GordonMoore
Schraubenverwechsler(in)
AW: Intel: CEO spricht über 10-nm- und 7-nm-Fertigungsprozess
EUVL hat die Wellenlänge von 13,5nm (erzeugt durch ein Zinnplasma), ist also bereits im Röntgenbereich angesiedelt. So kurzwelliges Licht wird von normalen (Glas)Optiken komplett absorbiert, sprich würde nie das Substrat/Wafer erreichen. Deswegen hat die Firma Zeiss/Oberkochen Spiegelsysteme auf Basis von Molybdän/Silizium entwickelt. Damit wird das Licht auf die Maske und anschließend auf den Wafer gespiegelt. Die Maske ist ebenfalls wie ein Spiegel aufgebaut, da das kurzwellige Licht wie bei normalen Belichtungsautomaten im Durchlichtverfahren nicht funktionieren würde. Und zu Guter letzt muss der komplette EUVL Scanner im Vakuum betrieben werden, da auch die Luft schon die 13,5nm absorbieren würde. Das führt bei der Wartung der Anlage auch zu Problemen...is nix mit Tür auf und reingucken...muss immer erst auf Atmosphäre gebracht werden, Reparaturversuch, evakuieren, testen, usw...kann dauern. Deswegen ist die aktuelle ‚Uptime‘ bei etwa 80%...Industriestandard größer 90%
Die aktuelle Leistung des Lichts (wie oben geschrieben erzeugt durch ein Zinnplasma) liegt bei etwa 125Watt...erreichen will/muss man an die 250Watt, um einigermaßen einen Durchsatz an Wafer/h zu erreichen.
Apropos Auschuss...aktuell ‚quält‘ man sich wohl mit Stochastischen Problemen beim Belichten
https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1333008
Sowohl als auch.
Man hat Probleme, die EUV-Belichtung in den Griff zu bekommen und das liegt an den optischen Eigenschaften von EUV. Mit einer halbwegs geeigneten Lichtquelle ist es noch nicht getan, man braucht auch Optiken (wegen dem nicht-axialen Aufbau sehr aufwendig, aber beherrschbar), Lacke und Masken nebst Zubehör. Und das könnte mit ein Faktor für die Verzögerung bei Intels 10-nm-Prozess sein, denn andere Hersteller planen für ihre vergleichbaren 7-nm-Nodes mit EUV (in Großserie arbeitet meinem Wissen nach noch niemand damit) und auch Intel hat vor einigen Jahren noch darüber gesprochen, während jetzt wieder 193-nm-SAQP das schwer mögliche möglich machen soll.
Allgemein wird im Moment von einem fließenden Übergang ausgegangen: SAQP schränkt die Strukturmöglichkeiten ein und ist chemisch komplex, also teuer. LE4 braucht enorm viele Belichtungen und ist somit fehleranfällig, also teuer. EUV hat große Probleme mit Verunreinigungen respektive Haltbarkeit und ist langsam, also teuer. Am Ende läuft es also immer auf den Preis hinaus und irgendwann in einer vermutlich nahen Zukunft werden wenige EUV-Belichtungen trotz aller Probleme weniger Ausschuss produzieren, als x-faches Litho-Etch mit 193 nm. Und in 10 Jahren wiederholt sich das Spielchen dann mit SA?P in EUV.
EUVL hat die Wellenlänge von 13,5nm (erzeugt durch ein Zinnplasma), ist also bereits im Röntgenbereich angesiedelt. So kurzwelliges Licht wird von normalen (Glas)Optiken komplett absorbiert, sprich würde nie das Substrat/Wafer erreichen. Deswegen hat die Firma Zeiss/Oberkochen Spiegelsysteme auf Basis von Molybdän/Silizium entwickelt. Damit wird das Licht auf die Maske und anschließend auf den Wafer gespiegelt. Die Maske ist ebenfalls wie ein Spiegel aufgebaut, da das kurzwellige Licht wie bei normalen Belichtungsautomaten im Durchlichtverfahren nicht funktionieren würde. Und zu Guter letzt muss der komplette EUVL Scanner im Vakuum betrieben werden, da auch die Luft schon die 13,5nm absorbieren würde. Das führt bei der Wartung der Anlage auch zu Problemen...is nix mit Tür auf und reingucken...muss immer erst auf Atmosphäre gebracht werden, Reparaturversuch, evakuieren, testen, usw...kann dauern. Deswegen ist die aktuelle ‚Uptime‘ bei etwa 80%...Industriestandard größer 90%
Die aktuelle Leistung des Lichts (wie oben geschrieben erzeugt durch ein Zinnplasma) liegt bei etwa 125Watt...erreichen will/muss man an die 250Watt, um einigermaßen einen Durchsatz an Wafer/h zu erreichen.
Apropos Auschuss...aktuell ‚quält‘ man sich wohl mit Stochastischen Problemen beim Belichten
https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1333008
