News "Hochspannungs"-Silizium soll schnellere Transistoren ermöglichen

[PCGH-Redaktion]

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Silizium Nanodrähte, die durch konzentrierte mechanische Belastung unter hoher Zugspannung stehen, könnten die Schaltgeschwindigkeit von Transistoren deutlich verbessern.

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[Incredible Alk]

AW: "Hochspannungs"-Silizium soll schnellere Transistoren ermöglichen

7,6 GPa? Mein lieber Schwan da sind aber Spannungen am Werk. Da sieht man mal, wie rein und frei von Gitterfehlern das Material eigentlich ist (sonst würde es solche Spannungen nicht entfernt aushalten).
Wenn man sich da vor Augen hält, dass übliche Stahlkonstuktionen ne Streckgrenze von vielleicht 0,3-0,6 GPa aufweisen wirft das gleich ein ganz neues Licht auf Siliziumchips


Ach nebenbei, beim Satz "So steigt die Mobilität der Elektronen gesteigert" passt was nicht so ganz

 

[ruyven_macaran]

AW: "Hochspannungs"-Silizium soll schnellere Transistoren ermöglichen

Wenn man bedenkt, dass 5 GPa (als Druck) ausreichen, um Diamanten herzustellen...

 

[MaggerHD]

AW: "Hochspannungs"-Silizium soll schnellere Transistoren ermöglichen

Ja, sehr schön und wenn man erstmal bei der Fertigungsgröße Richtung 0,1nm geht wird es nur noch so gehen (ab ca. 2020-30). Kleiner als Atome kann man leider nicht stabil bauen. Aber hier sieht man schon, dass Moores Gesetz nicht ewig gelten wird, die Rechenleistung wird irgendwann (Schätzung steht auch oben, davon geht man zumindest an TUs aus) nur noch marginal steigen, eben wegen der oben genannten phys. Grenze. Ist ein wenig wie bei Automotoren...