Intel: In fünf Jahren mit Nanowire- statt FinFET-Transistoren

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Intels CTO Mike Mayberry kündigte auf einer Mikroelektronik-Konferenz an, dass Intel die aktuellen FinFET-Transistoren in den nächsten fünf Jahren durch Nanowire- beziehungsweise GAAFET-Transistoren ersetzen will. Diese Umstellung dürfte wahlweise die Entwicklung von Chips mit höherem Takt oder mit einem niedrigerem Flächenverbrauch ermöglichen.

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Hm.. kann das jemand etwas genauer erläutern ? Inwiefern kann/soll das ein vorteil sein, rein optisch ist es ja eher "nur" eine Aufteilung in 3 dünnere Kanäle, statt einem etwas dickeren ?
 
Samsung und TSMC erwarten die Einführung zu deren 3-nm-Prozess
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TSMC nutzt bei 3nm noch FinFET.

rein optisch ist es ja eher "nur" eine Aufteilung in 3 dünnere Kanäle, statt einem etwas dickeren ?
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Schau dir doch einmal FinFET und GaaFET/MbcFET an.

Man bekommt schon mal deutlich mehr Transistoren auf der selben Fläche unter.
Die Transistoren sidn auch besser vom Substrat isoliert, also wieder weniger Leckströme.
 
Moin asusexcite,

für die Stromleitung eines Feldeffekttransistors ist insbesondere die "Breite" wichtig. Das ist im Bild die sichtbare Kante zwischen dem lilanen Gate und der grauen "Wanne". Dabei geht es nur darum, wie lang die sichtbare Überagngslinie ist - das ist die Breite.

In der Abbildung verliert man durch die GAAFETs im Vergleich zur Finne zwar seitlich ein bisschen Kontaktfläche und damit "Breite", dafür bekommt man aber durch die zusätzlichen Ober- und Unterseiten der Leitungen auch wieder etwas hinzu. Und in der Praxis bekommt man mehr hinzu, als man verliert -> der GAAFET ist besser ;)
 
boedefelt schrieb:
Interessante Idee, mal sehen ob wir es wirklich schon in 5 Jahren sehen und wenn, von wem.
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Interessant eher weniger, sondern sich schon von langer Hand abzeichnend. Der IEEE/IRDS 2018-Report sah schon für 2021 LGAAs vor. Unterm Stricht schiebt sich das jetzt ein wenig nach hinten. Samsung und Globalfoundries forschen unabhängig voneinander an Nanosheet FET, TSMC forscht sowohl an Nanosheet FET als auch an Nanowire FET. Überraschenderweise gaben die jedoch vor einigen Monaten bekannt für ihre 3 nm keine GAA-Techniken verwenden zu wollen, wie zuerst erwartet wurde, sondern sie wollen ihren N3 mittels regulärer FinFETs realisieren. Man wird sehen, welche Limitierungen das bedingt. (Vielelicht räumt man hier Time-to-market einen höheren Stellenwert ein und verzichtet auf einige erzielbare Zugewinne?)
Neu war nun lediglich, dass Intel sich erstmals zu ihrem Stand der Entwicklung äußerte und nun weiß man zumindest, dass Intel hier ebenfalls auf neue Technologien setzt, was aber auch nicht verwundert, denn das "in 5 Jahren" bezieht sich eher auf deren 3nm
Dagegen deren grundsätzliche Roadmap bzgl. ihren 7nm (2021), 5nm (2023) und 3nm (2025) ist schon länger bekannt.
 
Don-71 schrieb:
So sehe ich das auch, im Moment klingen Intel Ankündigungen in Bezug auf ihren Fertigungsprozess, so glaubwürdig wie die 72 Jungfrauen im Paradies.
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Das ist halt mathematisch nur dann möglich, wenn die ganzen Attentäter selbst auch Jungfrauen sind und die 72 Jungfrauen nicht nur Frauen sondern auch Männer sind.
Also kurzum: Geht sich nur aus, wenn es Männer sind.
Don-71 schrieb:
Vielleicht sollten sie nach 14nm +³ ersteinmal wieder einen voll funktionstüchtigen Prozess am Markt platzieren, bevor man Ankündigungen solcher Art macht, im Moment ist man nämlich in Bezug auf Prozessfertigung höchstens Powerpointweltmeister, in der Realität spielt man aber nur noch in der 2. oder 3. Klasse
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Ist halt nur eine Ankündigung von verwendeten Techniken und Materialien. Es wird schon so kommen, weil kein Weg darum herum führt. Aber halt deutlich später als ursprünglich geplant. Immerhin war 7nm auch mal für 2016 gedacht. Sogar noch ohne EUV AFAIR.
IN diesem Fall macht man ja den Mund nicht zu weit auf, man sagt ja nur, dass man daran arbeitet.

