Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

[True Monkey]

AW: Intel Haswell-E: Engineering Sample eines Core i7-5960X auf 4,0 GHz übertaktet

Erste ln2 Ergebnisse von loopy83

 

[Threshold]

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Sieht schon mal nicht schlecht aus.
Mal sehen was der 5960X unter normalen Bedingungen schafft.

 

[Manni75]

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http://www.3dnews.ru/900911/page-2.html

 

[Threshold]

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gibt es das auch in hebräisch?

 

[Incredible Alk]

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Erste ln2 Ergebnisse von loopy83

Sieht ganz gut aus - interessant dass er mit dem 125er Strap arbeitet statt nur den Multi hochzufahren.

 

[der8auer]

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Ich bezweifele, dass der Achti das so gesagt/gemeint hat! Dieses Zitat gilt leider nur in der e-Technik bis µm Bereich. Wir befinden uns aber bereits in nm-Bereich, wo ganz andere Gesetze gelten - Quantenphysik.
Wo man an einer Stelle pauschal sagen könnte, die Temperatur und Spannung könnte etwas zerstören, so gilt dieser Satz nur für ~µm Bereich. Das größte Problem in der HL-Technik (nebst der Lithographie, um kleinere
Strukturen abzubilden), sind Elekronenflüße und Effekte die dabei auftreten (für Bsp. kann man sich den Tunneleffekt und den (~) exponentiell steigenden Widerstand bei der Abnahme des Durchmessers eines Leiters angucken/
lesen). In µm Universum (10^1 Ångström) sind definitiv die Ströme, die Verheerende Auswirkung auf das Ableben eines Stücks Siliziums haben und nicht die Temperaturen. Die Temperatur hat in dieser Welt eine +/- vernachlässigbare Rolle. Klar wird bei einer hohen Temperatur X der HL abdanken - man muss sich aber an die Nase fassen und überlegen, ob die CPU schneller abraucht, wenn die Temperatur um 100% von 50 auf 100°C
erhöht wird oder wenn ich statt 1V mal kurzer Hand 2V anlege (auch bei sommerlichen -130°C unter LN)?!

Das Zitat ist leider aus dem Zusammenhang gerissen. Bei der eigentlichen Diskussion ging es vor allem um das plötzliche Ableben und nicht nur um Langzeitschäden. Der plötzliche Tod bei extreme OC wird in vielen Fällen durch hohe Temperaturen verursacht wobei Silicium ja vom Halbleiter praktisch zum Leiter wird. Aber dir brauch ich das ja nicht erklären

Die Aussage enthält (mindestens) einen Fehler. Der Zusammenhang "Steigende Temperatur --> Steigender Widerstand" gilt nur in Metallen. Silicium ist ein Halbleiter, in Halbleitern gilt ganz generell "Steigende Temperatur --> Sinkender Widerstand", weil die Elektronen durch die größere thermische Energie die (schmale) Bandlücke des Halbleiters einfacher "überspringen" können, und so vom Valenz- ins Leitungsband gelangen können.

Natürlich führt letztlich der Strom und nicht die Spannung zur Elektromigration. Aber der Strom ist nun mal (bei konstantem Widerstand) linear von der Spannung abhängig. 10% mehr Spannung bedeutet automatisch 10% mehr Strom. Da durch diesen größeren Strom mehr Wärme entsteht, sinkt auch der Widerstand des Siliciums noch zusätzlich. Das heißt also potentiell, dass 10% mehr Spannung durch die höheren Temps sogar zu 20% größerer Stromdichte führen könnten.

Im Prinzip ist also beides gleich wichtig: Größere Spannung erhöht die Stromdichte. Größere Temperatur reduziert den Widerstand des Halbleiters und erhöht damit auch die Stromdichte. Also beides in Grenzen halten

Edit: Teilweise kam mir Incredible Alk nun schon zuvor.

In der Aussage wurden Kupferleiterbahnen diskutiert und keine Transistoren. Die Transistoren, Kondensatoren usw. sind aus dotiertem Silicium, aber alle Verbindungen im Regelfall aus Kupferleiterbahnen. Es ging weiter um große Temperaturdifferenzen und dadurch ist der Widerstand auch nicht konstant. Das siehst du ganz einfach wenn du die CPU bei fixiertem Takt und fixierter Spannung betreibst und dann die Temperatur z.B. von 30°C auf 80°C erhöhst. Dann steigt der Verbrauch mal eben z.B. um 20 Watt. Darum ging es Immer schwierig wenn der eigentliche Kontext fehlt.

 

[n3rd]

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Das Zitat ist leider aus dem Zusammenhang gerissen.

Das meinte ich mit: "Ich bezweifele, dass der Achti das so gesagt/gemeint hat! ". Mal wieder ein
Fall von: Er hat gesagt - ich habe es nicht verstanden - aber er hat recht.

 

[seppo1887]

Mor würde ja eher ein 4 Kerner mot 4,5GHz Grundtakt mehr gefallen hört sich nir nicht so geil an.

 

[skyhigh5]

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Das meinte ich mit: "Ich bezweifele, dass der Achti das so gesagt/gemeint hat! ". Mal wieder ein
Fall von: Er hat gesagt - ich habe es nicht verstanden - aber er hat recht.

Klar habe ich verstanden was er gesagt hat, ich kann aber nur das sagen was er gesagt hat, so lernt man im Leben nun mal.

Villeicht bist du ein Wunderkind und hast schon von Geburt an alles gewusst.

Meinen größten Respekt an dich!

 

[n3rd]

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Klar habe ich verstanden was er gesagt hat, ich kann aber nur das sagen was er gesagt hat, so lernt man im Leben nun mal.

Villeicht bist du ein Wunderkind und hast schon von Geburt an alles gewusst.

Meinen größten Respekt an dich!

Danke für den Respekt, bin aber def. kein Wunderkind! Mit dem Satz, den du als Zitat von mir übernommen hast,
wollte ich dich weder erzürnen, noch im schlechten Licht stehen lassen. Das Thema ist def. nicht für Jedermann
(auch mir steigt vieles über den Kopf). Das du aber nicht vollkommen das Besprochene mit Achti verstanden hast
ist eine eindeutige Tatsache, sonst würde er ja nicht schreiben (siehe Post #106) : "Das Zitat ist leider aus dem
Zusammenhang gerissen."

Lg. n3rd

 

[skyhigh5]

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Das Gespräch wurde über die maximale alltagstaugliche Spannung eines Haswell Prozessors geführt, weshalb ich davon ausgegangen bin, dass wir über Silizium und dessen Probleme die bei hohen Temperaturen sowie Spannungen enstehen.

Das der 8auer damit die Kupferleitungen meint, war mir nicht bewusst.

 

[n3rd]

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Da jetzt alles aufgeklärt ist, kann man getrost das Thema fallen lassen.
Man kann aber daraus was lernen:
1) Kommunikation ist schwer.
2) Man sollte alles hinterfragen und mehrere Quellen heranziehen.