News Intel: Neue Materialien könnten Energiebedarf von Mikrochips dramatisch senken

Nemesis-tlx · 5. April 2009

AW: Intel: Neue Materialien könnten Energiebedarf von Mikrochips dramatisch senken

Zukunftsmusik ist doch was schönes. Und heißt es nicht auch vorfreude ist dich schönste freunde?

Das mal was neues gefunden wird war ja nur eine frage der Zeit. Das daraus irgendwann was wird ist ja auch klar. Die Zukunft läßt sich ja zum glück nicht aufhalten, und zwar in all ihren Positiven so wie auch Negativen Seiten. Und der stromverbatuch bei allen Geräten im Leben muß ja so wie so sinken wenn wir weiter leben wollen. Na ja, bin mal gespannt was für Chips wir in zukunft haben werden.

theLamer · 5. April 2009

AW: Intel: Neue Materialien könnten Energiebedarf von Mikrochips dramatisch senken

Frage: Sind die besagen Elemente denn so verfuegbar wie Silizium? Ich meine Quartz gibts ja wie Sand am Meer ( :lol:

)

Ne im Ernst, ich glaube die Teile sind auf jeden Fal teurer als Silizium, bin also noch skeptisch. Die Technologie und der niedrige Energiebedarf gefalle mir aber

wuselsurfer · 5. April 2009

AW: Intel: Neue Materialien könnten Energiebedarf von Mikrochips dramatisch senken

Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.

RTW112 · 5. April 2009

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wuselsurfer schrieb:
Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.

darf man fragen warum es in der wüste steht?

da wäre ja wenigsten mal gute taktraten bei cpus angesatz

ruyven_macaran · 6. April 2009

AW: Intel: Neue Materialien könnten Energiebedarf von Mikrochips dramatisch senken

wuselsurfer schrieb:
Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.

*grübel*
Hat Cray nicht mal CPUs auf Gallium-Basis genutzt, es dann aber irgendwann aufgrund der enormen Kosten aufgegeben?

Für Hochfrequenztechnik ist sowas ja immer n netter Ansatz, aber da will man halt auch keine Milliarde Schaltelemente haben...

Masochist · 7. April 2009

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wuselsurfer schrieb:
Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.

Da steht eigentlich nirgends das Intel GaAs als Material verwendet, PCGH hat diese nur als Beispiel angeführt. Genauso hätten sie auch InSb oder eine andere III-V Verbindung nennen können.
Ausserdem glaub ich nicht das Intel nochmal versuchen wird einen Prozessor in HFT zu bauen. Damit sind die schon beim P4 gescheitert, da die Hochfrequentechnik einfach viel zu viele Probleme aufwirft, als das man damit einen komplexen Mikrochip fertigen könnte. Die derzeitigen Chips pendeln ja nicht ohne Grund bei der 3GHz Marke rum.

ruyven_macaran · 7. April 2009

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Der PIV ist gescheitert, weil er versucht hat, hohe Frequenzen mit Materialien zu erreichen, die das nur unter sehr großer Wärmeentwicklung schaffen - wenn man ein neues Material findet, dem dieser Nachteil fehlt, wäre der Weg wieder frei.
Abgesehen davon ist man dank neuerer Fertigungstechniken mitlerweile auch mit weniger HF-optimierten Architekturen in Schlagdistanz zur 4 GHz-Grenz - und hat wieder ähnliche Probleme.

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