TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Jetzt ist Ihre Meinung gefragt zu TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Laut taiwanischen Medienberichten plane TSMC weitere Milliardenausgaben, um an künftigen Fertigungsprozessen zu forschen. Nach dem Spatenstich einer neuer "Gigafab" für 24,1 Milliarden US-Dollar im Januar soll der Auftragsfertiger jetzt den Bau eines neuen Forschungs- und Entwicklungszentrum mit einem Budget von etwa 3,4 Mrd. USD planen. Primär gehe es dort um den 3-nm-Prozess und nachfolgende Generationen.

Bitte beachten Sie: Der Kommentarbereich wird gemäß der Forenregeln moderiert. Allgemeine Fragen und Kritik zu Online-Artikeln von PC Games Hardware sind im Feedback-Unterforum zu veröffentlichen und nicht im Kommentarthread zu einer News. Dort werden sie ohne Nachfragen entfernt.

Zurück zum Artikel: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Ab wann setzt TSMC auf GAA-FET?

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Poor_Volta schrieb:

Ab wann setzt TSMC auf GAA-FET?

Zum Vergrößern anklicken....

In den meisten Artikeln ist von 5nm und 3nm die Rede.
Keine Ahnung, obs bei TSMC auch tatsächlich so sein wird.


edit:
konkret Samsung:

4LPP (4nm Low Power Plus): 4LPP will be the first implementation of next generation device architecture – MBCFETTM structure (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM is Samsung’s unique GAAFET (Gate All Around FET) technology that uses a Nanosheet device to overcome the physical scaling and performance limitations of the FinFET architecture.

Zum Vergrößern anklicken....

Könnte also durchaus mit 5nm bei TSMC starten.

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

GaAs wäre mal interessant ... .

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Ok, danke.

Das mit 4LPP von Samsung wusste ich schon, die anderen halten sich da noch sehr bedeckt.

IBM hat mit seinen Forschungspartnern mal einen 5nm GAA-FET gezeigt, aber kA ab wann GF das jetzt einsetzen wird.

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Einst war AMD und Globalfoundries bei uns in Dresden ein wichtiges Zukunftsprojekt.
Da gab es übrigens auch einen eigenen (großen) Bereich für Treiber und Gamesoptimierungen.
Jetzt werden die Prozessoren in New York oder Asien gefertigt.
Warum schafft es unser Land trotz eigener Fabs keinen Anschluss, und verliert diesen wichtigen Markt?
Wir hatten sie schon bei uns, und werden sie wahrscheinlich auch nie wieder zurück bekommen...

Es ist aus meiner Sicht einfach nur traurig, wie bei uns in Deutschland dieser Hochtechnologiezweig an die Wand gefahren wird....
Und selbst die DDR hatte versucht in Teltow so eine Technologie aufzubauen.
Damals war ich übrigens in Teltow Lehrling, und habe selbst am Bonder gearbeitet.

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

22FDX und 12FDX ist für die keine "Hochtechnologie"?

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

Poor_Volta schrieb:

22FDX und 12FDX ist für die keine "Hochtechnologie"?

Zum Vergrößern anklicken....

Ne, alles Neuland

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

matty2580 schrieb:

Einst war AMD und Globalfoundries bei uns in Dresden ein wichtiges Zukunftsprojekt.
Da gab es übrigens auch einen eigenen (großen) Bereich für Treiber und Gamesoptimierungen.
Jetzt werden die Prozessoren in New York oder Asien gefertigt.
Warum schafft es unser Land trotz eigener Fabs keinen Anschluss, und verliert diesen wichtigen Markt?
Wir hatten sie schon bei uns, und werden sie wahrscheinlich auch nie wieder zurück bekommen...

Es ist aus meiner Sicht einfach nur traurig, wie bei uns in Deutschland dieser Hochtechnologiezweig an die Wand gefahren wird....
Und selbst die DDR hatte versucht in Teltow so eine Technologie aufzubauen.
Damals war ich übrigens in Teltow Lehrling, und habe selbst am Bonder gearbeitet.

Zum Vergrößern anklicken....

Hallo,

das hat nichts mit gegen die Wand zu fahren zu tun.

Soweit ich weiß machen es alle Chiphersteller wie folgt.

Für die neueste Generation von Chips werden neue FABS aufgebaut oder "uralte" FABS umgerüstet.

FABS werden erst umgerüstet, wenn sie keine Chips mehr produzieren können, die man noch verkaufen kann.

Dadurch ist es in Dresden jetzt so, dass dort weiterhin Globalfoundries und Infineon sind, aber nicht mehr das CPUs und aktuellste andere Chips herstellen. Sondern Chips die nicht so kleine Sturkturgrößen benötigen. Irgendwann werden diese FABS sicherlich auch wieder hochgerüstet und dann produzieren diese FABS die akuellsten Chips.

Von Infineon weiß ich, dass es sich einfach wirtschaftlich nicht rechnet alle 2 - 3 Jahre alle Maschinen rauszureißen und neue in die FABS einzubauen. Lieber nutzt man die noch nicht alten Maschinen und produziert andere Chips.

