Was bedeutet beim RAM die Angabe 9-9-9-27 ?

Guten Morgen zusammen,

Ich frage mich immer wieder was diese Angaben beim RAM genauer bedeuten. Ich miene, wofür steht die erste Zahl, die zweite, dritte und zuletzt meist auch deutlich höhere vierte Zahl.

Ich habe mich durchgegoogelt und schon viele Infos gesammelt das dies was mit den Zugriffszeiten zutun hat und je niedriger die Zahlen sind desto schneller kann der CPU auf den RAM zugreifen sowie daß je niedriger die MHz Rate des RAM´s ist desto niedriger sind auch die Zahlen (Zugrifszeiten).

Kann mir Jemand das geneuer erklären was die vier Zahlen bedeuten?

9 (CL) 9 (RCD) 9 (RP) 27 (RAS)

Der Parameter CL (CAS Latency, auch tCL) beschreibt die Zeit, welche zwischen der Absendung eines Lesekommandos und dem Erhalt der Daten vergeht.

Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (Activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (Read) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch bedingt, dass das Verstärken der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben des Zellinhaltes abgeschlossen sein muss, bevor die Bitleitungen mit den Datenleitungen weiterverbunden werden dürfen.

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf. Diese Zeit ist durch die Bedingung definiert, dass alle Spannungen im Zellenfeld (Wortleitungsspannung, Versorgungsspannung der Leseverstärker) abgeschaltet sind und die Spannungen aller Leitungen (insbesondere die der Bitleitungen) wieder auf ihrem Ausgangsniveau angekommen sind.

Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf. Der Parameter ist dadurch gegeben, dass die Verstärkung der Bitleitungsspannung und das Rückschreiben der Information in die Zelle vollständig abgeschlossen sein muss, bevor die Wortleitung deaktiviert werden darf.

das meint wiki dazu:

CAS (column access strobe) - latency (CL)
Gibt an, wie viele Taktzyklen der Speicher benötigt, um Daten bereitzustellen. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.
RAS to CAS Delay (tRCD)
Dabei wird über die Abtastsignale „Spalten“ und „Zeilen“ eine bestimmte Speicherzelle lokalisiert, ihr Inhalt kann dann bearbeitet werden (Auslesen/Beschreiben). Zwischen der Abfrage „Zeile“ und der Abfrage „Spalte“ befindet sich eine festgelegte Verzögerung ⇒ Delay. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.
RAS (row access strobe) - precharge delay (tRP)
Bezeichnet die Zeit, die der Speicher benötigt, um den geforderten Spannungszustand zu liefern. Erst nach Erreichen des gewünschten Ladezustandes kann das RAS-Signal gesendet werden. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.
Row-Active-Time (tRAS)
Erlaubte Neuzugriffe nach festgelegter Anzahl von Taktzyklen, setzt sich rein rechnerisch aus CAS + tRP + Sicherheit zusammen.

Das erklärts ganz gut . Im Wesentlichen gehts nur um die interne Verarbeitung im RAM , abgesehen von Benchmarks oder sehr RAM-lastigen Anwendungen wirst du von schnelleren Timings aber nicht sehr viel mitkriegen.