt sicher nicht der Strom...

 

[Incredible Alk]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Je höher die Temperatur, desto höher der Wiederstand

Das gilt für metallische Leiter bzw. idealisierte Schulphysik, NICHT für Halbleiter wie Silizium.

Aber nochmal: Das ist nicht das Kernthema dieses Threads.

 

[Noxxphox]

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Sieht mal vielversorechend aus^^
Bin mal gespannt

 

[Brehministrator]

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Hier noch ein Zitat von der 8auer:

Die viel genannte Elektromigration ist abhängig vom Strom und nicht der Spannung. Bei steigender Temperatur steigt durch den steigenden Widerstand auch der Strom -> Elektromigration wird stärker.

Durch die Spannung alleine passiert eigentlich so gut wie gar nichts.

Die Aussage enthält (mindestens) einen Fehler. Der Zusammenhang "Steigende Temperatur --> Steigender Widerstand" gilt nur in Metallen. Silicium ist ein Halbleiter, in Halbleitern gilt ganz generell "Steigende Temperatur --> Sinkender Widerstand", weil die Elektronen durch die größere thermische Energie die (schmale) Bandlücke des Halbleiters einfacher "überspringen" können, und so vom Valenz- ins Leitungsband gelangen können.

Natürlich führt letztlich der Strom und nicht die Spannung zur Elektromigration. Aber der Strom ist nun mal (bei konstantem Widerstand) linear von der Spannung abhängig. 10% mehr Spannung bedeutet automatisch 10% mehr Strom. Da durch diesen größeren Strom mehr Wärme entsteht, sinkt auch der Widerstand des Siliciums noch zusätzlich. Das heißt also potentiell, dass 10% mehr Spannung durch die höheren Temps sogar zu 20% größerer Stromdichte führen könnten.

Im Prinzip ist also beides gleich wichtig: Größere Spannung erhöht die Stromdichte. Größere Temperatur reduziert den Widerstand des Halbleiters und erhöht damit auch die Stromdichte. Also beides in Grenzen halten

Edit: Teilweise kam mir Incredible Alk nun schon zuvor.

 

[Intel4770K94]

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@Intel

Je höher die Temperatur, desto höher der Wiederstand, desto höher muss die elektrische Spannung um eine bestimmte Stromstärke durch einen el Leiter fließen zu lassen.


Bei steigendem Wiederstand sinkt sicher nicht der Strom...

Er behauptet tatsächlich noch das bei hohem wiederstand der Strom steigt.
Also laut deiner beschreibung wenn du bei einer Steckdose nichts angeschloßen hast sprich Unendlich Widerstand hast du Unendlich Stromfluss oder wie?? haha

 

[Oberst Klink]

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Ohja, wenn das Baby die 4GHz mitmacht, sind die 1000€ Anschaffungspreis auch in Ordnung. 8 Kerne, 4GHz, SMT, ich freu mich drauf

 

[Incredible Alk]

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Die 4 GHz hab ich eigentlich als Minimalziel angesehen

 

[Pu244]

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Das Außmaß der Elektromigration hängt sowohl von der Temperatur als auch von der Spannung ab (so weit ich mich erinnern kann beides im Quadrat). Das Problem ist das die absolute Temperatur in Kelvin gemeint ist und man so wenn es einem durch eine gute Wakü gelingt die Temperatur von 70°C auf 40°C zu senken man die Spannung um magere 10% Aufdrehen darf, wenn man das geiche Außmaß an Elektromigration haben will.

Sehr stark vereinfacht ausgedrückt hebt eine höhere Spannung die Atome etwas aus ihren Giutterplätzen, die höhere Spannung sorgt dafür das mehr Elektronen mit größerer Wucht auf die Atome prallen. Beides ist absolutes Gift für die CPU.

 

[Noxxphox]

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Haha ja ich hoffe eher auf so 4, 5ghz bei ner gutn wakü

 

[skyhigh5]

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Er behauptet tatsächlich noch das bei hohem wiederstand der Strom steigt.
Also laut deiner beschreibung wenn du bei einer Steckdose nichts angeschloßen hast sprich Unendlich Widerstand hast du Unendlich Stromfluss oder wie?? haha

Sorry falsch ausgedrückt.

Bei hohem wiederstand steigt die nötige Spannnung um den Strom zu transportieren.

 

[n3rd]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Die Aussage enthält (mindestens) einen Fehler. Der Zusammenhang "Steigende Temperatur --> Steigender Widerstand" gilt nur in Metallen. Silicium ist ein Halbleiter, in Halbleitern gilt ganz generell "Steigende Temperatur --> Sinkender Widerstand", weil die Elektronen durch die größere thermische Energie die (schmale) Bandlücke des Halbleiters einfacher "überspringen" können, und so vom Valenz- ins Leitungsband gelangen können.

Natürlich führt letztlich der Strom und nicht die Spannung zur Elektromigration. Aber der Strom ist nun mal (bei konstantem Widerstand) linear von der Spannung abhängig. 10% mehr Spannung bedeutet automatisch 10% mehr Strom. Da durch diesen größeren Strom mehr Wärme entsteht, sinkt auch der Widerstand des Siliciums noch zusätzlich. Das heißt also potentiell, dass 10% mehr Spannung durch die höheren Temps sogar zu 20% größerer Stromdichte führen könnten.

