Aus Bits und Bytes werden Trits und Trytes

[General Quicksilver]

Hmm - um die Transistoren auch noch getrennt anzusteuern, sind min. noch zwei Doden nötig. macht 5 Bauteile, um ein Trit auszuwerten.
Damit wäre es afaik auch locker möglich, zwei Bits zu verarbeiten und die bieten zusammen noch eine Möglichkeit mehr

Richtig spannend wird das ganze dann beim Addieren: Nen binären halb-adder (=kann zwei Bits adieren und ggf. einen Übertrag ausgeben) kann man aus 5 Transistoren bauen (ggf. kann man noch ein paar gegen einfachere Buteile austauschen)
Soviel brauch ich beim Trit ja schon, ehe ich weiß, welchen Wert es hat.

Nöp, mit Transistortechnik wird ein trinäres System aufwendiger als ein binäres mit ~gleichem Funktionsumfang.
Mit Relais könnte man es schön einfach umsetzen, aber man wäre vermutlich nicht ganz konkurrenzfähig (trotz revolutionär niedriger Leckströem )

Ich gehe bei den Transistoren von 2 getrennten Anschlüssen für die beiden Basen aus; damit wäre dann das 4-Zustandsystem (die 2 Bit, von denen du sprachst) realisierbar. Wie willst du das mit Relais umsetzen? Der Vorteil liegt bei der galvanischen Trennung von Steuerstromkreis und Arbeitsstromkreis oder?
Mir ist gerade wieder das mit dem Memristor eingeallen, dem Widerstand, der von der Stromstärke (und der Stromrichtung?) abhängig ist, der wäre doch für ein solches Vorhaben, wenn denn mal Serienreife erreicht wurde, gut geeignet oder?

 

[BigBubby]

Bevor ich hier weiterschreibe müßte ich erst noch wieder ein paar Sachen nachlesen (ist bei mir auch schon 1,2 Jahre her, dass ich das gehört hatte). Will hier schließlich dann auch was vernünftiges schreiben und nicht in der Eile unsinn.
Da ich aber Ende dieser Woche noch eine Klausur schreibe und danach die einzige Woche wo ich garnichts mit ET tun muß, würde ich hier zwar erst noch mitlesen, aber frühestens in 2 Wochen wieder was produktives hinzufügen. (Uni first )


Achja ist klar, dass jemand gebildetes nicht umbedingt auch nur gebildetes sagen muß. Dafür gibt es auch zu viele verquerte Typen Es ging nur darum, dass man einem Maurer nicht direkt Quantenphysik erklärt, sondern erst mal grundlagen absprechen müßte und ich dafür nicht genügend Zeit gehabt hätte die beizubringen (da du anscheint doch ein paar hattest, was ich nach dem Zahlensystem desaster nicht mehr gedacht hätte, hat sich das dann auch erst mal erledigt.)

Noch kurz zu deinen Links. Zumindestesn die Bahnsteuerung ist ein Binäres System. Denn es kommt nur 0 und 1 an und die werden nur Trinär interpretiert. Der eine link ging um Datenübertragung (soweit ich gelesen hatte, wie gesagt habe nicht Zeit alles zu lesen. Habe alle nur kurz angelesen). Damit ist nicht gemeint, wie ein PC arbeitet, was dir klar sein sollte, sondern wie man die z.B. über den Ozean schickt. Das man hier das Binäre System weiter beibehält würde nah liegen, da es schwer wird eine negative Lichtwelle zu erzeugen und verschieden starke signale wäre auch nicht sinnvoll. Das Trinäre System wollen wir ja erst mal nur versuchen in einem CPU zu integrieren. Beim letzten habe ich schon wieder vergessen, worum es da ging (war gestern abend nach 8 studnen lernen...) werde ich bei gelegenheit noch mal lesen..

