News Gestapelte Transistoren: TSMC fertigt CFETs mit höherer Effizienz - dank Spannungstuning

PCGH-Redaktion

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TSMC hat die Neuerungen an der hauseigenen CFET-Technik präsentiert, mit der die Transistordichte bald bis zu verdoppelt werden soll. Unter anderem kommen die Optimierungen der Effizienz zugute.

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"So werden metallenen Transistoranschlüsse nun auch nach unten aus dem Wafer herausgeführt."
Gott bewahre, dann fangen sie im BackEnd (interner Verdrahtungsbereich) bei den Verdrahtungslayern an, um dann wieder im BackEnd zu laden? Das wäre ja die doppelte Anzahl an Arbeitsschritten und damit auch Herstellungszeit (statt Pi mal Daumen heute 3 Monaten auf dann 6 Monate?). Wird außerem interessant, wie sie das mit so lustigen Materialien wie Kupfer, was in den Verdrahtungslayern einbaut wird, kontaminationsfrei hinbekommen wollen. (zum Vergleich: im Frontend (Transistoraufbau) werden gern mal nach Implantierungsdotierungen Ausheiltemperaturen um die 1000°C eingesetzt. Später geht das immer weiter runter bis max. 100°C, um keine ungewollten, zerstörenden Diffussions- und Migrationsprozesse in den schon fertigen Layern loszutreten loszutreten.)
Und noch eine Sache, die auch bedacht werden muß: Wenn die Transistoren jetzt hochkant dicht an dicht gestapelt und die Dies oben und unten thermisch isolierende Verdrahtungslayer besitzen.... wie wollen die den Spaß kühlen und dabei noch vernünftige Rechenleistung herauszuholen?
Das bissel Spannungsreduktion bei NMOS holt doch diese Nachteile imo nicht raus. Das wird jedenfalls spannend... :hmm:
 
Jap und dann herscht bei CPU und GPU richtung 100 Grad.Mit so engen Sachen so warm. Das heißt die Hardware darf nicht mehr so warm werden weil dann die Hardware schaden nehmen könnte.
An gewissen höheren Takt ist dann nicht mehr zu rechnen,weil es dann die Temperatur noch weiter steigen wird.Also wird der Allcore Takt bei CPU bei rund 5 ghz stagnieren, Also wird AMD und co die Kerne breiter machen müssen um davon zu profitieren.Der Allcore Takt wird gleich bleiben oder leicht stagnieren.Das muss ja nichts schlechtes heißen und könnte ja andere möglichkeiten bieten.Villeicht sind dank TSMC damit mehr Kerne auf kleineren Raum möglich.Damit würde zwangsweise der Takt sinken,weil sonst Kolladiert die TSMC Technik mit zu hoher Abwärme durch zu hohen Takt.
Es wird also spannend was damit so alles möglich sein wird und wie sich die Produkte durch diese Technik so Entwickeln werden.VIelleicht kann man ja damit so einiges heraushohl,wer weis.
 
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