News ITRS 2.0: Industrieverband sieht 10 nm als das Ende der Fertigungsfahnenstange an

Das glaube ich eher nicht. Da wird sich eher die Spiele Entwicklung umstellen müssen und mehr optimieren.
 
Der Transistor kommt eben an seine Grenzen, das ist absehbar. Eventuell kann man mit Graphen oä. noch diverse Steigerungen rausholen (Frequenzen im zweistelligen GHz Bereich, endlich gute Singlecoreleistung), aber dann ist auch irgendwann mal Schluß. was danach kommt weiß keiner. Es gibt ein paar heiße Kandidaten, die sind aber bestenfalls nur konzeptionell bewiesen, genaueres weiß man nicht.

Graphen ist noch in weiter Ferne. Die Halbleiterindustrie ist dafür viel zu konservativ. Erstmal wird so lange Silizium fortgeführt, bis es ums Verrecken nicht mehr besser geht. Erst dann wird man darüber nachdenken, dass man sich andersweitig umschaut - sei es alternative Transistorkonzepte, alternative Materialien oder beides. Vor Graphen ist aber erstmal Germanium an der Reihe. Bei einer Germaniumtechnologie muss man zumindest nicht die gesamte Halbleiterfab umbauen, da Germanium weitestgehend mit Siliziumtechnologie kompatibel ist. Germanium wird ja schon ewig als Verspannungsmaterial in Transistorkanälen eingebaut, um die Elektronenbeweglichkeit zu erhöhen.
Und Graphen hat meines Wissens nach das Problem, dass es noch keine vernünftigen Shockleydioden auf Graphenbasis gibt. Da müsste halt noch mehr geforscht werden - sicher, der Vergleich ist unfair, Silizium ist ja quasi totgeforscht. Aber das Problem besteht halt trotzdem.

Wenn man z.B auf Graphen umsteigt, was eine bessere Elektronenleitfähigkeit hat, wären aber deutlich höhere Taktraten, bei weniger Stromverbrauch möglich.
Dann steht eben das 10-GHz-Rennen an.

Daran hat leider das Graphen wenig zu melden. Die jetztigen Si-Transistoren könnten auch problemlos mit 50 GHz+ rennen, aber die Metallisierung macht halt das große Problem aus. Die wirkt als parasitärer Kondensator gegen Masse und schluckt bei steigender Frequenz immer mehr Strom. Wenn dieses Problem nie aufgetreten wäre, hätten wir heute wahrscheinlich eher 40 GHz Singlecores anstatt der etablierten Multicoretechnologie.

gRU?; cAPS
 
Es gibt schon noch interessante Sachen die man mit Silizium machen kann wie etwa Tunnel-FETs oder Siliziumnanodrahttransistoren...
 
Es gibt schon noch interessante Sachen die man mit Silizium machen kann wie etwa Tunnel-FETs oder Siliziumnanodrahttransistoren...

Kann man aber auch alles mit anderen Materialien machen ;)
Und dann funktionieren die Sachen meistens sogar besser, nur die Fertigung wird halt schwieriger...
Die große Achillesverse von Tunnel-FETs ist ja beispielsweise der On-Strom. Und der ist halt gerade bei Silizium-TFETs winzig. Daher geht da die Forschung stark in Richtung alternative Halbleitermaterialien.
gRU?; cAPS
 
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