Im Prinzip ist also beides gleich wichtig: Größere Spannung erhöht die Stromdichte. Größere Temperatur reduziert den Widerstand des Halbleiters und erhöht damit auch die Stromdichte. Also beides in Grenzen halten

Edit: Teilweise kam mir Incredible Alk nun schon zuvor.

Das ist absolut richtig! Habe ganz vergessen, die Bandlücke zu erwähnen - Fermigas etc.. Du hast allerdings vergessen, dass wir über Nano-Strukturen sprechen. Hier gelten bereits andere Regeln für die Ströme (meine damit nicht die Elektronenübergänge!). Aufgrund des erhöhten Widerstandes, der der Abnahme des Leiterdurchmessers zu verdanken ist, hat die Temperatur keinen (marginalen) Einfluß auf die Reduktion des natürlichen Widerstandes
einer HL Struktur! Den Flaschenhals (und damit den Widerstand) bildet (mal bildlich ausgedrückt) die in die "Enge" gepressten Elektronen, die durch "Kollisionen" mit der Leitergrenzschicht den Widerstand erhöhen. In diesem Fall bring die erhöhte Temperatur und damit das "Drücken" der Elektronen auf ein höheres Niveau - nichts, da der limitierender Faktor ein anderer ist!

 

[Brehministrator]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Das ist absolut richtig! Habe ganz vergessen, die Bandlücke zu erwähnen - Fermigas etc.. Du hast allerdings vergessen, dass wir über Nano-Strukturen sprechen. Hier gelten bereits andere Regeln für die Ströme (meine damit nicht die Elektronenübergänge!). Aufgrund des erhöhten Widerstandes, der der Abnahme des Leiterdurchmessers zu verdanken ist, hat die Temperatur keinen (marginalen) Einfluß auf die Reduktion des natürlichen Widerstandes einer HL Struktur! Den Flaschenhals (und damit den Widerstand) bildet (mal bildlich ausgedrückt) die in die "Enge" gepressten Elektronen, die durch "Kollisionen" mit der Leitergrenzschicht den Widerstand erhöhen. In diesem Fall bring die erhöhte Temperatur und damit das "Drücken" der Elektronen auf ein höheres Niveau - nichts, da der limitierender Faktor ein anderer ist!

Das ist gut möglich, ich habe zugegebenermaßen nicht viel Ahnung von Halbleiter-Nanostrukturen, nur von Bulkphase halbwegs. Danke für die Aufklärung

 

[Gast1705317003]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

So wie es aussieht sind das Idel Temps mit 45 Grad.Wie schaut es aus wenn bei 2/4 oder gar die 8 Kerne mit SMT ausgelastet wird mit dem Temps?

Denn das ist doch wichtiger ob man das auch stabil unter diesen Bedingungen auch betreiben kann unter verschieden Kernauslastung bei

Overclocking.Ohne das sich das System in einem Backofen verwandelt,oder?

 

[Incredible Alk]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Die Idletemperaturen sind die ~30°C die bei "Min" stehen.

Es gibt zugegeben andere Benchmarks die deutlich mehr heizen als der Cinebench aber die ~50°C sind hier durchaus die Lasttemperaturen bei 8 Kernen + SMT (denn nur so gehen 1500 Punkte).

Vergleiche das bitte nicht mit den Mittelklasse-CPUs vom Sockel 1150. Die sind mit billiger Wärmeleitpaste unterm IHS schlecht kühlbar, diese High-End CPUs hier sind verlötet und es ist entsprechend viel einfacher, 150W von der CPU wegzuschaffen. Ein 4790K mit gleicher Abwärme (NICHT gleicher Takt!) wäre hier sicherlich den 80 oder gar 90°C nahe.

 

[d3rd3vil]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Da sind doch Maximalwerte, die gehen bis auf 55 Grad scheinbar während Cinebench?! Das ist ok....

 

[belle]

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Am besten finde ich, dass es in der neuen Generation mit dem 5820k endlich einen "billigen" 6-Kerner gibt...

EDIT:
@ Indcredible Alk
... von Intel.

 

[Gast1705317003]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Hab mal einen Link gefunden wo es auf 6,2 GHz overclockt würde mit LN2(Flüssigstickstoff) gekühlt.Scheint sich gut übertakten zu lassen wenn man die Kühlung berücksichtigt.

Intel's Core i7-5960X Haswell-E pushed to 6.2GHz - Intel - News : ocaholic

 

[Incredible Alk]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Am besten finde ich, dass es in der neuen Generation mit dem 5820k endlich einen "billigen" 6-Kerner gibt...

Den gibts doch seit Jahren von AMD!

Sorry bitte nehmt das nicht ernst aber die Vorlage konnte ich einfach nicht auslassen.



@brex: Das hilft wenig wenn er nur 2 Kerne ohne SMT dabei aktiviert.^^
Da hätter auch nen i3 nehmen können