Samsung: Erste 3-nm-Fertigung mit GAA-Transistoren gestartet

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45 Prozent geringeren Strombedarf, 23 Prozent höhere Leistung und 16 Prozent kleinere Fläche verspricht Samsung im Vergleich zum 5-nm-Verfahren.

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Im Vergleich zum 5-nm-Prozess kann der 3-nm-Prozess der ersten Generation den Strombedarf demnach um bis zu 45 Prozent senken, die Leistung um 23 Prozent verbessern sowie die Fläche um 16 Prozent reduzieren, während der folgende 3-nm-Prozess der zweiten Generation den Strombedarf um bis zu 50 Prozent senken, die Leistung um 30 Prozent verbessern und die Fläche um 35 Prozent reduzieren soll.

Ist das diesmal wirklich "und" oder doch "oder"?

45% weniger Strom + 23% mehr "Leistung" (was auch immer das heißt -> Takt?) + 16% weniger Fläche wäre eine krasse Ansage. Wenn man sich für eins davon entscheiden muss dann relativiert das die Steigerung enorm.

In der Quelle klingt es auch nach "und". Damit wären GAA Transistoren ein massiver Sprung nach vorne, das hat Intel ja auch schon erwähnt.
 
Ist das diesmal wirklich "und" oder doch "oder"?
Das UND halte ich für nahezu ausgeschlossen, damit würde man der Konkurenz Kreise um die Ohren fahren und das halte ich für unmöglich. Ich denke, wie immer gilt hier zwischen Leistung und Effizienz, ein ODER, lediglich die Fläche kommt mit einem UND daher.

Spannend finde ich die Ansage, dass die zweite Iteration des 3nm Prozess, statt 16% kleinerer Chips, dann 30% kleinere Chips können soll. Diesen Schritt halte ich in einer Iteration dann doch für außergewöhnlich. das wären in einer einfachen Iteration, also 3nm +, noch einmal 16,66% kleinere Chips, als 3nm non +. Finde ich auf jeden Fall mal eine richtig dicke Ansage.
 
Das UND halte ich für nahezu ausgeschlossen, damit würde man der Konkurenz Kreise um die Ohren fahren und das halte ich für unmöglich. Ich denke, wie immer gilt hier zwischen Leistung und Effizienz, ein ODER, lediglich die Fläche kommt mit einem UND daher.

Tatsächlich könnte ich mir mit dem Wechsel auf GAA Transistoren einen "UND" Sprung vorstellen. Samsung ist damit ja auch nicht allein, TSMC und Intel werden ja auch auf GAA schwenken. Wir werden sehen.
 
Ist das diesmal wirklich "und" oder doch "oder"?

45% weniger Strom + 23% mehr "Leistung" (was auch immer das heißt -> Takt?) + 16% weniger Fläche wäre eine krasse Ansage. Wenn man sich für eins davon entscheiden muss dann relativiert das die Steigerung enorm.
Ist ein "oder".
Gemeint ist: im Idealfall hat derselbe Chip im neuen Verfahren 45% weniger Leistungsaufnahme pro Takt. Oder 23% mehr Takt(Spielraum)bei gleicher Leistungsaufnahme; die Flächenreduktion kann unaabhängig von den qnderen beiden Kenngrößen sein, es ist also möglich einem Chip 45% geringere Leistungsaufnahme bei gleichzeitig geringerer Fläche zu entlocken.

Allerdings sind das halt theoretische Maxima die in der Praxis nicht erreicht werden können
Unglaublich, daß das Zeug noch funktioniert.
3nm sind gerade mal 30 Atome.

Die Elektronik erstaunt mich immer noch nach 50 Jahren.
ich war jetzt zu faul nachzulesen, qber was genau soll beim fürs Marketing 3nm genannten Prozess 3nm sein?
Meine Annahne ist: nichts.
Aber dann wiederum bist du ein altgedienter User hier und weißt natürlich, dass die Prozessnamen mit der Realität nichts zu tun haben. Der von dir verfasste Post ergibt also nur dann Sinn, wenn irgendwas tatsächlich 3nm klein ist
Tatsächlich könnte ich mir mit dem Wechsel auf GAA Transistoren einen "UND" Sprung vorstellen. Samsung ist damit ja auch nicht allein, TSMC und Intel werden ja auch auf GAA schwenken. Wir werden sehen.
ja, aber TSMC gibt dabei überraschend überhaupt keine Verbesserungen aus, nur weniger Fertigungsschritte
 
ich war jetzt zu faul nachzulesen, qber was genau soll beim fürs Marketing 3nm genannten Prozess 3nm sein?
Meine Annahne ist: nichts.
Aber dann wiederum bist du ein altgedienter User hier und weißt natürlich, dass die Prozessnamen mit der Realität nichts zu tun haben. Der von dir verfasste Post ergibt also nur dann Sinn, wenn irgendwas tatsächlich 3nm klein ist
Irgendwas wird schon 3nm haben und das ist sehr wenig.

Licht ist eben etwas sehr mächtiges.
Mit Licht geht da schon lange nichts mehr.

Wir sind da schon kurz vor den Röntgenstrahlen mit 13,5nm Laserwellenlänge.
Ab 10nm spricht man von Röntgenstrahlung.

Hier mal ein sehr guter Artikel dazu auf englisch:
http://www.jommpublish.org/p/29/ .

Und hier auf deutsch:
https://www.computerbase.de/2020-01/euv-lithografie-erklaert/ .
 
Irgendwas wird schon 3nm haben und das ist sehr wenig.
naja nein: der letzte Hersteller der seinen Prozess nach Kenngrößen bensnnt hst war Intel. Aber das haben sie jetzt auch geändert
Das einzige, was in realen Abmessungen tatsächlich noch annähernd in die Nähe der Marketingnamen kommt ist beim FinFET die Dicke der Finnen. Die ist bei TSMC 7 tatsächlich um die 7nm und bei Samsung 5 (nach deren Angabe) echte 8 nm.
Alle anderen relevanten Größen sind deutlich darüber.
 
Das einzige, was in realen Abmessungen tatsächlich noch annähernd in die Nähe der Marketingnamen kommt ist beim FinFET die Dicke der Finnen. Die ist bei TSMC 7 tatsächlich um die 7nm und bei Samsung 5 (nach deren Angabe) echte 8 nm.
Alle anderen relevanten Größen sind deutlich darüber.
ja, die tatsächlich relevanten Größen und die Marketingnamen sind ca (man nagle mich nicht fest, bin am Handy, grad zu faul nachzusehen) bei 90nm auseinander gegangen
 
Ja, wir sind im Krümelkackerforum.

Aber es sind eben nur ein paar Atome und es funktioniert.
Ich werde mich trotzdem wundern.
schau, bei 5nm ist keine der Kenngrößen unter 30nm
 
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