Jetzt ist Ihre Meinung gefragt zu NAND-Flash-Alternativen: Fortschritte bei ReRAM und ST-MRAM
Verschiedene Speicherhersteller haben auf dem Flash Memory Summit 2017 Fortschritte bei den alternativen Technologien zu NAND-Flash vermeldet. Crossbar lässt bei Micron bald ReRAM in einem Prozess der 2x-nm-Klasse fertigen. Im Falle von ST-MRAM werden die ersten Testchips mit einer Kapazität von 1 Gbit von Everspin verschickt.
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Verschiedene Speicherhersteller haben auf dem Flash Memory Summit 2017 Fortschritte bei den alternativen Technologien zu NAND-Flash vermeldet. Crossbar lässt bei Micron bald ReRAM in einem Prozess der 2x-nm-Klasse fertigen. Im Falle von ST-MRAM werden die ersten Testchips mit einer Kapazität von 1 Gbit von Everspin verschickt.
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