P.S. Bevor manche hier weiter Details ausdiskutieren, solltet ihr dran denken, dass ihr momentan immer auf binäre bauelemente versucht was trinäres zusammenbasteln. Das ist wie eine Windowsemulation auf Linux. Das wird natürlich langsamer sein. Hier soll versucht werden einen wirklich trinären PC aufzubauen, deshalb meinte ich auch, dass es schwer wird hier das komplette ding zu entwickeln und wenn es so einfach wäre, dass man es in einem Forum machen kann, dann gäbs das teil schon lange.

 

[Pasknalli]

Na dann wünsche Ich Dir doch viel Erfolg.

 

[ruyven_macaran]

Ich gehe bei den Transistoren von 2 getrennten Anschlüssen für die beiden Basen aus; damit wäre dann das 4-Zustandsystem (die 2 Bit, von denen du sprachst) realisierbar.

Hmm? Wie willst du denn zwei getrennte Anschlüsse zur Auswertung eines Trits verwenden? Was du beschreibst hört sich wirklich nach einem stink normalen 2 Bit System an.

Wie willst du das mit Relais umsetzen? Der Vorteil liegt bei der galvanischen Trennung von Steuerstromkreis und Arbeitsstromkreis oder?

Nö, die muss man nicht mal nutzen. Der Vorteil liegt in der Verwendung eines magnetischen Schaltelementes. Im Gegensatz zu negativem Strom gibt es nämlich Magnetfelder mit entgegengesetzter Richtung.
Will ich eine trinäre Schaltung mit Transistoren aufbauen, muss ich das Signal aufsplitten in binär-negatives und ein binär-positives (womit die Vorteile gegenüber einem binären System verloren sind), die dann je nach dem die negative oder positive Spannung schalten.
Bei einem Relais kann ich das Signal direkt auf die Spule geben, je nach Art des Signals erhalte ich ein Magnetfeld in die eine oder die andere (oder gar keine Richtung). Wenn ich mit einem eigenmagnetischen Schaltelement arbeite, ergibt das auch eine Ablenkung in die eine oder die andere (oder keine) Richtung, wo sich dann eine "+" bzw. eine "-" Stromquelle findet.
Ich habe also das gesuchte Schaltlement mit drei Zuständen.

Das Problem ist halt nur, dass es mit einer Transistorbasierten Schaltung nicht mithalten kann.

 

[General Quicksilver]

Hmm? Wie willst du denn zwei getrennte Anschlüsse zur Auswertung eines Trits verwenden? Was du beschreibst hört sich wirklich nach einem stink normalen 2 Bit System an.



Nö, die muss man nicht mal nutzen. Der Vorteil liegt in der Verwendung eines magnetischen Schaltelementes. Im Gegensatz zu negativem Strom gibt es nämlich Magnetfelder mit entgegengesetzter Richtung.
Will ich eine trinäre Schaltung mit Transistoren aufbauen, muss ich das Signal aufsplitten in binär-negatives und ein binär-positives (womit die Vorteile gegenüber einem binären System verloren sind), die dann je nach dem die negative oder positive Spannung schalten.
Bei einem Relais kann ich das Signal direkt auf die Spule geben, je nach Art des Signals erhalte ich ein Magnetfeld in die eine oder die andere (oder gar keine Richtung). Wenn ich mit einem eigenmagnetischen Schaltelement arbeite, ergibt das auch eine Ablenkung in die eine oder die andere (oder keine) Richtung, wo sich dann eine "+" bzw. eine "-" Stromquelle findet.
Ich habe also das gesuchte Schaltlement mit drei Zuständen.

Das Problem ist halt nur, dass es mit einer Transistorbasierten Schaltung nicht mithalten kann.

Die von mir beschriebene Schaltung ist auch eine 2 Bit Schaltung zur Emulation eines dreiwertigen Systems...

Zum Relais: So meinst du das also, ich hatte das also falsch interpretiert gehabt; aber das lag an mir.

