Rhino_Cracker
Komplett-PC-Käufer(in)
Hi all, ich versuche derzeit ein passendes Mainboard für mich zu finden,
vergleiche dabei gerade ein Gigabyte mit einem MSI im unteren X570-Preissegment
und versuche da, die Spannungswandler der Boards miteinander zu vergleichen.
Beim Gigabyte-Board steht auf der PCGH-Preisvergleichs-Seite:
"VRM: 7 reale Phasen (6+1), PWM-Controller: ISL69138 (max. 7 Phasen) • MOSFETs CPU: 12x 50A SIC634 • MOSFETs SoC: 4x 46A 4C10N/4C06N"
Beim MSI-Board:
"VRM: 6 reale Phasen (4+2), PWM-Controller: IR35201 (max. 8 Phasen) • MOSFETs CPU: 8x 46A 4C029N/4C024N • MOSFETs SoC: 2x 46A 4C029N/4C024N"
Frage 1: Verstehe ich es die Konfigurationen richtig, dass
- beim Gigabyte-Board vom PWM-Controller 6 Outputs zunächst verdoppelt werden und dann auf 12 Mosfets gehen, die dann die CPU versorgen,
- der verbleibende 7. PWM-Output 2 mal verdoppelt wird (3 Verdoppler oder ein Vervierfacher) und dann über die SoC-Mosfets RAM und weitere Teile auf dem Board versorgen
- und beim MSI-Board 4 PWM-Controller-Outputs verdoppelt werden und auf 8 CPU-Mosfets gehen,
- die verbleibenden 2 PWM-Outputs nicht verdoppelt werden, sondern direkt zu 2 SoC-Mosfets gehen (für Ram und Komponenten)?
Frage 2: Verstehe ich das richtig, dass MSI für Highside 4C029N und für Lowside 4C024N Mosfets verwendet? (Für CPU und Ram+X die selben?)
Und Gigabyte für Highside und Lowside beim CPU die selben (SIC634), aber dafür bei Ram+X für unterschiedliche?
Ich finde zu den Mosfets 3 Datenblätter:
- Gigabyte-CPU-Mosfet: https://www.vishay.com/docs/76784/sic634.pdf
- MSI-Highside-Mosfet: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTMFS4C029N-D.PDF
- MSI-Lowside-Mosfet: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTMFS4C024N-D.PDF
Beim dem vom Gigabyte-Board finde ich eine schöne Effizienz-Ausgangsstrum-Kurve (Fig. 6);
beim MSI-Mosfet finde ich nichts dergleichen, nur in der Maximum-Ratings-tabelle ein paar P_D-Werte, aus denen ich nicht so ganz schlau werde.
Frage 3: Wie kann ich denn bei den Mopsfets auf dem MSI-Board auf die Effizienz/Abwärme (In Abhängigkeit des Ausgangsstromes) schließen?
Frage 4: Sehe ich es richtig, dass anhand der Effizienz-Ausgangsstrom-Kurve der von Gigabyte verwendeten Mosfets ein Betrieb am effizientesten wäre, bei dem ich z.B. nur eine CPU-Phase auf 10A Output verwende (1V, 10A, 10Watt, kann das ein Ryzen im Idle?), dabei bei ca. 90% Effizienz bin, also 10% = 1 Watt Wandler-Verlustleistung habe?
Und diese dann vermutlich auch locker passiv von nur einem Mosfet erzeugt abführen kann?
Grüße und schönen Sonntag,
Rhino
vergleiche dabei gerade ein Gigabyte mit einem MSI im unteren X570-Preissegment
und versuche da, die Spannungswandler der Boards miteinander zu vergleichen.
Beim Gigabyte-Board steht auf der PCGH-Preisvergleichs-Seite:
"VRM: 7 reale Phasen (6+1), PWM-Controller: ISL69138 (max. 7 Phasen) • MOSFETs CPU: 12x 50A SIC634 • MOSFETs SoC: 4x 46A 4C10N/4C06N"
Beim MSI-Board:
"VRM: 6 reale Phasen (4+2), PWM-Controller: IR35201 (max. 8 Phasen) • MOSFETs CPU: 8x 46A 4C029N/4C024N • MOSFETs SoC: 2x 46A 4C029N/4C024N"
Frage 1: Verstehe ich es die Konfigurationen richtig, dass
- beim Gigabyte-Board vom PWM-Controller 6 Outputs zunächst verdoppelt werden und dann auf 12 Mosfets gehen, die dann die CPU versorgen,
- der verbleibende 7. PWM-Output 2 mal verdoppelt wird (3 Verdoppler oder ein Vervierfacher) und dann über die SoC-Mosfets RAM und weitere Teile auf dem Board versorgen
- und beim MSI-Board 4 PWM-Controller-Outputs verdoppelt werden und auf 8 CPU-Mosfets gehen,
- die verbleibenden 2 PWM-Outputs nicht verdoppelt werden, sondern direkt zu 2 SoC-Mosfets gehen (für Ram und Komponenten)?
Frage 2: Verstehe ich das richtig, dass MSI für Highside 4C029N und für Lowside 4C024N Mosfets verwendet? (Für CPU und Ram+X die selben?)
Und Gigabyte für Highside und Lowside beim CPU die selben (SIC634), aber dafür bei Ram+X für unterschiedliche?
Ich finde zu den Mosfets 3 Datenblätter:
- Gigabyte-CPU-Mosfet: https://www.vishay.com/docs/76784/sic634.pdf
- MSI-Highside-Mosfet: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTMFS4C029N-D.PDF
- MSI-Lowside-Mosfet: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTMFS4C024N-D.PDF
Beim dem vom Gigabyte-Board finde ich eine schöne Effizienz-Ausgangsstrum-Kurve (Fig. 6);
beim MSI-Mosfet finde ich nichts dergleichen, nur in der Maximum-Ratings-tabelle ein paar P_D-Werte, aus denen ich nicht so ganz schlau werde.
Frage 3: Wie kann ich denn bei den Mopsfets auf dem MSI-Board auf die Effizienz/Abwärme (In Abhängigkeit des Ausgangsstromes) schließen?
Frage 4: Sehe ich es richtig, dass anhand der Effizienz-Ausgangsstrom-Kurve der von Gigabyte verwendeten Mosfets ein Betrieb am effizientesten wäre, bei dem ich z.B. nur eine CPU-Phase auf 10A Output verwende (1V, 10A, 10Watt, kann das ein Ryzen im Idle?), dabei bei ca. 90% Effizienz bin, also 10% = 1 Watt Wandler-Verlustleistung habe?
Und diese dann vermutlich auch locker passiv von nur einem Mosfet erzeugt abführen kann?
Grüße und schönen Sonntag,
Rhino