News TSMC will mit 3 nm 2022 in die Volumenfertigung

Wie genau willst du das normen?

Es gab lange Zeit ein Konsortium der Industrie, das hat die Bezeichnungen einfach festgelegt und jeder hat sich dran gehalten. Fertig. Letztendlich laufen sowieso große Teile der Forschung parallel und zum Teil sogar in verschiedenen Firmen, sodass irgendwann zu Anfang irgendwer die Zielparameter für den nächsten Node definieren muss. Das kann man auch gleich branchenweit machen – wenn man Interesse an ehrlichen/vergleichbaren Angaben hat und sich auch daran halten will. Aber darauf scheinen die Foundrys genauso wenig bedacht zu sein, wie zum Beispiel Autohersteller keinen einheitlichen und praxisnahen Verbrauchsangaben wünschen.


Indem die Hersteller Bezeichnungen verwenden, die den tatsächlichen physikalischen Größen entsprechen.

Jeder Hersteller verwendet andere Methoden, um eine effektive Reduktion der Schaltungsfläche zu erreichen. Zum Teil können diese konterintuitiv sein, Intel hat bei 10 nm+ wohl den Finpitch vergrößert, um den Platzbedarf zur reduzieren. Es gibt also weder einen physikalischen Parameter, der herstellerübergreifend in einem sinnvollen Verhältniss zu den Praxiseigenschaften steht, noch wollen die Hersteller überhaupt über ihre Tricks offen auf den Tisch legen. Erst recht nicht Jahre im voraus, wenn erstmals von neuen Fertigungsgenerationen die Rede ist. Als Alternative hat Intel mal eine Bennung nach den resultierenden Eigenschaften vorgeschlagen in Form des Platzverbrauches für eine typische Schaltung. Tatsächlich war das eine gute Idee, aber natürlich hat Intel das in einem Moment gemacht als sie einen echten Vorteil hatten und ebenso natürlich haben alle anderen, deren Schwächen so deutlich geworden wären, den Vorschlag ignoriert. Und heute verzichtet aus nachvollziehbaren Gründen auch Intel auf Angaben in entsprechender Metrik. :-)
 
Es gab lange Zeit ein Konsortium der Industrie, das hat die Bezeichnungen einfach festgelegt und jeder hat sich dran gehalten.
Das kann so aber nicht sinnvoll festgelegt werden.

Man könnte die Transistorendichte zwar festlegen, aber ist gibt ja noch andere Parameter wie zb. die erforderliche Mindestspannung.
 
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