Aber wenn man das so sieht, ist die Umsetzung vielleicht gar nicht so fern; denn was du da schreibst mit dem Magnetfeld, könnte doch auch mit dem Elektrischen Feld in einer Elelktronenröhre funktionieren. Das Signal wird in form einer (hohen) Spannung an die fremdgeheizte Kathode angelegt. Neben der Kathode befinden sich 2 Anoden im Glaskörper, die jeweils eine stark negative, bzw. stark positive Spannung gegenüber der auf Masse geschalteten Kathode aufweisen. Das hat zur Folge, das wenn an die Kathode eine negative Spannung angelegt wird, das sich die Potenzialdifferenz zwischen der Kathode und der poritiven Anode erhöht, was zu einem verstärkten Elektronenstrom führen würde. Umgekehert gilt das auch für den entgegengesetzten Fall, wenn an der Kathode eine positive Spannung anliegt. Dadurch würden sich 3 Zustände am Ausgang ergeben: 1. an beiden Ausgängen fließt ein gleich starker Strom (0); 2. an einem Ausgang überwiegt der Strom (-1); 3. am anderen Ausgang überwiegt der Strom. Der nachteil wäre halt die verschwendete Leistung für den schwächeren Gegenstrom und die Ruheströme. Das günstige daran wäre, das das auch eventuell mit Feldeffekttransistoren realisierbar wäre. Damit hätte man zumindest einen Negator geschaffen, auch wenn der nur -1 in 1 und 1 in -1 umwnadeln kann. Das Problem wäre aber, das das auch schon wieder auf eine binäre Schaltung hinausläuft...

 

[ruyven_macaran]

Eine Röhre nutzt die physikalische Stromrichtung - Strom kann also nur von der Kathode aus fließen und die hat immer den gleichen Bezug (+/-) zur Masse, da wird also nichts draus.
Man könnte höchstens statt einer Elektronenröhre eine braunsche nehmen:
Eine ganz normale Kathode dient als Elektronenquelle, eine Ablenkeinheit wird angesteuert - je nach +/0/- lenkt sie in die eine oder andere Richtung oder gar nicht ab, 2/3 (je nach dem, ob man "0" aktiv messen will) Anoden nehmen das Signal auf. Der - Anode muss in dem Fall noch ein Inverter nachgeschaltet werden (für einen symetrischen Aufbau der + Anode auch, in dem Fall käme man mit deutlich geringeren Stromstärken in der eigentlichen Schaltröhre aus, was das weitere Bauteil wohl wert ist), da man ja nur mit einer Sorte Strom arbeiten kann.

Aber das in Halbleitertechnik....?

Das Problem ist halt einfach, dass in einem Transistor Elektronen als Schaltelement dienen - und es gibt nur eine Sorte Transistoren, damit kann man keine unterschiedlichen Richtungen darstellen.

 

[Pasknalli]

Moment:

Gehen wir mal von einem RAM AB aus der zweigeteilt ist
(kann auch physikalisch als Bauteil 2 geteilt sein)

Zum einen so

+CPU 1 <<< RAM A von RAM AB <<< -CPU 1

zum anderem so

-CPU 2 >>> RAM B von RAM AB >>> +CPU 2

Dann gibt es da CPU 3
welche in Abstimmung mit CPU 4
die Zustände von CPU 1 und 2
für die Nutzung von RAM AB verwaltet
und ausliest

CPU 1 <<< (CPU 3 <> CPU 4) >>> CPU 2


Das währe dann zwar binäre Technik (da alles "über" an und aus schwerer zu realisieren ist) doch so könnte vorhandene PC Technik genutzt werden um ein Trenäres Rechen-System zu schaffen.
"Nur" die Bordarchitektur und die OS müssten angeglichen werden um dann auch aus den 2 verschieden beschickten Speichern ein Ternäres System zu machen.