So ist es auch bei Intel. CPUs werden in ein paar wenigen hochgerüsteten oder neuen FABS produziert. Alle anderen Chips in den anderen FABS. Gleichzeitig werden bestehende FABS umgerüstet oder neue FABS gebaut für die nächste Generation von Chips.

Je nach Größe und Anzahl an FABS die man hat und je nach dem wann man wieder neue Produktionprozesse einsetzen muss, kann so ein Zyklus bis eine bestehende FAB umgerüstet wird schon einmal 10 - 15 Jahre dauern.

PS zu Globalfoundries in Dresden: Die investieren auch da kräftig. Siehe Wikipedia-Einträge:

GlobalFoundries - Wikipedia
In September 2016, GlobalFoundries announced Fab 1 would be refit to produce 12 nm fully depleted silicon on insulator (FDSOI) products.[10] The company expected customer's products would begin to tape out in the first half of 2019.

Da während der Entwicklung eines eigenen 14 nm-FinFET-Prozesses klar wurde, dass dieser nicht konkurrenzfähig sein würde, wurde er fallengelassen; stattdessen wurden die Prozesse 14LPE und 14LPP von Samsung lizenziert. Das Unternehmen plant außerdem, die 10 nm-Stufe zu überspringen und sich auf die Entwicklung eines 7 nm-FinFET- (Fab 8, 2018) und eines 12-nm-FDSOI-Prozesses (Fab 1, 2019) zu konzentrieren.[20]

2017 wurde bekannt, dass das Unternehmen im Rahmen einer Partnerschaft mit der chinesischen Stadt Chengdu dort ein neues Werk bauen will. Weiterhin sollen die vorhandenen Fabs in den USA, in Singapur und in Deutschland erweitert werden. Bis 2020 soll die Kapazität in Dresden um 40 Prozent auf bis zu rund einer Million Wafer pro Jahr wachsen. [21][22]

Zum Vergrößern anklicken....

FAB 1 = Dresden

Kann also gut sein, dass demnächst da wieder CPUs und GPUs vom Band laufen.

MfG

DC

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

wuselsurfer schrieb:

GaAs wäre mal interessant ... .

Zum Vergrößern anklicken....

Interessant, aber auch mit so viel Umstrukturierung der Prozesse verbunden, dass es die Foundries meiden werden, die der Teufel das Weihwasser, bis es gar nicht mehr anders geht. Und überhaupt wird sich zeigen müssen, wie gut der reelle Vorsprung von GaAs gegenüber etablierten Technologien ist. Auf dem Papier war ja schließlich auch Graphen der Allheilsbringer, dann hat IBM aber gemerkt, dass die fertigen Bauelemente doch nur auf dem Niveau eines Silizium-FETs performt haben. Ups!
Solange Silizium noch irgendwie geht, werden die Foundries Silizium verwenden. Der GAA-FET ist ja schon quasi sicher eingeplant, vor 10 Jahren hätte man auch den verdammt. Und danach wird es spannend. Ob danach Verbindungshalbleiter, Tunneltransistoren oder Germanium-FETs kommen, weiß wohl aktuell niemand.

matty2580 schrieb:

Einst war AMD und Globalfoundries bei uns in Dresden ein wichtiges Zukunftsprojekt.
Da gab es übrigens auch einen eigenen (großen) Bereich für Treiber und Gamesoptimierungen.
Jetzt werden die Prozessoren in New York oder Asien gefertigt.
Warum schafft es unser Land trotz eigener Fabs keinen Anschluss, und verliert diesen wichtigen Markt?
Wir hatten sie schon bei uns, und werden sie wahrscheinlich auch nie wieder zurück bekommen...

Es ist aus meiner Sicht einfach nur traurig, wie bei uns in Deutschland dieser Hochtechnologiezweig an die Wand gefahren wird....
Und selbst die DDR hatte versucht in Teltow so eine Technologie aufzubauen.
Damals war ich übrigens in Teltow Lehrling, und habe selbst am Bonder gearbeitet.

Zum Vergrößern anklicken....

Naja, nur weil ein Wafer keine Transistoren unter 50 nm Gatelänge beherbergt, heißt das noch lange nicht, dass es sich nicht um Hochtechnologie handelt. In Hisicht Logik und Speicher, da stimme ich dir zu, da findet man in Deutschland nicht mehr viel. Das liegt aber höchstwahrscheinlich hauptsächlich daran, dass die Informationstechnologie in Deutschland nicht so weit verbreitet ist. In den IT-Clustern in den USA, Korea und Taiwan sieht das schon anders aus. Aber die Hochtechnologie endet halt nicht hinter Speichern und Logik.
Deutschland ist im Feld der Leistungshalbleiter nach wie vor führend, beispielsweise durch Infineon und Bosch. Der Superjunction-MOSFET ("CoolMOS") ist beispielsweise eine Erfindung von Infineon. Deutschland ist halt kein IT-Land, sondern eher ein Automatisierungsland. Und da passt die Verzweigung mit der Leistungs- und Automatisierungstechnik ziemlich gut.
gRU?; cAPS

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

DrunkenChip schrieb:

FAB 1 = Dresden

Kann also gut sein, dass demnächst da wieder CPUs und GPUs vom Band laufen.

