TSMC: 7 nm und 5 nm im Plan, 3 nm wegen Corona-Krise verschoben

[PCGH-Redaktion]

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Nachdem Samsung seinen Prozess in 3 nm aufs kommende Jahr verlegt hat, gibt es auch Neuigkeiten bei TSMC. Dort läuft 5 nm nach Plan und erfreut sich steigernder Nachfrage, insbesondere durch Apple. Für 3 nm indes muss man wegen der Corona-Krise ebenfalls Verzögerungen melden.

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[Patrikpcgamer]

Wie befürchtet. Schade.

 

[DKK007]

Bis man das für Desktop-CPUs/GPUs nutzt, dauert es eh noch ein paar Jahre.

 

[BigBoymann]

Bis man das für Desktop-CPUs/GPUs nutzt, dauert es eh noch ein paar Jahre.

Also 5nm ist meines Wissens nach mit optimistischen Schätzungen bereits Ende nächsten Jahres angedacht, Zen4 wird darauf setzen und soll sich zumindest bisher im Zeitplan befinden.

3nm wird dann voraussichtlich Erst irgendwann 2023 im Desktop eingesetzt werden, aktuell gibt es da aber tatsächlich nur sehr grobe Pläne, die sich durch Corona sicherlich auch wieder nach hinten verschieben können.

 

[Patrikpcgamer]

Egal corona verschiebt alles auch jetzige Gpus und cpus.

 

[Technologie_Texter]

Setzt TSMC bei 3nm jetzt eigentlich noch auf FinFET?

 

[gerX7a]

Setzt TSMC bei 3nm jetzt eigentlich noch auf FinFET?

TSMC forscht in Verbindung mit "3 nm" an Nanosheet FET als auch Nanowire FET hier scheint man sich noch nicht final entschieden zu haben bzw. hat das noch nicht bekanntgegeben.
Samsung und Globalfoundries arbeitet unabhängig voneinander an Nanosheet FET.
Die Techniken laufen unter der allgemeinen Bezeichnung gate-all-around technologies, siehe bspw. Gate-All-Around FET (GAA FET) - Semiconductor Engineering

Update: 16.4.: Bei TSMC scheint es nun für 3 nm doch bei FinFETs zu bleiben, gemäß deren Quartalsbericht. Ihre Forschung wird natürlich weitergehen; man wird sehen was in diesem Zuge Samsung und Intel machen werden, wobei bis zu 3 nm in Consumer-Produkten noch einige Jahre ins Land ziehen werden.

 

[Zero-11]

Samsung und Intel können wieder aufatmen.

 

[Rollora]

TSMC forscht in Verbindung mit "3 nm" an Nanosheet FET als auch Nanowire FET hier scheint man sich noch nicht final entschieden zu haben bzw. hat das noch nicht bekanntgegeben.
Samsung und Globalfoundries arbeitet unabhängig voneinander an Nanosheet FET.
Die Techniken laufen unter der allgemeinen Bezeichnung gate-all-around technologies, siehe bspw. Gate-All-Around FET (GAA FET) - Semiconductor Engineering

GloFo arbeiten an einem moderneren Prozess?

 

[gerX7a]

GloFo arbeiten an einem moderneren Prozess?

Sie forschen an ... so wurde es zumindest vor einiger Zeit berichtet. Ob das in den nächsten Jahren zu einem serienreifen Prozess führen wird, bleibt abzuwarten. Ich würde eher davon ausgehen, dass man sich ggf. erneut mit Samsung zusammensetzt und einen Prozess von denen lizensiert. Wenn man da auch ein bisschen eigenes KnowHow auf den Tisch legen kann, kann man anders verhandeln. Zudem muss man bei dieser Hochtechnologie auch irgendwie halbwegs am Ball bleiben, auch wenn man zurzeit nicht selbst fertigt, denn andernfalls verliert man komplett den Anschluss und dann wird selbst das Lizensieren und Anwenden ein Problem.
An der Spitze wird GF, so wie es augenblicklich aussieht, nicht mehr mitspielen. Das würde beträchtliche Investitionssummen erfordern, die der Hauptinvestor voraussichtlich nicht bereit ist, aufzubringen. GF soll im Wesentlichen Geld verdienen, da will man keine Milliarden investieren, erst recht nicht mit der erschlagenden Konkurrenz seitens Samsung und TSMC. Entsprechend würde ich davon ausgehen, dass die bspw. erst in etwas wie 7nm (ggf. mit EUV) einsteigen, wenn das bereits ein Massenprodukt ist, also ggf. in 2021/22 und ob das dann eine Eigenentwicklung sein wird oder ob man dann hier (zu dem Zeitpunkt) günstig bei Samsung einkauft/lizensiert, wird man dann sehen.

An der technologischen Spitze fertigen nur noch Intel, Samsung und TSMC ... alle andere IDMs und Foundries fertigen ältere, massentauglichere Nodes, also bestenfalls 10nm eher gar noch 14 nm, 28nm und darüber.
Beispielsweise Chinas größter Fertiger SMIC (mit entsprechend staatlicher Förderung) wird erst in 4Q20 "eine Art 7nm-Prozess" anlaufen lassen (Risk-Production). Der N+1 genannte Prozess weist zwar einige Charakteristika aktueller 7nm-Prozesse auf (jedoch bspw. kein EUV), SMIC wies jedoch darauf hin, dass es sich um "keinen 7nm-Prozess handelt".
Wenn man bedenkt, dass es erste Tapeouts in TSMCs N7 bereits in 2017 gab und EUV-Tapeouts bei TSMC und Samsung in 2018, ist das schon ein deutlicher Abstand und China wird hier zweifelsfrei bereit sein mehr zu investieren, als GFs arabische Investoren.

 

[DKK007]

Vor allem braucht man auch die passenden Belichtungsmaschinen usw.

 

[gerX7a]

Die gibt es von Canon, Nikon und bspw. ASML. Letztere sind jedoch derzeit die einzigen, die EUV-Geräte anbieten.
Beispielsweise SMIC hat schon einen aktuellen EUV-Scanner von ASML. Den letzten Infos, die ich gelesen habe nach, ist der jedoch noch nicht zusammen-/aufgebaut; möglicherweise spielen hier die US-Sanktionen eine Rolle.
SMIC will EUV dann für den N+2 genannten Prozess einsetzen, dann voraussichtlich frühestens ab Ende 2021, eher ab 2022.