TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

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Der drittgrößste Halbleiterhersteller der Welt, TSMC, will laut Berichten der asiatischen Webseite DigiTimes.com eine Fertigung in einem neuen 12-nm-Verfahren anbieten. Eigentlich handelt es sich hierbei um die vierte Ausbaustufe der 16-nm-FinFET-Fertigung, aber aus Marketinggründen soll die Bezeichnung geändert worden sein. Der neue Prozess soll eine Verringerung von Leckströmen und Kosten zur Folge haben.

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AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

Also eigentlich nur ein Optimierter 16 NM Fin-Fet Prozess. (Facelift) :nicken:

Marketing lässt grüßen , aber natürlich ist jeder Fortschritt in der Entwicklung der GPU´s der richtige Weg .
Nötig wäre das Umlabeln aber nicht gewesen da der Ruf vom 16 nm Prozess von TSMC ja nun wirklich nicht der schlechteste ist !:kuss:
 
AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

... mir wären noch immer die Realen nm des jeweiligen Fertigungsverfahrens wichtiger, als merketingtechnisches mit-Zahlen-herumgebastel... mich nervt das :nene:

So sehe ich das auch!

Seid 90nm ist das alles nur noch augenwischerei und es glauben leider immer noch viel zu viele Leute das es die echte angebe ist!

Dabei ist NICHTS an der GPU oder CPU auch nur im Ansatz in 14nm oder sonst was.
 
AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

die Realen nm des jeweiligen Fertigungsverfahrens
Und was sind die "realen nm"? Heutige CPUs sind viel zu komplex, um die Technik auf irgendeinen Wert herunterzubrechen. Die Gatelänge wurde nicht ohne Grund als Maß aufgegeben, seit Mehrfachbelichtungsverfahren kann man es einach vergessen, 14 oder 32 oder 55 nm anzugeben.
 
AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

Seid 90nm ist das alles nur noch augenwischerei und es glauben leider immer noch viel zu viele Leute das es die echte angebe ist!

Dabei ist NICHTS an der GPU oder CPU auch nur im Ansatz in 14nm oder sonst was.
Dann habe ich wieder was dazugelernt.:daumen:

Ich dachte immer das die Angaben der Strukturgrößen auch reell sind.
 
AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

Mitnichten
Die angaben gelten für die Schablone beim belichten
und die Schablone wird mit nen 14 oder 16nm feinen Laser gebrannt
Die Belichtung geht dann normal mit infrarot Spektrum. Ultra violett Belichtung (ULV) ist der nächste schritt.
Aber die nm angaben haben an die realen nm abstände auf dem DIE nur bedingt zu tun. Weil eben mehrfach belichtet Bereiche größer sind.
kann sogar sein das die x86 core nur so klein sind und der Rest deutlich größer weil mehr Strom dadurch fließt.
bsp fpu
ich würde sogar behaupten das mit aktuell 14nm Schluss ist. 10nm werden möglich sein aber 7nm auf keinen Fall.
oder sie wechseln zu ulv verfahren.
 
AW: TSMC plant kostengünstige 12-Nanometer-Fertigung

i.d.R. sollte der Gate-Pitch bei 10nm real ca. 68-65nm betragen und bei 7 dann genau 50nm.
Wenn man die richtigen Zahlen kennt verwundert es dann auch nicht, dass bei einem Die-Shrink die Leistung nur maximal 15% steigt.
 
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