i7 5820k OC
- Ersteller CL90
- Erstellt am
JanJake
BIOS-Overclocker(in)
Danke! Genau das gemacht, 3200 laufen mit den angegebenen timings vom Speicher!
Läuft auch alles, nur 1T will er nicht. Aber das ist jetzt auch egal.
Lasse die CPU bei 4,2 laufen vielleicht teste ich auch noch 4,3 und lasse die so.
Unterschied ist kaum zu merken selbst in Benchmarks ist das nicht viel.
Dafür läuft die CPU kühler und hält länger bei weniger Spannung
Läuft auch alles, nur 1T will er nicht. Aber das ist jetzt auch egal.
Lasse die CPU bei 4,2 laufen vielleicht teste ich auch noch 4,3 und lasse die so.
Unterschied ist kaum zu merken selbst in Benchmarks ist das nicht viel.
Dafür läuft die CPU kühler und hält länger bei weniger Spannung
dEfAuLtk2k
PC-Selbstbauer(in)
Hallo. Wie viel Spannung kann ich für kurze Zeit ohne Risiko anlegen um den Chip zu benchen? Sofern die Kühlung kein Problem ist.
Mehr wie 1.4 hab ich mich bislang nicht getraut.
Mehr wie 1.4 hab ich mich bislang nicht getraut.
_P5ych0_
Komplett-PC-Aufrüster(in)
Wenn die cpu skaliert kannst auch mal 1.55v geben, aber immer auf die Kühlung achten.
Mit Luftkühlung kannst du bei nem 6 Kerner aber nicht mehr viel holen
Cheers...
dEfAuLtk2k
PC-Selbstbauer(in)
Wenn die cpu skaliert kannst auch mal 1.55v geben, aber immer auf die Kühlung achten.
Mit Luftkühlung kannst du bei nem 6 Kerner aber nicht mehr viel holen
Cheers...
Ui 1.55? Und da besteht kein Risiko das es Puff macht?
Gekühlt wird mit Wasser.
streetjumper16
PCGHX-HWbot-Member (m/w)
Hab mir nun auch eine Perle geschossen - 4,5Ghz 1,117V/4,7Ghz 1,173V 
Nach laaanger Zeit wird der nun meine Sandy ablösen!
Da es mein erster 2011er ist gleich paar Fragen..
Maximale Temperatur in Prime95 & Alltag/Gaming ?
Maximale Spannung unter einer H115i ?
Was ist Cache OC ?? Gab es ja bei Sandy nicht
Danke schonmal
Nach laaanger Zeit wird der nun meine Sandy ablösen!
Da es mein erster 2011er ist gleich paar Fragen..
Maximale Temperatur in Prime95 & Alltag/Gaming ?
Maximale Spannung unter einer H115i ?
Was ist Cache OC ?? Gab es ja bei Sandy nicht
Danke schonmal
streetjumper16
PCGHX-HWbot-Member (m/w)
Pretested
_P5ych0_
Komplett-PC-Aufrüster(in)
Es wird nicht puff machen wenn du damit benchst.
Zu hohe Temperaturen sind schädlicher für die CPU als hohe vCore.
In anderen Bereichen solltest du mit Spannung aber sehr sorgfältig umgehen... system agent, vccio ....
Hier im Thread hatte einer mal 1.5v dem System agent gegeben und Prime angeworfen . ergo... cpu tot
Nur ein Beispiel
Cheers...
Zuletzt bearbeitet:
JanJake
BIOS-Overclocker(in)
Genau anders herum. Zu hohe Vcore ist der Tot für die CPU wohin gegen die Temperatur fast egal ist.
Eine Spannung von 1,4V ist bei 90° fast genauso Material fressend wie bei 20°.
Das eine CPU im laufe der Zeit mehr Spannung brauch, hängt nämlich genau damit zusammen, das eben der Verschleiß in der CPU ansteigt und die Leiterbahnen zunehmend geschädigt werden. Mehr wiederstand -> mehr Strom wird benötigt um durch zu kommen. Dabei ist es der CPU fast egal bei welcher Temperatur sie läuft.
Eine CPU mit 1,4V und 20° wird deutlich früher aufgeben als eine CPU mit 1,2V und 100°.
_P5ych0_
Komplett-PC-Aufrüster(in)
Dem muss ich dir leider wiedersprechen
Je höher die Temperatur umso höher wird der Wiederstand in den Leiterbahnen weil die einzelnen Atome mehr schwingen--->dadurch entstehen größere Leckströme was wiederum zur Folge hat das mehr Leistung gebraucht wird um die anliegende Spannung konstand zu halten--->CPU wird noch wärmer....
