3D XPoint, die aufkommende Ultra-Speichertechnology, bis zu 10 mal schneller als das, was es schon gibt!

Cuddleman

BIOS-Overclocker(in)
Beim durchstöbern des Internet bin ich gerade auf einen Artikel gestoßen der mich Neugierig gemacht hat und in einen meiner Threadantworten jetzt eine Bestätigung finden wird, in Bezug auf die Einführung neuer Schnittstellen für Mainboards.

Intel und Micron haben in enger Zusammenarbeit jetzt wohl schon begonnen superschnellen 3D XPoint-Speicher zu produzieren, der alles bisherige mehr als deutlich in den Schatten stellen sollte.

Interessanterweise werden, wie bisher üblich, keine Transistoren als Halbleiter verwendet.
Zu dem soll diese Technologie eine tausendmal bessere Haltbarkeit aufweisen, sowie eine 10mal höhere Dichte erreichen.
Zehn Jahre Produktgarantien könnten dann zum normalen Alltag gehören und 2 Terabyte sind dann das kleinste Volumen, wie heut zu Tage 64Gb bei SSD.

Die erwarteten Geschwindigkeiten für Datenübertragungen sind wohl so hoch, das selbst die jetzigen PCI-Express-Schnittstellen mit der 3.0 Version, nicht das mögliche Datenaufkommen schnell genug bewältigen können, was folglich eine neue Generation von Schnittstellen benötigt, oder/und gar vollkommen angepaßte Mainboard-Layout erfordert

Die Produktion ist schon angelaufen und man wird erstmal diverse Kunden beliefern.

Heutiger Flash-Speicher mit NAND-Technik in Speicherkarten, USB-Sticks, SSD's, sowie bisheriger RAM wären somit komplett ersetzbar, da man diese Sparte voraussichtlich vorrangig bedienen möchte.

Des weiteren sind Intel und Micron dabei erste Produkte mit dieser neuen Technologie zu entwickeln und diese im kommenden Jahr auf den Markt zu bringen.


Quellennachweise:

Tausendmal schneller als Flash: Intel und Micron präsentieren neue Speichertechnik
Intel und Micron produzieren bahnbrechende Speichertechnologie*
Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
3D Xpoint: Revolutionärer Speicher vereint DRAM und NAND - Golem.de
 
Zuletzt bearbeitet:
Memristor? So ein Schmarrn. Aktuelle Teile sind rund 10 mal langsamer als aktueller Speicher.
Desweiteren ist Millipede von IBM und passt daher nicht in den Artikel.
 
Auf wccftech, wo es ja auch seit heute morgen on ist, steht auch nichts genaueres, außer das Intel darum noch ein kleines Geheimnis macht - also diese 3D XPoint - Technologie. Insgesamt ist es aber "ähnlich" HBM oder andere bereits bekannte "Lösungen". Hier mal der Link: Intel, Micron Unveil 3D XPoint Memory, 1000X Faster Than NAND Flash - Sampling Later This Year . Schneller an sich ist z.B. nicht richtig. Volatil ist halt das Zauberwort und massive Platzreduzierung durch stacked. Reduzierte Latenzen etc. natürlich auch.
 
Eindeutig ein Fehlschlag. Haben die denn nichts aus der Geschichte gelernt? Niemand wird Xpoint als Crosspoint aussprechen! Niemand! Hätten sie mal Xing gefragt, dann wären sie von dem Debakel verschont geblieben...

;)
 
Xing hat man aber nicht wirklich Crossing ausgesprochen?^^

Doch. :D Hat aber wirklich jeder ignoriert. Zu Beginn haben sie auf ihren öffentlichen Veranstaltungen immer noch betont das sie ja CROSSing heißen und nicht Xing. Mittlerweile haben sie eingesehen dass das nutzlos ist und sprechen auch offiziell von Xing. :D
 
Sieht sehr nach Memristor-Technik aus... mal sehen ob- und wann es marktreif wird, an einem Flash-Nachfolger wird ja schon lange gearbeitet...
 
... und in einen meiner Threadantworten jetzt eine Bestätigung finden wird, in Bezug auf die Einführung neuer Schnittstellen für Mainboards.


Interessanterweise werden nicht, wie bisher üblich, keine Transistoren als Halbleiter verwendet.

In einer deiner Threadantworten wofür eine Bestätigung finden wird? Fehlt da ein hoffentlich, oder was meinst du mit diesem Satz?

Der Zweite müsste korrigiert werden, jetzt ist er missverständlich. Im Moment steht da:,,...werden, wie [...] üblich, keine [...]verwendet.
Im Endeffekt steht da durch die doppelte Verneinung genau das Gegenteil dessen, was du sagen willst.

Haha :lol:
Wer sagt zu "X" denn Automatisch "Cross"

Englischspracher.


Ontopic: Klingt ,,zu schön um wahr zu sein''. Abwarten und Tee trinken, die Angaben klingen doch sehr nach Marketing, zuviele Superlative.
 
Ontopic: Klingt ,,zu schön um wahr zu sein''. Abwarten und Tee trinken, die Angaben klingen doch sehr nach Marketing, zuviele Superlative.

Derartige Superlative sind von diversen (potenziellen) Flash-Nachfolgertechnologien zu hören.

Ob PRAM, MRAM und ST-MRAM, oder Memristor, (viel) höhere Haltbarkeit und höhere Geschwindigkeit im Vergleich zu Flash ist allen gemein. Preis und nicht-flüchtigkeit von Flash mit der Geschwindigkeit und Lebensdauer von DRAM zu kombinieren sollte durchaus möglich sein, das ist nicht utopisch. Flash ist einfach fertigungstechnisch so weit, so weit optimiert, so etabliert das sich bisher nichts anderes durchsetzen konnte.
 
Nicht zu vergessen die Crossbox. *SCNR
Was die Technologie angeht bleibe ich skeptisch. Es gab in den letzten Jahren einige Meldungen von verschiedenen Herstellern die sich ähnlich lesen: Sensationelle Leistungsdaten, nicht näher spezifiziertes Funktionsprinzip, angeblich kurz vor der Marktreife. Und trotzdem muss ich heute noch mit herkömmlichem RAM und SSDs auskommen.
 
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