 

[General Quicksilver]

Eine Röhre nutzt die physikalische Stromrichtung - Strom kann also nur von der Kathode aus fließen und die hat immer den gleichen Bezug (+/-) zur Masse, da wird also nichts draus.
Man könnte höchstens statt einer Elektronenröhre eine braunsche nehmen:
Eine ganz normale Kathode dient als Elektronenquelle, eine Ablenkeinheit wird angesteuert - je nach +/0/- lenkt sie in die eine oder andere Richtung oder gar nicht ab, 2/3 (je nach dem, ob man "0" aktiv messen will) Anoden nehmen das Signal auf. Der - Anode muss in dem Fall noch ein Inverter nachgeschaltet werden (für einen symetrischen Aufbau der + Anode auch, in dem Fall käme man mit deutlich geringeren Stromstärken in der eigentlichen Schaltröhre aus, was das weitere Bauteil wohl wert ist), da man ja nur mit einer Sorte Strom arbeiten kann.

Aber das in Halbleitertechnik....?

Das Problem ist halt einfach, dass in einem Transistor Elektronen als Schaltelement dienen - und es gibt nur eine Sorte Transistoren, damit kann man keine unterschiedlichen Richtungen darstellen.

Ja, das mit der Röhre war mist, weil die Anode keine Elektronen emittierren kann. Aber mit einem Fet würde das trotzdem gehen, weil es n- und p-Kanal Fets gibt, die einmal Elektronen zur Leitung nutzen und einmal Defektelektronen, also Löcher. Zwischen den beiden Kanälen liegt dann Masse. Über beiden Kanälen befindet sich jeweils ein Gate, das eine reagiert auf positive Spannungen (N-Kanal), das andere reagiert auf negative Spannungen (P-Kanal). So das man eigentlich 2 Fets hat (einmal N-Kanal und einmal P-Kanal), die sich einen gemeinsamen Anschluss für Drain haben; 2 Source-Anschlüsse (einmal + für N-Kanal; und einmal - für P-kanal) und eine Gateanschluss (der intern auf die beiden Gates mittels einer Verbindung gelegt ist). Das Bauelemt würde also dann wenn 0 anliegt, 1 und -1 am Ausgang daraus machen; bei einer 1 wird 0 und -1 daraus; bei einer -1 wird 1 und 0 daraus. Eigentlich könnte man auch noch mit internen Widerständen die beiden Ausgänge auf einen legen, denn dann würde wieder das Verhalten der nichtfunktionierenden Röhre entstehen: bei 0 am Eingang --> 0 am Ausgang (da die Potenziale einen Stromfluss verursachen würden, der die Spannung über die Wiederstände abfallen lassen würde) bei 1 am Eingang käme -1 am Ausgang heraus; bei -1 am Eingang 1. Das Problem daran wäre, das der Ausgang keine großen Lasten mehr vertragen würde, weil über die internen Wiederstände sonst zu viel Spannung abfallen würde....

 

[ruyven_macaran]

Je nachdem, wie ich dich interpretiere, hast du entweder
-2 eigenständige Transistoren
-2 Transistoren, die sich 1 Drain teilen
Ist aber eigentlich auch egal.
Problem1: NPN und PNP Transistoren erwähnen nicht ohne Grund mehr als das Gatematerial: Du brauchst jeweils das passende Substrat, kannst nicht beide auf dem gleichen fertigen.
Probelm2: Selbst wenn dir das gelingt, schalten bei weiterhin mit Strom liegt an/Strom liegt nicht an. Du musst also weiterhin dein Eingangssignal z.B. Mittels Dioden selektiv auf beide Gates legen

 

[Friday]

Um das hier noch einmal in einer anderen Richtung zu beleuchten:

Das ganze Thema ist nicht neu und nennt sich "Codierung". Darüber werden an der Uni ganze Vorlesungen gehalten. Wahre Horden von Wissenschaftlern beschäftigen sich damit.

