Jetzt ist Ihre Meinung gefragt zu SOT-MRAM: TSMC und ITRI bauen schnellen, persistenten Magnetspeicher
TSMC und das taiwanische Forschungsinstitut ITRI haben einen großen Fortschritt bei der Entwicklung von SOT-MRAM vermeldet. Dieser soll schnell, persistent und zudem effizienter als bisheriger MRAM sein. Es gibt aber noch einige Probleme.
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