News ZAM: Intel und Softbank entwickeln Next-Gen-Speicherchips

PCGH_Sven

PCGH-Autor
Intel und Softbank kooperieren und entwickeln auf Basis von DRAM gemeinsam ZAM ("Z-Angel Memory"), die nächste Generation der Speicherchips. Dieser soll HBM übertreffen und insbesondere Flaschenhälse im lukrativen KI-Segment beheben.

Was sagt die PCGH-X-Community zu ZAM: Intel und Softbank entwickeln Next-Gen-Speicherchips

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Zam ist nicht nur leistungsstärker als HBM, sondern auch günstiger in der Produktion. Irgendwo habe ich gelesen, dass es auch für den Desktop geplant ist und möglicherweise den DDR-Arbeitsspeicher ablösen könnte. Da es mit dem DRAM-Ökosystem kompatibel ist, könnte da wirklich etwas dran sein. Eine große Revolution im Computerbereich steht bevor, und ich finde das super, denn endlich tut sich mal wieder etwas. :daumen:
@ZAM
What...?! :lol:

Naja, mal sehen ob da wirklich was draus wird oder ob es zu den ganzen Speicherprototypen in die Kiste kommt die vielversprechend waren (oder man es zumindest hat so aussehen lassen um Investoren anzulocken...) aber doch nie marktreif wurden.
Die Klassiker landen oft im Müll, weil sie nicht skalierbar waren (MRAM, ReRAM, PCM – alles interessant, aber nie massentauglich), keine Fertigungspartner fanden, zu teuer waren, keine Standards erhielten und keine großen Kunden hatten, die in Volumen abnahmen. Viele davon waren eher „Proof of Concept“ für Investoren als echte Roadmaps.
Ich bleibe skeptisch, aber ein paar Punkte sind diesmal anders: Intel und Softbank bilden eine ungewöhnlich große Allianz – das ist nicht irgendein Startup, das 50 Millionen Seed-Funding braucht. HBM ist ein echtes Problem: teuer, knapp und schwer zu fertigen. Jeder Hersteller sucht Alternativen, weil HBM die GPU-Preise explodieren lässt. Die Roadmap ist erstaunlich konkret (2026 bis 2030), was untypisch für „wir haben was im Labor“-Technologien ist. Die DRAM-Kompatibilität macht das Ganze realistischer als exotische Speicherarten – wenn man nicht das ganze Ökosystem neu erfinden muss, steigen die Chancen.

LG
 
Jetzt wird's echt mal Zeit, dass du auspackst

Genau. Was viele nicht wissen, Der Standard heißt vollständig "Z-Angle Memory, orthogonal assembly". Zam, da redeste dich nicht raus. :ugly:

Ich bleibe skeptisch, aber ein paar Punkte sind diesmal anders: Intel und Softbank bilden eine ungewöhnlich große Allianz – das ist nicht irgendein Startup, das 50 Millionen Seed-Funding braucht.
Das ist auch der einzige Punkt der mich daran hindert es gleich in die "kommt eh niemals" Schublade zu stecken. Da sind schon ein paar Dollar dahinter...
 
@ZAM
What...?! :lol:

Naja, mal sehen ob da wirklich was draus wird oder ob es zu den ganzen Speicherprototypen in die Kiste kommt die vielversprechend waren (oder man es zumindest hat so aussehen lassen um Investoren anzulocken...) aber doch nie marktreif wurden.
Ist kompletter BS! "Man" hat, mal wieder, ein unnötiges Invest getätigt und möchte es nun doch etwas pushen.
Das Design hat weder mehr BW, noch wird es Energieeffizienter. Das Einzige wo es HBM übertrifft ist, in der abgegebenen Wärmeenergie pro mm². Und dann weiss man ja was passiert... :ugly:

Quelle: Abendessen gestern mit einer Firma die mit Q anfängt und in SD sitzt.

PS: Ich sollte das "pushen" konkretisieren. Das Invest +- Null abstoßen.
 
ich warte auf die ersten Spaßbilder, wo die RAM-Riegel dann demnächst hochkant ins Mainboard gesteckt werden ^^
bietet dann die Möglichkeit auf 8 Kanal Boards auch im Mainstream hihihih :-)
also spätestens am 1 April will ich eine ausführliche Berichterstattung darüber sehen! ;-)
eine bessere Steilvorlage gibts ja nicht, der Balkonkühler für die 6090 ist ja auch legendär geil
 
Das sollte doch Angle und nicht Angel heißen im Artikel...?
Oder machen die jetzt einen Engel-Speicher?

Und herkömmlich der gerkömmlich wäre auch noch zu verbessern im Artikel
 
Das ist auch der einzige Punkt der mich daran hindert es gleich in die "kommt eh niemals" Schublade zu stecken. Da sind schon ein paar Dollar dahinter...

Verglichen mit vielen anderen Speichersäuen, die durchs Dorf getrieben werden, sollte man auch beachten:
Es handelt sich hier nicht um eine experimentelle Speicherzellentechnologie, sondern um eine Packagingtechnik. Wenn man die einmal beherrscht, und das tut man ja scheinbar, dann kann man die auch nutzen; da gibt es keine Performance-Trade-Offs oder noch zu skalierende Haltbarkeit. Mir würde spontan keine einzige Packaging-Innovation einfallen, die nicht irgendwann eingesetzt wurde, auch wenn einige ein paar Jahre länger brauchten und in andern Märkten landeten. Chips auf Kante verbinden zu können, ist auf alle Fälle auch abseits von DRAM interessant; wir sehen hier eher den ersten, einfachsten Ansatz einer Technik, die ohnehin weiterentwickelt werden wird.

Offen bleibt somit nur die Frage, wieviel es derzeit und in Zukunft kostet und auf welchen Märkten sich das dann lohnt. Wenn man die Kosten für das Anlegen von TSVs sowie den immer weiter wachsenden Anteil an Waferfläche, den diese bei HBM nutzlos verbrauchen, bedenkt, sehe ich hier aber definitiv schon heute Potenzial. Einzig die schlechte Skalierbarkeit nach unten könnte ein Problem werden – wenn ich RAM "on edge" kontaktiere, brauche ich zwingend eine bestimmte Kantenlänge, also eine Mindestanzahl an Layern in diesem Fall. Ich kann nicht einfach nach Bedarf 4Hi/8Hi/12Hi verwenden, wie das heute bei HBM üblich ist.
 
Zuletzt bearbeitet:
Engel-Speicher! :D
 

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