In heutigen Datenübertragungssystemen werden schon lange nicht mehr einfach nur Bits übertertragen. Wenn man das immernoch so machen würde, würden wir beim Kupfer auch heute noch bei den 19200 Bit/s Datenübertragungsrate stehen. Es ist nun einmal so, daß die Bandbreite einer normalen Telefonleitung irgendwo bei 10kHz endet und daher kann die Schrittgeschwindigkeit nicht unendlich erhöht werden und die Baudrate (das ist das Maß für die Schrittgeschwindigkeit) endet dann eben bei 19200Baud.

Wenn man nun aber einzelne Trippel übertträgt, also mögliche Spannungen von +12V, 0V und +12V, dann kann man mit einem Schritt ja bereits 1,5 Bits übertragen. Man fasst also 2 Trippel zusammen und hat somit mit zwei Schritten drei Bits übertragen.

Wenn man nun viel mehr Zustände überträgt, dann geht das theoretisch immer so weiter. Am Ende steht wieder der analoge Kanal von dem das alles ausgegangen ist. Der analoge Rechner (das ist keine Theorie sondern Praxis - ich habe schon damit gearbeitet) hat in unserer aktuellen Welt aber nur wenige Anwendungen.

Was ist das - ein Analogrechner?
Die realisierten Dinger sind eine Zusammenschaltung von einigen wenigen Operationsverstärkern die für die Simulation von Regelkreisen von extrem sensiblen Prozessen verwendet werden - also nicht zum Spielen. Man kann damit zum Beispiel die mathematischen Differentialgleichungen des Balls der horizontal in den kubischen Raum (Zimmer) geworfen wird, simulieren. Beim Digitalrechner würde dieser Ball immer gleich fliegen (ich meine natürlich die Simulation). Das ist aber nicht real. Der Ball fliegt bei jedem neuen Versuch immer ein Wenig anders und spätestens nach dem vierten aufkommen auf dem Boden fliegt er in einer total anderen Flugbahn. Der Analogrechner simuliert ohne großen Aufwand die Realität sehr gut.
Ein anderer Anwendungsfall wäre der Test der Steuerung eines Raketenreglers. Da kann man problemlos Steuerdüsen ausfallen lassen, Wind simulieren etc. Mit dem Digitalrechner rechnet man recht weit weg von der Realität und der Aufwand ist viel größer.

 

[General Quicksilver]

Je nachdem, wie ich dich interpretiere, hast du entweder
-2 eigenständige Transistoren
-2 Transistoren, die sich 1 Drain teilen
Ist aber eigentlich auch egal.
Problem1: NPN und PNP Transistoren erwähnen nicht ohne Grund mehr als das Gatematerial: Du brauchst jeweils das passende Substrat, kannst nicht beide auf dem gleichen fertigen.
Probelm2: Selbst wenn dir das gelingt, schalten bei weiterhin mit Strom liegt an/Strom liegt nicht an. Du musst also weiterhin dein Eingangssignal z.B. Mittels Dioden selektiv auf beide Gates legen

Nein, da ich keine Bipolaren Transistoren verwende sondern Feldeffekttransistoren, und die sind Spannung und nicht Stromgesteuert. (Der fleißende Strom(im Steuerkreis) ist vernachlässigbar und ist im Prinzip nicht gewollt sondern stellt einen Leckstrom dar) Der Nach-/Vorteil eines Feldeffekttransistors ist auch, das dieser jeweils nur eine Ladungsträger art zulässt (Defektelektronen (Löcher) bei P-Kanal/ Elektronen bei N-Kanal).

NPN und PNP bezieht sich auf Bipolare Transistoren, die aus 2 PN- Übergängen bestehen (daher auch die 0,7V zum Durchssteuern). Bei Feldeffekttransistoren gibt es diese im Betrieb dann nicht; deshalb reichen da auch geringere Spannungen...

