SLC-Cache: nicht neu, aber sinnvoll
Wir wollen nicht unterschlagen, dass auch andere Architekturen wie die Extreme II von SanDisk oder auch Toshiba-Modelle bereits auf SLC-like Cache setzen. Samsung ist in diesem Fall also keinesfalls ein Innovator. Allerdings ist die Implementierung bewusst anders gewählt. Auf den ersten Blick wäre es am sinnvollsten, mit nur einem Bit beschriebene Speicherzellen über alle Speicherchips rotieren zu lassen. Das wäre ähnlich wie die Verteilung von XOR-/Paritätsdaten in einem RAID 5 und würde eine gleichmäßige Abnutzung ermöglichen. Samsung hat den Cache jedoch pro Chip als festen Bereich festgepinnt, d.h. dass immer die gleichen Bereiche im SLC-Verfahren als Cache genutzt werden.
Der Hintergrund ist Performance, denn bei rotierenden SLC-Bereichen wäre diese nicht zuverlässig reproduzierbar. Nachteilig erscheint die erhöhte Abnutzung, wobei die Anzahl an P/E-Zyklen (Lösch- und Schreibzyklen) im SLC-Verfahren auf Samsungs 19 nm TLC-NAND die gleiche Haltbarkeit erreichen soll wie "echter" SLC-Speicher. Dies bedeutet laut Samsung-Ingenieuren in der Praxis bis zu 30.000 Schreibzyklen gegenüber angenommenen 1000 bei TLC-Flash (wobei die Praxis zeigt, dass 3000 Zyklen und mehr die Regel sind).
