Intel Broadwell: Hochauflösende Mikroskop-Bilder zum 14-nm-Prozess

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Chipworks.com hat ein Endgerät mit Core-M-Prozessor in die Finger bekommen und diesen zugleich näher untersucht. Unter einem speziellen, hochauflösenden Mikroskop wurden Intels offiziellen Angaben überprüft und fast alle für 100-prozentig korrekt erklärt - lediglich eine weicht minimal ab, wobei sie sich im Rahmen der Messtoleranz befindet.

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Im Übrigen zeigte sich Intel über die Benennung neuer Fertigungsprozesse zuletzt ungewohnt offen: Den letzten "echten" stellte jener in 90 nm dar, danach habe man die nächstliegenden, vordefinierten Schritte als Namen verwendet – man kann die Prozesse also benennen, wie man gerade lustig ist. Die 14-nm-Fertigung stellt Chips also nicht in 14 nm her, dürfte jenem im Vergleich zur Konkurrenz aber am nächsten kommen.

Welche Bezeichnung wäre denn dann richtig?
 
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Das würde mich auch interessieren. Details zu diesem Thema findet man selten.
 
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Aber das ist doch schon länger bekannt. Wie es doch schon im Text steht liegen die gerade bei etwa ~52nm.

Ich frage mich nur, warum wird dann 14nm angegeben, wenn man aber 4 mal größer baut?

Bei Grafikkarten, SSDs, Mainboard Chips etc. ist es ja alles das gleiche.
 
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VChipworks.com hat ein Endgerät mit Core-M-Prozessor in die Finger bekommen und diesen zugleich näher untersucht.

Das heißt sie haben den Prozessor zerstört. Fällt das nicht auf wenn Intel plötzlich ein Vorführgerät fehlt?
 
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Das heißt sie haben den Prozessor zerstört. Fällt das nicht auf wenn Intel plötzlich ein Vorführgerät fehlt?
Es ist wohl nicht so, als hätte jemand bei Intel eingebrochen und Chips gestohlen :D Was soll daran so schlimm sein? So bleibt Intel in den Medien. Vielleicht begrüßen sie es sogar.
 
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Welche Bezeichnung wäre denn dann richtig?

Keine. Nenne es „2014-gen Alien-Process-Tech“ oder „4th gen metal gate replacement“ und es ist technisch beinahe genau so treffend (naja, zumindest letzteres). Die Zahlen sind halt Tradition von früher und müssen natürlich immer kleiner werden, damit alle, insbesondere die Investoren, zufrieden sind.

Traditionell ist das die „Feature Size“ gewesen, also die minimale Größe, in der man einen Baustein eines Transistors hinbekommen konnte; in der PCGH-Heftausgabe sprechen wir daher meistens von Strukturgröße/-breite.
 
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Aber das ist doch schon länger bekannt. Wie es doch schon im Text steht liegen die gerade bei etwa ~52nm.

Ich frage mich nur, warum wird dann 14nm angegeben, wenn man aber 4 mal größer baut?

Bei Grafikkarten, SSDs, Mainboard Chips etc. ist es ja alles das gleiche.

Also bei Wiki steht, dass mit Strukturbreite der Halbe Abstand zweier Leiterbahnen genommen wird.
Deshalb werden die wohl auch die Bezeichnung 14nm nehmen.
 
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Der 90nm Prozess war der letzte echte Prozess. Nach 90nm betrug der Shrink ca. Faktor 0,53. So auch von "22nm" auf "14nm". Wenn man diesen Schnitt bei jeder Strukturverkleinerung anwendet, ergibt sich eine Strukturbreite von ~ 18nm.
Die Zahl des Prozesses ist im Normalfall die Gate-Länge zwischen Source und Drain einem Transistor ( Maskenmaß als Zielgröße bei der Fertigung eines Transistors ), wenn ich mich recht erinnere.
Die Abstände der Leiterbahnen sind von Metallisierungsebene zu Metallisierungsebene verschieden. Laut Chipworks wurde der klinste Abstand mit 54nm gemessen.

Die Zahl 14 soll somit einfach den Fortschritt in einer für den Kunden und Aktionär verständlichen Form transportieren.
 
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@ Horst_Koehler,
hört sich vernünftig an ;-), stimme ich dann zu.
 