Um das Bauelement zusammenfertigen zu können gäbe es z.B. die Möglichkeit zuerst ein Metallschicht aufzubringen, auf die dann eine P-Dotierte Schicht aufgebracht wird, in die 2 N-dotierte Bereiche eingebracht sind (um das besser zu erklären zu können lege ich jetzt mal die Richtung Links und Rechts fest). Auf diesen Zonen befindet sich dann wieder eine Metallschicht; auf dem restlichen Substrat eine Isolationsschicht. Über dieser Isolationsschicht befinden sich die Leiterbahnen, die die Beiden Anschlüsse der N-Zonen nach außen führen. Diese sind umgeben mit einer Isolationsschicht, in die noch die Metallschicht des Gates eingebracht ist, welche ebenfalls über eine Leiterbahn nach außen geführt wird. Außerdem befinden sich 2 weitere Leiterbahnen darin, diese enden um 90° gedreht an den Stellen wo die beiden Anschlüsse der N-Zonen enden(Bezug ist die Mitte der Gateelektrode);(für die P-Zonen vorne und hinten). Über dieser schicht befindet sich wieder eine Isolationsschicht, die 2 Metallschichten beinhaltet, wo die P-Zonen darüber liegen (wie bei den N-Zonen, nur um 90° verschoben). Darüber befindet sich dann eine N-dotierte Schicht, in die P-dotierte Bereiche eingebracht sind (Über den Metallschichten). Über der N-Dotierten Schicht befindet sich dann wieder eine Metallschicht.

Hier mal der Aufbau eines N-Kanal MOSFET : Bild:Scheme of n-metal oxide semiconductor field-effect transistor with channel de.svg ? Wikipedia

Die Anschluss für die 1. N-zonen wird an + gelegt (mit vorgeschaltetem Wiederstand); und der Anschluss der 1. P-Zone an - (mit Vorwiederstand). Das sind die beiden Source anschlüsse. Der Anschluss der 2. N-Zone wird mit dem Anschluss der 2. P-Zone verbunden. Zwischen den Beiden befindet sich dann der Drain Kontakt. Wie die beiden Bulk/Substrat-Kontakte (die beiden Kontakte sind die Äußersten Metallschichten angeschlossen werden weiß ich gerade nicht, aber ich vermute mal das diese auf Masse gelegt werden ); also auf den Drain-Kontakt, der seinerseits auch auf Masse (in der Schaltung) gelegt wird. An dem Gatekontakt wird dann das Eingangssignal angelegt. Dii beiden Ausgänge befinden sich dann vor den beiden Vorwiederständen an den Source-Kontakten. Diese werden dann mit 2 Gleichgroßen in Reihe geschalteten Widerständen Verbunden. In deren Mitte wird dann der eigentliche Ausgangskontakt gelegt.

Ich hoffe mal man kann sich etwas unter meiner beschreibung vorstellen.

 

[ruyven_macaran]

Okay, ich schein keine Ahnung zu haben, wie Bipolartransistoren funktionieren, aber das, was ich bislang angenommen und auch für meine Argumentation verwendet habe, deckt sich gut mit dem Feldeffektransistor
Imho ist "Spannungsgesteuert" ein falscher Ausdruck, besser wäre "Ladungsträger gesteuert":
Die Elektronen im Gate "verdrängen" die Elektronen aus darunter liegen Substrat, durch die entstehenden Lücken wird selbiges leitend.
Glaube aber nicht, dass das umgekehrt auch klappt: negative Spannung = Elektronen werden aus dem Gate abgezogen (sofern es überhaupt bewegliche hat)
Selbst wenn es klappt fehlt für die Funktionsweise deines ursprünglichen Schaltmodells (das hier solltest du mal aufmalen, ist n Tick zu komplex) noch immer ein Element, dass dafür sorgt, dass bei "+" die eine und bei "-" das andere Gate leitend wird.