Eine hohe Spannung wird die Degeneration einer CPU begünstigen, keine Frage jedoch wenn die Temperatur dabei weit unten ist macht es der CPU nicht so viel aus als wenn Sie dauerhaft zu heis wird.
Wenn es so wäre wie du sagts dann bräuchte man ja auch keine verbesserten Kühlmethoden um höher zu Übertakten
JanJake
BIOS-Overclocker(in)
Dem muss ich dir leider wiedersprechen
Je höher die Temperatur umso höher wird der Wiederstand in den Leiterbahnen weil die einzelnen Atome mehr schwingen--->dadurch entstehen größere Leckströme was wiederum zur Folge hat das mehr Leistung gebraucht wird um die anliegende Spannung konstand zu halten--->CPU wird noch wärmer....
Eine hohe Spannung wird die Degeneration einer CPU begünstigen, keine Frage jedoch wenn die Temperatur dabei weit unten ist macht es der CPU nicht so viel aus als wenn Sie dauerhaft zu heis wird.
Wenn es so wäre wie du sagts dann bräuchte man ja auch keine verbesserten Kühlmethoden um höher zu Übertakten
Wir sind hier bei Halbleitern, da steigt der Widerstand nicht bei höheren Temperaturen sondern er singt ab! Je wärmer eine CPU ist desto besser leitet sie. Um so Kühler eine CPU ist, um so schlechter leitet sie.
Und genau deswegen ist es auch so wie ich schrieb
_P5ych0_
Komplett-PC-Aufrüster(in)
Aha...interessant.Wir sind hier bei Halbleitern, da steigt der Widerstand nicht bei höheren Temperaturen sondern er singt ab! Je wärmer eine CPU ist desto besser leitet sie. Um so Kühler eine CPU ist, um so schlechter leitet sie.
Und genau deswegen ist es auch so wie ich schrieb
Was verbindet denn die einzelnen Transistoren in der CPU ?
Es ist sicher kein Silizium....
Würde ja bedeuten, je heiser die CPU ist umso besser lässt sie sich takten...:O
Am besten du schaust dir mal paar Videos bei YouTube über die Herstellung von Halbleitern an oder fragst nochmal jemanden der es weis.
Cheers...
Zuletzt bearbeitet:
General Quicksilver
Freizeitschrauber(in)
Es gibt eine Vielzahl an Sachädigungsmechanismen innerhalb der CPU, die Elektromigration ist nur einer davon. Ein 2. auf dem ich immer gerne herumreite ist TDDB, dabei versagt die Isolationsschicht zwischen Gate und Substrat (und damit letzlich zwischen der Gateelektrode und den anderen Elektroden des FETs), wodurch der Feldefekttransistor zerstört wird. Daneben gibt es noch zahlreiche weitere Schädigungsmechanismen.
Die Elektromigration steigt in der Form einer n-ten Potenzfunktion mit der fließenden Stromstärke an, wobei je nach verursachender Schädigung für n Werte zwischen 1 und 7 eingesetzt werden können ( Blacksche Gleichung – Wikipedia ), wobei meistens 2 angenommen wird. Außerdem steigt die Elektromigration expotentiell mit der Temperatur an, wobei der Anstieg aber einmal von der Absoluttemperatur abhängt und dann von der angenommenen Aktivierungsenergie. Wichtig bei der Berechnung ist aber, das die Aktivierungsenergie in der passenden maßeinheit eingesezt wird, also in der Regel in eV (Elektronenvolt), da sonst völlig falsche Werte herauskommn (wie das die Temperatur keinen Einfluss hätte). Außerdem muss aber bedacht werden, dass mit steigender Temperatur die Leckströme ansteigen, wodurch ebenfalls die Stromdichte entsprechend erhöht wird und das wiederum quadratisch in das Endergebnis eingeht.
Aber nun zum TDDB: die Geschwindigkeit mit der eine anliegende Spannung das Gateoxid schädigt steigt mit der 40. (!!!) Potenz zur Spannung an, aber 30°C Temperaturunterschied nur eine Änderung um den Faktor 10 bedeuten.
Im Beispiel würde unter der vereinfachten Annahme das Vcc gleich der Spannung über dem Gateoxid entspricht bedeuten, das 1,4V die Schädigung im Vergleich zu 1,2V um das ~476,29-fache beschleunigen, wohingegen die 80°C Temperaturunterschied etwa einen Unterschied um den Faktor ~464,16 bedeuten würden.
