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BIOS-Overclocker(in)
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Es geht um folgenden Artikel, in dem mir aufgefallen ist, dass nicht mal der Name der Speichertechnologie genannt wird, auf der ReRAM aufbaut (mit diesem Thema habe ich mich an der Universität einige Zeit beschäftigt):
ReRAM: Prototypen von Crossbar und Micron präsentiert
Ich sah zufällig einen Artikel von Computerbase der einen Tag vorher zum selben Thema berichtet hat:
Neue ReRAM-Prototypen von Crossbar und Micron - ComputerBase
Computerbase 22.12.2014 - 11:40 Uhr von Silvio Werner
PCGH 23.12.2014 - 10:15 Uhr von Benjamin Molitor
Ohne das im Detail kommentieren zu wollen, ist der Schaden für die Reputation der hier angerichtet wird immens...
Es geht um folgenden Artikel, in dem mir aufgefallen ist, dass nicht mal der Name der Speichertechnologie genannt wird, auf der ReRAM aufbaut (mit diesem Thema habe ich mich an der Universität einige Zeit beschäftigt):
ReRAM: Prototypen von Crossbar und Micron präsentiert
Ich sah zufällig einen Artikel von Computerbase der einen Tag vorher zum selben Thema berichtet hat:
Neue ReRAM-Prototypen von Crossbar und Micron - ComputerBase
Computerbase 22.12.2014 - 11:40 Uhr von Silvio Werner
ReRAM (Resistive Random-Access Memory) gilt neben STT-MRAM und Phase Change Memory als der Kandidat für den Speicher der Zukunft. Das bisher fortschrittlichste Design konnte nun Crossbar, ein US-Amerikanisches Start-up präsentieren – die bereits funktionierenden Entwürfe sollen sich in großen Fabriken produzieren lassen.
Crossbar wurde 2010 in Santa Clara gegründet und konnte sich eine Finanzierung von 50 Millionen Dollar sichern. Die Firma besteht aus 40-50 Mitarbeitern und hat sich der Entwicklung und Umsetzung neuer Speichertechniken, allen voran ReRAM, verschrieben.
ReRAM besteht aus einer aktiven Lage eines Metalloxid, mittels elektrischer Spannung kann dessen Widerstand stark verändert werden. Dieser „Durchgang“ kann ausgelesen werden, dies repräsentiert die Zustände „An“ und „Aus“. Die Veränderung im Material bleibt auch ohne Spannung erhalten.
Gegenüber konventionellen NAND-Speicherzellen bietet ReRAM sowohl eine gesteigerte Haltbarkeit als auch Geschwindigkeit.
PCGH 23.12.2014 - 10:15 Uhr von Benjamin Molitor
Neben STT-MRAM und Phase Change Memory gilt ReRAM (Resistive Random-Access Memory) als vielversprechendster Kandidat für den Speicher der Zukunft.
Das 2010 in Santa Clara gegründete Unternehmen Crossbar konzentriert sich voll und ganz auf die Entwicklung und Umsetzung neuer Speichertechnologien – vor allem auf ReRAM.
Dieser setzt sich aus einer aktiven Lage Metalloxid zusammen, dessen Widerstand durch elektrische Spannung stark verändert werden kann. Auf diese Weise lassen sich An- und Aus-Zustände erzielen, die für ein Binärsystem notwendig sind. Selbst ohne Spannung bleiben die Änderungen im Material bestehen. Verglichen mit handelsüblichen NAND-Speicherzellen punktet ReRAM einerseits mit einer besseren Haltbarkeit, andererseits auch mit einer besseren Performance.
Ohne das im Detail kommentieren zu wollen, ist der Schaden für die Reputation der hier angerichtet wird immens...
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