Der Bericht ist irgendwie ziemlich hanebüchen. Ich muss sagen mir ist es jetzt die Mühe nicht wert den ganz durchzulesen, aber schon die Tabelle hat weder Hand noch Fuß. Schaut sie euch mal an (
klick ).
Der LoVo Ram soll bei ner Spannungsdifferenz von 0,05V 1W Idle-Differenz und 5 W Last-Differenz haben, während das doppelte, nämlich 0,1 V Spannungsdifferenz, die gleichen Differenzen ergibt (untere 3 Tabelleneinträge). Ich bin keine Elektrik bzw. Werkstoff-Spezi, aber ich glaube dass das nicht daran liegt, dass die Halbleiter in diesem Spannungsbereich gerade dieses Verhalten zeigen.
PCGH hat übrigens in Ausgabe 05/2007 S.100 Abbildung oben einen RAM-Energieverbauch von 3-5 W für DDR2 angegeben. Vermutlich für Standardware also PC800 CL5, d.h. hochgezüchtete Module werden ebstimmt gut und gerne das doppelt bis dreifache nutzen (auch wenn ja bekannt ist wie verschwindend gering der Performancegewinn durch schnelleren Ram im Mittel ist).
DDR3 Ram ist ja mit weniger Spannugn spezifiziert und selbst alle Module am Markt, von denen sich die wenigsten an die JEDEC-Spezifikationen halten, laufen mit weniger Spannung als DDR2-RAM.
Das hat PCGH übrigens zuletzt in Ausgabe 02/2010 getestet, S.14 obere Tabelle sowie Fließtext 4. Absatz.
Zitat: "Als wir bei der DDR3-Spannung des P55-GD65 1,16 Volt anstelle von 1,47 Volt auswählten, sank die Leistungsaufnahme um maximal 1 Watt."
Selbst wenn man davon ausgeht, dass das Mainboard andere Spannungen anlegt als man auswählt, dürfte die Diskrepanz der Ergebnisse der beiden Berichte eindeutig sein.
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