Feldeffekttransistoren haben, obwohl sie aus Halbleitern bestehen, übrigens einen positiven Temperaturkoeffizienten, also sie leiten bei höheren Temperaturen den Strom schlechter. das ist so, weil die die Leitung innerhalb des FETs durch die erhöhten Gitterschwingungen beeinträchtigt wird, und nicht von der gesteigerten Eigenleitung des Halbleiters profitiert. Das ist so, weil in FETs entsprechend des Typs (entweder N-Kanal oder P-Kanal) immer nur eine Sorte von Ladungsträgern zu Leitung des Stromes dient und die thermisch erzeugeten zusätzlichen Ladungsträger ja aus beiden Sorten bestehen. Da ja der Halbleiter nach außenhin durch die Eigentleitung ja ohne externe Spannung neutral bleibt, entstehen im Mittel ja nun genau gleichviele ladungsträger von beiden Sorten, wodurch sich deren Efekt hier gerade aufhebt. Im Vergleich ist das bei Bipolartransistoren nicht so, da dort beide Ladungsträgersorten innerhalb eines Transisors zur Leitung bei tragen.
Maßgeblich trägt zu den gesteigerten Leckströmen die durch die erhöhte Temperatur gesteigerte Leitfähigkeit der Halbleiter bei. Der erhöhte Leiterwiderbahnwiderstand und damit der erhöhte Spannungsabfall sollte hier zwar auch einen weiteren Teil dazubeitragen, aber dieer sollte eher geringer ausfallen.
Ich hoffe, ich konnte hier das etwas nerklären.
Die Elektromigration steigt in der Form einer n-ten Potenzfunktion mit der fließenden Stromstärke an, wobei je nach verursachender Schädigung für n Werte zwischen 1 und 7 eingesetzt werden können ( Blacksche Gleichung – Wikipedia ), wobei meistens 2 angenommen wird. Außerdem steigt die Elektromigration expotentiell mit der Temperatur an, wobei der Anstieg aber einmal von der Absoluttemperatur abhängt und dann von der angenommenen Aktivierungsenergie. Wichtig bei der Berechnung ist aber, das die Aktivierungsenergie in der passenden maßeinheit eingesezt wird, also in der Regel in eV (Elektronenvolt), da sonst völlig falsche Werte herauskommn (wie das die Temperatur keinen Einfluss hätte). Außerdem muss aber bedacht werden, dass mit steigender Temperatur die Leckströme ansteigen, wodurch ebenfalls die Stromdichte entsprechend erhöht wird und das wiederum quadratisch in das Endergebnis eingeht.
Aber nun zum TDDB: die Geschwindigkeit mit der eine anliegende Spannung das Gateoxid schädigt steigt mit der 40. (!!!) Potenz zur Spannung an, aber 30°C Temperaturunterschied nur eine Änderung um den Faktor 10 bedeuten.
Im Beispiel würde unter der vereinfachten Annahme das Vcc gleich der Spannung über dem Gateoxid entspricht bedeuten, das 1,4V die Schädigung im Vergleich zu 1,2V um das ~476,29-fache beschleunigen, wohingegen die 80°C Temperaturunterschied etwa einen Unterschied um den Faktor ~464,16 bedeuten würden.
Feldeffekttransistoren haben, obwohl sie aus Halbleitern bestehen, übrigens einen positiven Temperaturkoeffizienten, also sie leiten bei höheren Temperaturen den Strom schlechter. das ist so, weil die die Leitung innerhalb des FETs durch die erhöhten Gitterschwingungen beeinträchtigt wird, und nicht von der gesteigerten Eigenleitung des Halbleiters profitiert. Das ist so, weil in FETs entsprechend des Typs (entweder N-Kanal oder P-Kanal) immer nur eine Sorte von Ladungsträgern zu Leitung des Stromes dient und die thermisch erzeugeten zusätzlichen Ladungsträger ja aus beiden Sorten bestehen. Da ja der Halbleiter nach außenhin durch die Eigentleitung ja ohne externe Spannung neutral bleibt, entstehen im Mittel ja nun genau gleichviele ladungsträger von beiden Sorten, wodurch sich deren Efekt hier gerade aufhebt. Im Vergleich ist das bei Bipolartransistoren nicht so, da dort beide Ladungsträgersorten innerhalb eines Transisors zur Leitung bei tragen.
Maßgeblich trägt zu den gesteigerten Leckströmen die durch die erhöhte Temperatur gesteigerte Leitfähigkeit der Halbleiter bei. Der erhöhte Leiterwiderbahnwiderstand und damit der erhöhte Spannungsabfall sollte hier zwar auch einen weiteren Teil dazubeitragen, aber dieer sollte eher geringer ausfallen.
Ich hoffe, ich konnte hier das etwas nerklären.
Meroveus
Software-Overclocker(in)
Dafür wirst du in den 125er Strap wechseln müssen (eigentlich schon oberhalb von 2666 MHz) Haswell-E: Das Mysterium der DDR4-Taktfrequenzen - Hardwareluxx. Was du mit der übertaktbarkeit meinst, verstehe ich nicht ganz
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