TSMC: 5-nm-Risikproduktion läuft bereits, Tools für Partner sind fertig

[Rollora]

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Ein ganz schön großer Schritt nach vorne. Das sieht man mal, was EUV bringt. Hat ja lange gebraucht, bis man den Prozess mit allem Drum und Dran fertig hatte.
Eine 3 nm-Fertigung dürfte dann mit EUV kein so riesiges Hindernis mehr sein. Mal schauen, wie viele Technologienodes darüber hinaus noch kommen werden, bis man am Siliziumlimit ist...

Richtig. 3nm ist übrigens mit Intels 7nm Prozess vergleichbar. Die Namen sind hier also schon sehr "verschoben".

Das bedeutet, dass der Prozess noch in einer frühen Entwicklungsphase ist und noch nicht 100% sauber läuft, weshalb mit größeren Ausfallraten zu rechnen ist (d.h. "geringer Yield").
Mit steigender Prozessreife gibt es dann weniger Ausschuss und der Yield geht nach oben, was die Prozesskosten drückt und eine günstige Fertigung ermöglicht. Als Auftragsfertiger zahlt man ja auch die kaputten Chips, die werden ja auch gefertigt. D.h. 5 nm sind für AMD, Nvidia und co. aktuell noch keine Option für den Massenmarkt, da der Preisdruck zu groß ist.
gRU?; cAPS

Auch richtig. Risikoproduktion heißt aber auch, dass nicht nur die Yields niedrig sind sondern generell geringe Volumen zur Verfügung gestellt werden. Es hilft also nicht eine GPU darin aufzulegen, weil da nicht nur weniger als 30% vermutlich brauchbar sind, sondern auch, weil es nur wenige Wafer am Anfang gibt.
Abgesehen davon ist die Risk-Fertigung meist sehr kleinen Chips vorbehalten.

5nm schon in Arbeit und läuft besser als Intels 10nm. Irgendwie pennt die ganze Abteilung bei Intel, anders kann man es nicht mehr erklären.

10nm hatte 2015 kommen sollen, 2017 dann 7nm und 2022 war es mein ich 5nm.

Vor 2021 kommt jetzt nicht einmal der 10nm Prozess von Intel.

Wenn TSMC es schafft, 5nm 2021 zu bringen, steht AMD mit 5nm gegen Intel in 10nm und hätte das erste mal in der Firmengeschichte nicht nur die bessere Fertigung, sondern wäre sogar ganze zwei Fertigungsprozesse voraus!

TSMC 7nm = Intel 10nm
TSMC 5nm = Intel 7nm

Ob das ein Schlag ins Gesicht für Intel ist, mit beiden Fäusten?

Das spielt ungemein AMD in die Karten. Ist denen auch zu gönnen, nach der langen Durststrecke!

Intels 7nm ist sogar eher mit 3nm Vergleichbar (lt Semiwiki), es ist aber dennoch so, dass Intel langsam der Hintern ordentlich brennt

 

[cPT_cAPSLOCK]

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Ja, wir haben uns die EEPROMS früher auch geschnitzt.
Die Leckstromverneidung soll sogar das Hauptproblem bei der fortschreitenden Miniaturisierung sein.
Dann nehmen wir halt Licht oder Galliumarsenid.

Auch wenn die Transistoren zwangsläufig nicht mehr aus Si bestehen werden, so wird Si dennoch das Substrat der Wahl bleiben, alleine aus Kostengründen. GaAs bleibt ein Kandidat für n-Typ-Transistoren, sofern man die Probleme des epitaktischen Wachstums von GaAs auf Si in den Griff bekommt - Verspannung, Interfacedefekte, Kristalldefekte, andere Ausdehnungskoeffizienten und so weiter und so fort. Bloß blöd wird dann eben, dass GaAs eine noch geringere Löcherbeweglichkeit besitzt, als Si. Da wäre Ge ideal. Aber Ge und GaAs parallel aufwachsen? Ich glaub noch nicht so wirklich dran. Was dann also den P-Typ Si GAAFET ablösen wird, bleibt offen.
Die photonische Integration von Lasern auf Si ist dann nochmal ein ganz ähnliches Problem. Neben optischen Interconnects wird das aber möglicherweise nie ein Thema werden - wenn überhaupt.
gRU?; cAPS

 

[DBGTKING]

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werden dann auch die Transistorenzahl sich weiter erhöhen,wenn ja wie viel denn?

Ich lese von den i9 7xxx und 9xxx ,sowie von den i7 6950x usw irgendwie keine Transistoren zahlen mehr,wo kann man die denn am besten nachlesen?

 

[wuselsurfer]

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werden dann auch die Transistorenzahl sich weiter erhöhen,wenn ja wie viel denn?

So genau weiß das keiner aber so 30 ... 50% sind da meist drin.

Ich lese von den i9 7xxx und 9xxx ,sowie von den i7 6950x usw irgendwie keine Transistoren zahlen mehr,wo kann man die denn am besten nachlesen?

Eigentlich bei Intel, aber die sind recht knauserig mit Transistorzahlen geworden in letzter Zeit.

Hier eine englische Quelle: Transistor count - Wikipedia.

GaAs bleibt ein Kandidat für n-Typ-Transistoren,

Vor allem die Hochfrequenztypen sind daraus gefertigt wegen der besseren Elektronenbeweglichkeit und des geringen Rauschens.

Aber Ge und GaAs parallel aufwachsen? Ich glaub noch nicht so wirklich dran.

GaAs auf Silizium klappt bereits, aber sehr langsam (1 Mikrometer pro Stunde).

SiGe braucht meines Wissens nach noch Zwischenschichten zum mechanischen Spannungsabbau der Schichten.

Die photonische Integration von Lasern auf Si ist dann nochmal ein ganz ähnliches Problem. Neben optischen Interconnects wird das aber möglicherweise nie ein Thema werden - wenn überhaupt.

Das wollen wir doch nicht hoffen.
Irgendwann müssen wir mit Lichtgeschwindigkeit schalten und nicht mit 1.400 (cm[SUP][SUB]2[/SUB][/SUP]/Vs).[SUP]

Na warten wir also auf die isolinearen Schaltkreise.

[/SUP]

 

[wuselsurfer]

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Siehe oben.