Zum Vergrößern anklicken....

eher unwahrscheinlich, dort wird man bei 12FDX bleiben.

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

cPT_cAPSLOCK schrieb:

oder Germanium-FETs kommen, weiß wohl aktuell niemand.

Zum Vergrößern anklicken....

Na ja, die Germaniumtransistoren hat man früher schon beim Ausmessen gekillt.

Über 80°C und husch ... durch war die Basis.
Das Wärmeproblem wird man nicht umgehen können.

Galliumarsenid ist noch viel schwerer zu bearbeiten als Silizium und -verbindungen.
Die Ausganngs- und Zwischenprodukte sind teilweise extrem giftig oder ätzend, aber das ist ja nichts neues bei der Halbleiterei.
Das Endprodukt kann auch noch krebserregend sein.

Die Elektronenbeweglichkeit ist eben um den Faktor 10 besser, als im Silizium und man erreicht höhere Grenzfrequenzen f[SUB]g.[/SUB]

Fast alle Höchstfrequenzhalbleiter sind eben deswegen aus GaAs.

Hier ist das sehr gut beschrieben: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik, Bd. 1.
Alt, aber immer noch auf Uni-Level.

Ich hab noch das alte von 1980 in sechs Bänden (je 50.- M).
Das war schon eine Investition für einen Studenten.

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

wuselsurfer schrieb:

Na ja, die Germaniumtransistoren hat man früher schon beim Ausmessen gekillt.

Über 80°C und husch ... durch war die Basis.
Das Wärmeproblem wird man nicht umgehen können.

Galliumarsenid ist noch viel schwerer zu bearbeiten als Silizium und -verbindungen.
Die Ausganngs- und Zwischenprodukte sind teilweise extrem giftig oder ätzend, aber das ist ja nichts neues bei der Halbleiterei.
Das Endprodukt kann auch noch krebserregend sein.

Die Elektronenbeweglichkeit ist eben um den Faktor 10 besser, als im Silizium und man erreicht höhere Grenzfrequenzen f[SUB]g.[/SUB]

Fast alle Höchstfrequenzhalbleiter sind eben deswegen aus GaAs.

Hier ist das sehr gut beschrieben: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik, Bd. 1.
Alt, aber immer noch auf Uni-Level.

Ich hab noch das alte von 1980 in sechs Bänden (je 50.- M).
Das war schon eine Investition für einen Studenten.

Zum Vergrößern anklicken....

Naja, Germanium hat halt mal eben die höchste Löcherbeweglichkeit von jedem bekannten Halbleiter
Daher denke ich schon, dass es zumindest eine Alternative darstellt. Zumindest für die p-Kanal-FETs.
Die GaAs-Hochfrequenztransistoren sind halt auch einfach ein anderes Gebiet. Ich weiß nicht, wie gut GaAs in den Sturkutbreiten eines heutigen Transistors strukturierbar ist und wie effizient die Bauteile in diesen Größenregionen noch arbeiten können - weil das ist ja im Bereich der Logik das Hauptkriterium. Aber ich habe da auch keine praktische Erfahrung
gRU?; cAPS

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

cPT_cAPSLOCK schrieb:

Naja, Germanium hat halt mal eben die höchste Löcherbeweglichkeit von jedem bekannten Halbleiter

Zum Vergrößern anklicken....

Nützt Dir aber nichts, wenn die Teile nicht temperaturfest sind.
Siliziumsperrschichten kann ich bis 150°C belasten, da ist Germanium längst im Jenseits.

Und bei der Integration hat es mal als Zwischenschicht bei den Si-Ge Bauelementen zuletzt eine Rolle gespielt.

cPT_cAPSLOCK schrieb:

Daher denke ich schon, dass es zumindest eine Alternative darstellt. Zumindest für die p-Kanal-FETs.

Zum Vergrößern anklicken....

Als Grundmaterial bestimmt nicht, in dünnen Schichten eventuell.

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

wuselsurfer schrieb:

Nützt Dir aber nichts, wenn die Teile nicht temperaturfest sind.
Siliziumsperrschichten kann ich bis 150°C belasten, da ist Germanium längst im Jenseits.

Und bei der Integration hat es mal als Zwischenschicht bei den Si-Ge Bauelementen zuletzt eine Rolle gespielt.

Als Grundmaterial bestimmt nicht, in dünnen Schichten eventuell.

Zum Vergrößern anklicken....

Soweit ich weiß, ist es auch so vorgesehen, dass eine Germanium-Dünnschicht auf Silizium-Wafern aufgewachsen wird.
gRU?; cAPS

AW: TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant

cPT_cAPSLOCK schrieb:

dass eine Germanium-Dünnschicht auf Silizium-Wafern aufgewachsen wird.
gRU?; cAPS

Zum Vergrößern anklicken....

Sagte ich ja.
Aber als Vollmaterial in dicken Schichten geht das wohl nicht.