 

[General Quicksilver]

Okay, ich schein keine Ahnung zu haben, wie Bipolartransistoren funktionieren, aber das, was ich bislang angenommen und auch für meine Argumentation verwendet habe, deckt sich gut mit dem Feldeffektransistor
Imho ist "Spannungsgesteuert" ein falscher Ausdruck, besser wäre "Ladungsträger gesteuert":
Die Elektronen im Gate "verdrängen" die Elektronen aus darunter liegen Substrat, durch die entstehenden Lücken wird selbiges leitend.
Glaube aber nicht, dass das umgekehrt auch klappt: negative Spannung = Elektronen werden aus dem Gate abgezogen (sofern es überhaupt bewegliche hat)
Selbst wenn es klappt fehlt für die Funktionsweise deines ursprünglichen Schaltmodells (das hier solltest du mal aufmalen, ist n Tick zu komplex) noch immer ein Element, dass dafür sorgt, dass bei "+" die eine und bei "-" das andere Gate leitend wird.

Doch, es klappt auch umgekert bei anderer Dotierung (Du hast einen P-Kanal Fet beschrieben). Bei einem N-Kanal, würde das so ablaufen: Du legst eine positive Spannung an die Gateelektrode, dadurch werden Elektronen angezogen und und rekombinieren mit den Löchern. Es ist ein von Ladungsträgernm freier Bereich entstanden. Wenn die Spannung aber weiter erhöht wird, sammeln sich mehr Elektronen, wie Rekombinieren können; diese stehen nun als freie Ladungsträger zur Verfügung. Das Gate kannst du asu Metall fertigen, also sehe ich da keine Probleme das positiv aufzuladen, also Elektronen abzuziehen.
Es ist kein weiteres Schaltelement nötig, da der P-Kanal-Fet nur auf negative Spannungen reagiert (bei positiven würden sich Elektronen unter dem Gate sammeln, was aber den Transistor nicht durchsteuern würde, da der dann noch vorhandene 2. PN-Übergang sperren würde); und der N-Kanal-Fet nur auf positive Spannungen reagiert (bei negativen würden sich Löcher unter dem Gate sammeln, was ebenfalls durch den 2. PN Übergang zu keiner Leitung führen würde).
Hier mal ein Link, der auch bei Wikipedia frin steht: Lernprogramm MOS-Transistor: Transistor Dort ist das ziemlich gut erklärt...
Lernprogramm MOS-Transistor: Transistor Experimentiermodul

Kurze Erklärung zum Bild: Oben links die Schaltung mit von mir vereinfachten Schaltsymbol (im roten Rahmen dann nochmal Ausführlich die Stelle); die oberste Leitung ist +; die unterste ist -; die 2. von unten ist Masse, also 0; die 4. Leitung aquf der linken Seite ist der Signaleingang (Gateanschluss); die 5. und letzte Leitung ist der Ausgang.
Unten habe ich mal versucht einen (eventuell) möglichen Aufbau der beiden Transistoren darzustellen; hellblau ist n-dotiert; rot ist p-dotiert; grau ist Metall und gelb ist ein Isolator. Das obere Schnittbild zeigt einen Schnitt von links nach rechts; das untere von vorne nach hinten (jeweils mittig). Die restlichen Bilder sind Schnittbilder der einzellnen Schichten: Die beiden grauen Flächen sind die Metallkontakte für die Bulk-/Substrat-Anschlüsse. Das hellblaue mit den Roten Zonen ist der P-Kanal-Fet; gefolgt von einer isolationsschicht mit eingebauten Metallkontakten für die P-Zonen; gefolgt von einer Isolationsschicht, in die die Metallkontakte für die beiden P-Zonen sowie die beiden N-Zonen und das Gate eingebracht sind über eintsprächende Leiterbahnen verbunden sind und die Anschlüsse nach außen geführt werden; gefolgt von einer Isolationsschicht mit den Metallkontakten für die N-Zonen; gefolgt vom N-Kanal-Fet....

Im Aufbau kann noch viel optimiert werden, ich hoffe mal, das ich nicht zu viele Fehler reingebaut habe....

 

[ruyven_macaran]

des gönt glabbe..
Jetzt müssen wir das Ding nur noch auf mehrere GHz tackten und einen handhabbaren Fertigungsprozess finden