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Also bei Wiki steht, dass mit Strukturbreite der Halbe Abstand zweier Leiterbahnen genommen wird.
Deshalb werden die wohl auch die Bezeichnung 14nm nehmen.
Mh, da hab ich dann wohl was anderes erzählt bekommen an meiner Uni, auf Lithographieverfahren mal angesprochen wurde uns mal erzählt, dass man damit in der Regel die Gate-Länge zwischen Source und Drain in
einem Transistor beschreibt, genauer: Ein Maskenmaß als Zielgröße bei der Fertigung eines Transistors. Ist aber auch nicht allzu wichtig, man sollte nur wissen, dass nicht alle Strukturen diesem Maß anschliessend auch entsprechen, allerdings schrumpfen bei feinerer Litographiestufe halt sämtlich in etwa im selben Verhältnis mit.
 
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Mh, da hab ich dann wohl was anderes erzählt bekommen an meiner Uni, auf Lithographieverfahren mal angesprochen wurde uns mal erzählt, dass man damit in der Regel die Gate-Länge zwischen Source und Drain in einem Transistor beschreibt, genauer: Ein Maskenmaß als Zielgröße bei der Fertigung eines Transistors.
So kenne ich das auch :) Das hat nach meinem Kenntnisstand gar nix direkt mit dem Abstand von Leiterbahnen zu tun.

@E1M1: Aus welchem Wiki-Artikel hast du denn diese Information? Im Deutschen Wiki-Artikel steht es so, wie Ob4rul|3r und ich es kennen :-) Dort ist nicht die Rede vom halben Leiterbahnabstand:

http://de.wikipedia.org/wiki/Strukturgröße
 
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Die Bezeichnung "14nm" ist nur Marketing und das machen alle Chiphersteller so. TSMC, GloFo, Intel, Samsung, etc. Das sind alles Marketing Bezeichnungen, um den Kunden einen Fortschritt vorzugaukeln. Natürlich verkleinern sich die Strukturbreiten, jedoch nicht in den vom Herstellungsprozessnamen suggerierten Rahmen.
Hier mal eine kleine Folie die das veranschaulicht:
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Was ist denn dann jetzt gemeint, wenn man als Untergrenze für die Fertigungstechnik 5 nm angibt? Wenn das "echte" nm sind, müsste es doch noch viel Potenzial geben, aber es wird ja wohl in den nächsten Jahren soweit sein.
 
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@DarkmatterS: Bis wir bei 5 nm angekommen sind, wird es noch lange dauern - wenn's überhaupt mit dert Lithographie machbar ist.

@PCGH: Wie haben die Herschafften die 2nm Abweichung gemessen?
 
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Die Bezeichnung "14nm" ist nur Marketing und das machen alle Chiphersteller so. TSMC, GloFo, Intel, Samsung, etc. Das sind alles Marketing Bezeichnungen, um den Kunden einen Fortschritt vorzugaukeln. Natürlich verkleinern sich die Strukturbreiten, jedoch nicht in den vom Herstellungsprozessnamen suggerierten Rahmen.
Hier mal eine kleine Folie die das veranschaulicht:
782079d1414668018-intel-broadwell-hochaufloesende-mikroskop-bilder-zum-14-nm-prozess-intel-252baug-252b11_14-252bslide-252b16.png

Die genannten Werte geben das Raster wieder: 42 nm Abstand zwischen zwei Finnen, minimal 70 nm zwischen zwei Transistoren über die Größe der Transistoren erlaubt das keinen direkten Rückschluss, da hier die isolierenden Zwischenräume mitgemessen werden.
 
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@n3rd ... Bis 7nm hat Intel wohl vor ein verbessertes Immersions-Lithographieverfahren ( ArF-Laser ) anzuwenden. Bei 7nm scheint Intel wohl zweigleisig zu fahren, also EUV und Immersion.
 
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Die genannten Werte geben das Raster wieder: 42 nm Abstand zwischen zwei Finnen, minimal 70 nm zwischen zwei Transistoren über die Größe der Transistoren erlaubt das keinen direkten Rückschluss, da hier die isolierenden Zwischenräume mitgemessen werden.

Schon klar, aber es stimmt trotzdem, dass Teile der CPU in deutlich größeren Struckturbreiten gefertigt werden als 22nm, 14nm, etc.
 
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@Horst: Ob das klappen wird?!:schief: Kann mir schon die gigantische Yield-Rate von einem Chip pro 100 Waver gut vorstellen! :) Bis es keine neuen Errungenschaften in der Laserdiodentechnik sehe ich für den Einsatz von ArF schwarz.
 
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Ich hoffe, dass sich dann ein Upgrade von i5 4670K lohnt, also z.B. ein 8-Kerner oder so ... :)

Naja, seit Blenders Cycles rendere ich fast ausschließlich mit CUDA, so eine CPU wäre aber trotzdem nice to have :D
 
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