Aber du hast schon recht, im Moment würde ich auf Zeitrahmen die Intel ausgibt keinen Wert legen, deshalb finde ich die News unglücklich formuliert, denn die Antwort von Intel ist ja ganz klar: ist keine Roadmap, ist halt ein ungefährer Zeitrahmen, kann sich auch anders entwickeln. Die Überschrift suggeriert: ist angekündigt für in 5 Jahren.
 
ZeXes schrieb:
Was kann man den für Leistungssteigerungen von GAAFET-Transistoren erwarten?
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Entweder kleinere Transistoren, was mehr Transistoren pro zB cm² ermöglicht, oder schnellere Frequenzen bei "gleicher" Größe.
Man könnte einen einseitigen weg gehen und nur auf kleinere Transistoren setzen und so mittels mehr Transistoren in einem Chip mehr Leistung erreichen. Oder umgekehrt gleiche größe und mit mehr Ghz die Leistung steigern. Als dritte Möglichkeit wäre noch eine Mischung aus beidem: etwas höhere Frequenz mit etwas kleineren Transistoren. Welcher weg eingeschlagen wird ist ungewiss und lässt sich ohne genaueren Einblich in die Forschung nicht sagen. Es ist einfach eine Zukünftige Technologie, wo die Umsetzung des Entwicklers/Herstellers entscheidet wie viel Leistungssteigerung erreicht wird.
 
Leider hört man so wenig über Graphenprozessoren / die Entwicklung in Richtung derer. Das Material verspricht einiges, doch in die Umsetzung muss halt auch mal etwas Geld gepumpt werden.

Denn seien wir mal ehrlich.. mit Silizium bekommt man nicht mehr die ganz großen Leistungssprünge..
 
AMD ist bei gar nix weil es kein eigentlicher Chipproduzent mehr ist. MBCFET ist eine Samsung Entwicklung die man sich in Zukunft mit TSMC teilen wird, GAAFET wie hier beschrieben ist der Weg den Intel als Produzent gehen möchte. Und was machst du so, Mopet Tuning ?
 
PsychoCommander schrieb:
Lol wenn Intel in 5 Jahren da ist dann ist AMD in fünf Jahren bei Quanten Carbon Röhrchen.
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Die Aussage ist vollkommen sinnbefreit, da AMD schon seit über einem Jahrzehnt fabless ist und hier wird es absehbar auch keinen Weg zurück für sie geben, d. h. die werden auch weiterhin auf den Einkauf entsprechender Dienstleistungen angewiesen sein.
Eine derartige Aussage ist bestenfalls mit Blick auf TSMC oder Samsung sinnvoll (und in Abhängigkeit der von der chinesischen Regierung ausgehend weiterfließenden Subventionen ggf. auch für SMIC).
 
Ich wäre sehr vorsichtig Intel einfach so abzuschreiben, wie es ein paar Foristen hier gerade machen. Ja, im Moment macht Intel keinen Stick gegen TSMC, aber wie schnell sich so eine Situation ändern kann haben wir in den letzten fünf Jahren gesehen. Ich halte es z.B. durchaus für möglich, dass Intels 10 nm Prozess auch deshalb so verzögert wurde, weil man versucht hat bereits Probleme von NanoWire oder was auch immer anzugehen. Das hätte dann bei 10 nm Produkten keine Vorteile, würde aber die Entwicklung von 5 nm deutlich vereinfachen. Und als Intel mit 10 nm angefangen hat, waren sie ja so weit vor der Konkurrenz, dass man sich vermutlich wenig Sorgen um ein paar Verzögerungen gemacht hat, tja...
 
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